一种掩膜板的制作方法、制作系统及掩膜板技术方案

本文公开了一种掩膜板的制作方法和掩膜板。所述掩膜板的制作方法包括：在测试基台上对基准掩膜板上的制作图案进行位置测量，将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量；参考所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量对将要制作在目标掩膜板上的图案进行设计校正；将校正后的图案制作在所述目标掩膜板上。本文的技术方案能够提高掩膜板在实际使用过程中的图案位置精度。

Method for making mask plate, making system and mask plate

The invention discloses a method for making a mask plate and a mask plate. Including the making method of the mask plate: in the test bench on the base plate of the mask pattern making film of position measurement, the measuring position and design position making pattern design the position deviation of the reference for comparison on the mask around the pattern; the position deviation of the base reference quasi on the mask to be made throughout the film on the board in the designed mask pattern correction; the corrected pattern making mask on the target. The technical scheme can improve the pattern position accuracy of the mask plate in practical use.

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板的制作方法、制作系统及掩膜板
本专利技术涉及显示器件制作技术，尤指一种掩膜板的制作方法、制作系统及掩膜板。
技术介绍
显示产品日新月异，发展趋势为高分辨率、低成本。产品分辨率越来越高，对薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)，彩膜(colourfilter，简称CF)及有机致电发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)各层对位能力要求也越来越高。TFT各层对位精度目前的基准为偏差不超过1.5um，但是随着产品分辨率的提升，各层对位精度需要提升至偏差不超过1.2um甚至偏差不超过1.0um。TFT各层对位精度与各层使用的掩膜板的制作图案的制作精度有关。如图1所示，掩膜板的制作过程中，制作图案的制作精度的测试是在平坦的制作基台上进行的，制作面(比如，铬面)朝上，所以制作面上的图案不会因为重力作用而发生变形。制作图案与设计值的位置精度偏差规格大约为0.5um。但实际使用掩膜板对器件进行光刻时，如图2所示，掩膜板放置于曝光机内的工作基台上，所述工作基台托住掩膜板长边两侧，铬面向下。由于掩膜板自身重力的影响，所以铬面上的图案会因为重力作用而发生变形，实际制作图案与设计值位置精度偏差可达1.0um。掩膜板基底背面粗糙度对图案的精度也有影响，基板表面粗糙度即最高处与最低处差异，规格要求是小于10um，图案制作于最高处与最低处时，也将造成位置略微偏移，影响图案制作精度。因此，掩膜板使用时的形变或基底背面粗糙度等因素已成为影响显示器件分辨率提升的制约因素。
技术实现思路
本申请提供了一种掩膜板的制作方法、制作系统和掩膜板，能够提高掩膜板在实际使用过程中的图案位置精度。本专利技术实施例提供了一种掩膜板的制作方法，包括：在测试基台上对基准掩膜板上的制作图案进行位置测量，将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量；参考所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量对将要制作在目标掩膜板上的图案进行设计校正；将校正后的图案制作在所述目标掩膜板上。本专利技术实施例还提供了一种掩膜板的制作系统，包括：图案测量装置、图案校正装置和图案制作装置；图案测量装置，用于在测试基台上对基准掩膜板上的制作图案进行位置测量，将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量；图案校正装置，用于参考所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量对将要制作在目标掩膜板上的图案进行设计校正；图案制作装置，用于将校正后的图案制作在所述目标掩膜板上。本专利技术实施例还提供了一种掩膜板，所述掩膜板采用上述掩膜板的制作方法制备。与相关技术相比，本专利技术实施例提供了一种掩膜板的制作方法、制作系统和掩膜板，在测试基台上对基准掩膜板上的制作图案进行位置测量，将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量；参考所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量对将要制作在目标掩膜板上的图案进行设计校正，将校正后的图案制作在所述目标掩膜板上。本专利技术实施例的技术方案能够提高掩膜板在实际使用过程中的图案位置精度。