一种高效硅晶片热场长晶装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种高效硅晶片热场长晶装置，包括炉体，以及设置于炉体外的冷却器，炉体内设置有保温装置，保温装置内设置有坩埚，坩埚的外侧包覆有坩埚护板，坩埚护板外设置有用于对坩埚加热形成热场的加热器，所述坩埚护板底部设置有冷凝板，冷凝板连接有冷却管，冷却管与冷却器连接。本发明专利技术实现了对坩埚点局部强冷，实现了对小块籽晶熔化、生长的有效控制，减少单埚籽晶的投放量，已达到提高硅片质量降低成本目的。

A high performance silicon wafer thermal field crystal device and method

The invention provides a high-efficiency silicon wafer crystal thermal field device, comprising a furnace body, and a cooler arranged on the furnace body, the furnace body is provided with a thermal insulation device, thermal insulation device is arranged in the crucible, crucible coated with the crucible plate, the crucible plate is arranged outside the heater for heating crucible to form thermal field, the crucible plate is arranged at the bottom part of the condensing plate, condensing plate is connected with a cooling pipe, cooling pipe connected with a cooler. The invention realizes the local strong cold crucible, realize the effective control of the small seed crystal melting, growth, reduce crucible seed quantity, to improve the quality and reduce the cost to the wafer.

【技术实现步骤摘要】
一种高效硅晶片热场长晶装置及方法
本专利技术涉及光伏行业，多晶硅片制成领域、准单晶制造领域，具体为一种硅晶片热场长晶装置。
技术介绍
硅晶片热场长晶装置是多晶硅片制成领域、准单晶制造领域常用的装置。现有的硅晶片热场长晶装置，对坩埚的冷气范围大，冷却气体不能重复利用，要求籽晶投放量大，籽晶质量很难控制，籽晶成本偏高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高效硅晶片热场长晶装置及方法，以实现对坩埚点局部强冷，实现对小块籽晶熔化、生长的有效控制，减少单埚籽晶的投放量，以达到提高硅片质量降低成本目的。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种高效硅晶片热场长晶装置，包括炉体，以及设置于炉体外的冷却器，炉体内设置有保温装置，保温装置内设置有坩埚，坩埚的外侧包覆有坩埚护板，坩埚护板外设置有用于对坩埚加热形成热场的加热器，所述坩埚护板底部设置有冷凝板，冷凝板连接有冷却管，冷却管与冷却器连接。所述冷却管内设置有导流管。所述冷却管通过接头连接有连接管，连接管与冷却器连接。所述冷却管的端部插入冷凝板内部，与坩埚护板底部接触。所述冷却管与坩埚护板接触位置位于坩埚护板底部的中心点处。所述加热器包括设置于坩埚护板侧边的环形加热器，以及位于坩埚护板顶部上方的加热器。一种高效硅晶片热场长晶方法，包括以下步骤：将籽晶和陶瓷板置于坩埚内，开启加热器和冷却器；通过冷却器中的惰性气体循环对冷却管上部冷却，从而对坩埚护板底中部、坩埚底中部、坩埚底中部的籽晶冷却，控制籽晶的熔化及长晶速度。有益效果：本专利技术以实现了对坩埚点局部强冷，实现了对小块籽晶熔化、生长的有效控制，减少单埚籽晶的投放量，达到了提高硅片质量降低成本目的。本专利技术通过惰性气体循环对冷却管上部冷却，从而对坩埚护板底中部、坩埚底中部、坩埚底中部的籽晶冷却，控制籽晶的熔化及长晶速度。可以用更少的籽晶来完成铸锭，从而达到降低铸锭成本。用更好的籽晶来完成铸锭，从而达到提高铸锭质量目的。解决了现有工艺籽晶用量多，质量、成本难控制的问题。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做更进一步的解释。一种高效硅晶片热场长晶装置，包括炉体9，以及设置于炉体外的冷却器8，炉体9内设置有保温装置11，保温装置11内设置有坩埚2，坩埚2的外侧包覆有坩埚护板1，坩埚护板1外设置有用于对坩埚2加热形成热场的加热器10，所述坩埚护板1底部设置有冷凝板3，冷凝板3连接有冷却管4，冷却管4内设置有导流管5，冷却管4通过接头6连接有连接管7，连接管7与冷却器8连接。冷却管4的端部插入冷凝板3内部，与坩埚护板1底部接触；冷却管4与坩埚护板1接触位置位于坩埚护板1底部的中心点处。加热器10包括设置于坩埚护板1侧边的环形加热器，以及位于坩埚护板1顶部上方的加热器，分别对坩埚2的侧面以及顶部提供热场。一种高效硅晶片热场长晶方法，包括以下步骤：将籽晶12和陶瓷板13置于坩埚2内，开启加热器10和冷却器8；通过冷却器8中的惰性气体循环对冷却管4上部冷却，从而对坩埚护板1底中部、坩埚2底中部、坩埚2底中部的籽晶12冷却，控制籽晶12的熔化及长晶速度。本专利技术可以用更少的籽晶来完成铸锭，从而达到降低铸锭成本。用更好的籽晶来完成铸锭，从而达到提高铸锭质量目的。解决了现有工艺籽晶用量多，质量、成本难控制的问题。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高效硅晶片热场长晶装置，其特征在于：包括炉体(9)，以及设置于炉体外的冷却器(8)，炉体(9)内设置有保温装置(11)，保温装置(11)内设置有坩埚(2)，坩埚(2)的外侧包覆有坩埚护板(1)，坩埚护板(1)外设置有用于对坩埚(2)加热形成热场的加热器(10)，所述坩埚护板(1)底部设置有冷凝板(3)，冷凝板(3)连接有冷却管(4)，冷却管与冷却器(8)连接。

【技术特征摘要】
1.一种高效硅晶片热场长晶装置，其特征在于：包括炉体(9)，以及设置于炉体外的冷却器(8)，炉体(9)内设置有保温装置(11)，保温装置(11)内设置有坩埚(2)，坩埚(2)的外侧包覆有坩埚护板(1)，坩埚护板(1)外设置有用于对坩埚(2)加热形成热场的加热器(10)，所述坩埚护板(1)底部设置有冷凝板(3)，冷凝板(3)连接有冷却管(4)，冷却管与冷却器(8)连接。2.根据权利要求1所述的高效硅晶片热场长晶装置，其特征在于：所述冷却管(4)内设置有导流管(5)。3.根据权利要求1或2所述的高效硅晶片热场长晶装置，其特征在于：所述冷却管(4)通过接头(6)连接有连接管(7)，连接管(7)与冷却器(8)连接。4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈旭光，张涛，孙鹏，
申请(专利权)人：镇江仁德新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32