半导体模块以及半导体模块的叠层布置制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块以及半导体模块的叠层布置
本专利技术涉及功率半导体电子器件的领域。具体来说，本专利技术涉及功率半导体模块以及功率半导体模块的叠层布置。
技术介绍
基于宽带隙(WBG)材料、具体来说是单极材料(例如比如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN))的半导体开关因这些材料的固有优点(例如，比如在高操作温度下的低泄漏电流以及在低电流下的低损耗)而提供低切换损耗。因此，这类半导体开关还适合于高频应用。但是，例如，SiC基开关当前限制到与双极硅(Si)基的开关相比更小大小的芯片。例如，半导体模块中采用的双极Si开关的基区的典型尺寸为大约17×17mm2，而SiC开关因关于关联较高成本的缺陷和产率问题而最多不超过那些值的一半。此外，与双极Si基的开关相比，小型的宽带隙开关可具有某些缺点，例如振荡行为、在高温度和电流下的高通态损耗以及较小故障电流操控能力。US2014/0185346A1涉及一种混合功率装置，其包括包含第一和第二不相等的带隙半导体材料的第一和第二切换装置，其中切换装置是不同类型的三端子或更多端子的切换装置。EP0443155B1涉及一种用于接通和关断的开关设备，...
【技术保护点】
一种半导体模块(10)，包括：绝缘栅双极晶体管(12)；宽带隙开关(14)；基板(48)；以及紧压装置(62)，其中所述绝缘栅双极晶体管(12)包括第一平面端子(16)和第二平面端子(18)，其中所述宽带隙开关(14)包括第一平面端子(34)和第二平面端子(36)，其中所述绝缘栅双极晶体管(12)和所述宽带隙开关(14)并联连接，由此对于并联连接，所述绝缘栅双极晶体管(12)的所述第一平面端子(16)和所述宽带隙开关(14)的所述第一平面端子(34)安装到所述基板(48)的相同侧(46)，以及所述绝缘栅双极晶体管(12)的所述第二平面端子(18)和所述宽带隙开关(14)的所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.24 EP 14190279.11.一种半导体模块(10)，包括：绝缘栅双极晶体管(12)；宽带隙开关(14)；基板(48)；以及紧压装置(62)，其中所述绝缘栅双极晶体管(12)包括第一平面端子(16)和第二平面端子(18)，其中所述宽带隙开关(14)包括第一平面端子(34)和第二平面端子(36)，其中所述绝缘栅双极晶体管(12)和所述宽带隙开关(14)并联连接，由此对于并联连接，所述绝缘栅双极晶体管(12)的所述第一平面端子(16)和所述宽带隙开关(14)的所述第一平面端子(34)安装到所述基板(48)的相同侧(46)，以及所述绝缘栅双极晶体管(12)的所述第二平面端子(18)和所述宽带隙开关(14)的所述第二平面端子(36)与导电连接元件(50)相连接，其中所述紧压装置(62)布置在所述绝缘栅双极晶体管(12)的所述第二平面端子(18)上，以及其中所述半导体模块(10)还包括至少一个栅极垫(54)，其用于连接所述绝缘栅双极晶体管(12)的栅极(20)和所述宽带隙开关(14)的栅极(38)，以便互连所述绝缘栅双极晶体管(12)的所述栅极(20)和所述宽带隙开关(14)的所述栅极(38)，所述栅极垫(54)绝缘安装在所述基板(48)中与所述绝缘栅双极晶体管(12)的所述第一平面端子(16)和所述宽带隙开关(14)的所述第一平面端子(34)相同的一侧(46)。2.如权利要求1所述的半导体模块(10)，其中，所述绝缘栅双极晶体管(12)的所述第一平面端子(16)是集电极，并且所述宽带隙开关(14)的所述第一平面端子(34)是漏极，和/或其中所述绝缘栅双极晶体管(12)的所述第二平面端子(18)是发射极，并且所述宽带隙开关(14)的所述第二平面端子(36)是源极。3.如权利要求1和2中的任一项所述的半导体模块(10)，其中，所述连接元件(50)是线结合件(52a-c)和带式结合件(53)中的至少一个。4.如权利要求1至3中的任一项所述的半导体模块(10)，其中，所述绝缘栅双极晶体管(12)的所述栅极(20)和所述宽带隙开关(14)的所述栅极(38)采用线结合件(...
【专利技术属性】
技术研发人员：M拉希莫，
申请(专利权)人：ABB瑞士股份有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士,CH
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