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为现有技术中掩膜板在测试基台上进行图案位置测量时的状态示意图；图2为现有技术中掩膜板在曝光机中工作时的状态示意图；图3为本专利技术实施例一的一种掩膜板的制作方法的流程图；图4-1为本专利技术示例1中基准掩膜板上制作图案的测量位置与设计位置的对比示意图；图4-2为本专利技术示例1中目标掩膜板的原始设计图案与在曝光机中工作时投影在目标板上的掩膜图案的对比示意图；图4为本专利技术实施例二的一种掩膜板的制作系统的示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。实施例一如图3所示，本专利技术实施例一提供一种掩膜板的制作方法，包括：S310，在测试基台上对基准掩膜板上的制作图案进行位置测量，将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量；S320，参考所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量对将要制作在目标掩膜板上的图案进行设计校正；S330，将校正后的图案制作在所述目标掩膜板上。在一种实施方式中，所述测试基台夹持所述基准掩膜板的方式，与曝光机中的工作基台夹持所述目标掩膜板的方式相同；所述基准掩膜板在测试过程中制作了图案的一面朝下，所述目标掩膜板在曝光机中工作时制作了图案的一面朝下。比如，所述测试基台夹持所述基准掩膜板的一种方式可以是：所述基准掩膜板的至少一组对边被所述测试基台的夹持装置所固定，所述基准掩膜板的中间悬空。在一种实施方式中，所述将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量，包括：在基准掩膜板的制作图案上选择多个测试点；对任意一个测试点，将所述测试点的测量位置(xi,yi)与设计位置(xi',yi')进行比较，获得该测试点的图案位置偏差量(Δxi,Δyi)；建立每一个测试点的测量位置与该测试点的图案位置偏差量之间的对应关系，根据所述对应关系构建基准掩膜板的图案位置偏差量查询集合。在一种实施方式中，所述参考所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量对将要制作在目标掩膜板上的图案进行设计校正，包括：在目标掩膜板的原始设计图案上选择多个校正点，所述原始设计图案上各处的位置是所述目标掩膜板放置在曝光机中工作时期望的图案位置；对原始设计图案上的任意一个校正点，根据所述校正点的位置(xi,yi)查询所述基准掩膜板的图案位置偏差量查询集合，将所述图案位置偏差量查询集合中距离所述校正点位置最近的测试点作为参考点，将所述参考点的图案位置偏差量(Δxi,Δyi)作为所述校正点的图案位置偏差量，根据所述校正点的图案位置偏差量对所述校正点的位置进行设计校正，获得所述校正点校正后的位置(xi',yi')；在一种实施方式中，所述测试点均匀分布在所述基准掩膜板上。在一种实施方式中，所述基准掩膜板与所述目标掩膜板是相同的掩膜板；所述相同是指至少在以下方面相同：大小、形状、材料、厚度。基准掩膜板的图案位置测量数据能够模拟目标掩膜板在曝光机中真实使用时的图案位置数据。实施例二如图4所示，本专利技术实施例二提供一种掩膜板的制作系统，包括：图案测量装置401、图案校正装置402和图案制作装置403；图案测量装置401，用于在测试基台上对基准掩膜板上的制作图案进行位置测量，将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量；图案校正装置402本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板的制作方法，包括：在测试基台上对基准掩膜板上的制作图案进行位置测量，将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量；参考所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量对将要制作在目标掩膜板上的图案进行设计校正；将校正后的图案制作在所述目标掩膜板上。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板的制作方法，包括：在测试基台上对基准掩膜板上的制作图案进行位置测量，将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量；参考所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量对将要制作在目标掩膜板上的图案进行设计校正；将校正后的图案制作在所述目标掩膜板上。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述测试基台夹持所述基准掩膜板的方式，与曝光机中的工作基台夹持所述目标掩膜板的方式相同；所述基准掩膜板在测试过程中制作了图案的一面朝下，所述目标掩膜板在曝光机中工作时制作了图案的一面朝下。3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于：所述将所述制作图案的测量位置与设计位置进行比较获得所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量，包括：在基准掩膜板的制作图案上选择多个测试点；对任意一个测试点，将所述测试点的测量位置(xi,yi)与设计位置(xi',yi')进行比较，获得该测试点的图案位置偏差量(Δxi,Δyi)；建立每一个测试点的测量位置与该测试点的图案位置偏差量之间的对应关系，根据所述对应关系构建基准掩膜板的图案位置偏差量查询集合。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述参考所述基准掩膜板上各处的图案位置偏差量对将要制作在目标掩膜板上的图案进行设计校正，包括：在目标掩膜板的原始设计图案上选择多个校正点，所述原始设计图案上各处的位置是所述目标掩膜板放置在曝光机中工作时期望的图案位置；对原始设计图案上的任意一个校正点，根据所述校正点的位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯学成，王琪，卢凯，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11