The semiconductor module of the present invention includes a conductive member, one end of the long side direction of the conductive member, and is engaged in the semiconductor electrode equipped with insulating components on a substrate, and the other end of the long side direction different from the electrode components together, the conductive member formed by a metal plate, one end and the other end has a bend, bend the Department is arranged at one end with cracks in the long side direction of the front part of the upper end of the crack, there is no connection with the semiconductor element electrode combination. As a result, a semiconductor module that can increase the current capacity and improve the reliability is realized.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于同时实现电流容量的增大以及可靠性提高的半导体模块以及半导体模块用的导电构件。
技术介绍
由对电流进行开关控制的IGBT或MOS-FET构成的半导体模块是逆变器、充电器等功率转换装置的主要构成部件。在推进车辆的电动化的过程中,要求功率转换装置的高输出化,且半导体模块的电流容量有增大的趋势。并且,随着SiC等半导体元件的进步,半导体元件能在200℃附近的高温环境下工作,冷热循环中的结构可靠性与以往相比变得非常严格。因此,要求半导体模块兼顾高输出化带来的电流容量增大以及能在高温环境下长期正常工作的可靠性确保。为了实现大电流容量化,需要降低通电构件的电阻值。并且,为了在从低温到高温的环境中确保可靠性,必须降低半导体模块内部的构成构件的接合部上的冷热应力以及该接合部上的残留应力。并且,在以往的半导体模块中,为了增大电流容量,有时使导电构件与半导体元件的电极直接接合(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特开2005-5593号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题然而,现有技术存在如下问题。该专利文献1所公开的现有的半导体模块根据电流容量而使用了铜材。然而,若将这种铜材用于大输出,则大多数情况下截面积会增大,刚性会变大。并且,专利文献1的布线结构中,半导体元件的电极与导电构件的热膨胀差较大。因此,会在上述接合面上产生应变,并产生冷热应力。其结果,会产生在半导体元件的电极与导电构件的接合面上产生剥离、裂缝这样的问题。此外,无法吸收半导体模块中的构成构件的尺寸公差,会在半导体元件的电极与导体构件的接合面上产生残留应力。该残 ...
【技术保护点】
一种半导体模块,包括导电构件,该导电构件的长边方向的一端与搭载在绝缘基板上的半导体元件的电极相接合,所述长边方向的另一端与不同于所述电极的元器件相接合,其特征在于,所述导电构件由金属板构成,所述一端与所述另一端具有弯曲部,设置于所述一端的所述弯曲部在前端部分的所述长边方向上具有裂缝,不存在所述裂缝的端部接合部与所述半导体元件的电极相接合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体模块,包括导电构件,该导电构件的长边方向的一端与搭载在绝缘基板上的半导体元件的电极相接合,所述长边方向的另一端与不同于所述电极的元器件相接合,其特征在于,所述导电构件由金属板构成,所述一端与所述另一端具有弯曲部,设置于所述一端的所述弯曲部在前端部分的所述长边方向上具有裂缝,不存在所述裂缝的端部接合部与所述半导体元件的电极相接合。2.如权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,所述导电构件设置有所述裂缝,使得具有长方形的所述端部接合部的对角长度在10mm以下。3.如权利要求1或2所述的半导体模块,其特征在于,所述导电构件构成为两个以上的单独构件,并与所述半导体元件的所述电极单独接合。4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体模块,其特征在于,所述导电构件的所述另一端与从构成其它电路的电子元器件引出的外部导电构件相连接。5.如权利要求1至4的任一项所述的半导体模块,其特征在于,形成在所述导电构件上的所述裂缝的所述长边方向的长度设置在超过设置于所述一端的所述弯曲部的所述长边方向的长度的范围内。6.如权利要求1至4...
【专利技术属性】
技术研发人员:谷昌和,出口善行,阪田一树,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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