一种高纯铝靶材大压下量轧制方法技术
Large reduction rolling method for high-purity aluminum target material
The invention relates to a high pure aluminum target heavy reduction method, which is characterized in that the main process is as follows: 1) the reversible roll gap setting for single pass reduction of half closed; 2) reversible rolling emulsion lubrication, ingot to the velocity less than 0.5m/s bite; 3) ingot after biting immediately stop rolling mill, head length is controlled within 500mm, roll reversal, ingot return to the entrance side; 4) roll gap set for single pass reduction, emulsion opening, ingot head at a single half reduction bite back, with single pressure casting the quantity of rolling. The invention of high pure aluminum target heavy reduction method can avoid the low temperature (below 350 DEG C) appear bite skidding of the large quantity of the rolling pressure, ensure the large quantity of the rolling pressure smoothly, improve the success rate of rolling target, reduce the huge losses caused by slab ingot scrap.
【技术实现步骤摘要】
一种高纯铝靶材大压下量轧制方法
：本专利技术涉及一种高纯铝靶材大压下量轧制方法。
技术介绍
：TFT-LCD(Thinfilmtransistor-Liquidcrystaldisplay)薄膜晶体管液晶显示器，俗称液晶面板，广泛地应用于手机、显示器、电视机等各类产品中。TFT-LCD生产最关键的工艺为物理气相沉积（PVD），PVD用溅射金属靴材是半导体芯片生产及TFT-LCD制备加工过程中最重要的原材料之一。靶材溅射沉积薄膜的工艺是生产功能薄膜的常用方法，溅射法是用高能离子轰击靶材表面，使靶材表面的原子或分子喷射在衬底表面，形成一层致密薄膜的过程。溅射金属靶材中用量最大的是超高纯铝和超高纯净合金。高纯铝靶材（5N～6N的超高纯铝），纯度＞99.999%，产品规格在：12～20mmx180～1731mmx1700～2650mm，产品附加值高，但生产难度大，除纯度要求外，对晶粒尺寸、晶粒均匀度以及织构取向等都有严格要求，晶粒尺寸一般要求在200um以内，国内靶材制造中所需要使用的高纯铝的纯度、靶材微观组织控制、靶材与背板焊接技术等方面与国外工业发达国家有很大差距，目...
【技术保护点】
一种高纯铝靶材大压下量轧制方法，其特征在于：其主要工艺流程为：1）将可逆式轧机辊缝设定为单道次压下量的一半；2）可逆式轧机乳液润滑关闭，铸锭以不大于0.5m/s的速度咬入；3）铸锭咬入后轧机立即停止，头部轧制长度控制在500mm以内，轧辊反转，铸锭回退至入口侧；4）轧机辊缝设定为单道次压下量，乳液开启，铸锭头部以单道次一半压下量咬入，后部铸锭以单道次压下量轧制。
【技术特征摘要】
1.一种高纯铝靶材大压下量轧制方法，其特征在于：其主要工艺流程为：1）将可逆式轧机辊缝设定为单道次压下量的一半；2）可逆式轧机乳液润滑关闭，铸锭以不大于0.5m/s的速度咬入；3）铸锭咬入后轧机立即停止，头部轧制长度控制在500mm以内，轧辊反转，铸锭回退至入口侧；4）轧机辊缝设定为单道次压下...
【专利技术属性】
技术研发人员：冉继龙，徐始祥，詹开严，郑自链，黄自立，杨本勇，
申请(专利权)人：中铝瑞闽股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
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