The present invention relates to the field of materials, especially a semiconductor ceramic glaze, its raw materials by weight: 20 to 30 portions of limestone and feldspar from 40 to 50, 40 to 50 portions of quartz and fly ash from 25 to 30, Zinc Oxide 5 - 10, 10 to 15 portions of nano titanium dioxide and iron ore Brown 30 - 40, three - 12 8 two antimony oxide nano silver, 5 - 10, 5 - 10, spodumene carboxymethyl cellulose 15 - 20, 3 - 8, graphene aqueous rheological agent 8 ~ 12. The product has good conductivity, good melting property, low coefficient of thermal expansion, high mechanical strength, smooth glaze surface, strong anti-aging ability and long service life. Moreover, the ceramic glaze can be effectively bactericidal and has a certain degree of self-cleaning.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体陶瓷釉
本专利技术涉及材料领域，尤其是一种半导体陶瓷釉。
技术介绍
半导体陶瓷广泛应用于电学领域内，但是现有的半导体陶瓷大多表面粗糙、电阻值较大，容易产生污浊等，无法满足日益增长的需求。釉是覆盖在陶瓷制品表面的无色或有色的玻璃质薄层，是用矿物原料和原料按一定比例配合经过研磨制成釉浆，施于坯体表面，经一定温度煅烧而成。能增加制品的机械强度、热稳定性和电介强度，还有美化器物、便于拭洗、不被尘土腥秽侵蚀等特点。但是半导体陶瓷釉并未见报告。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体陶瓷釉，有效弥补了半套提陶瓷釉的空白，且可以有效提升半套提陶瓷表面光滑度及导电性。为了实现上述目的，本专利技术所采用以下技术方案，一种半导体陶瓷釉，其原料按重量份计为：石灰石20～30份、长石40～50份、石英石40～50份、粉煤灰25～30份、氧化锌5～10份、纳米二氧化钛10～15份、铁褐矿30～40份、三氧化二锑8～12份、纳米银5～10份、锂辉石5～10份、羧甲基纤维素15～20份、石墨烯3～8份、水性流变助剂8～12份。进一步，一种半导体陶瓷釉，其原料按重量份计为：石灰石25份、长石45份、石英石45份、粉煤灰28份、氧化锌8份、纳米二氧化钛12份、铁褐矿35份、三氧化二锑10份、纳米银8份、锂辉石8份、羧甲基纤维素17份、石墨烯5份、水性流变助剂10份。进一步，按重量份计，长石：石灰石=1：1。进一步，按重量份计，氧化锌：纳米银：锂辉石=1：1：1。本专利技术所述的陶瓷釉料具有良好的导电性能，具有良好的熔融性能，同时热膨胀系数低、机械强度高、釉面光洁、抗...
【技术保护点】
一种半导体陶瓷釉，其特征在于，其原料按重量份计为：石灰石20～30份、长石40～50份、石英石40～50份、粉煤灰25～30份、氧化锌5～10份、纳米二氧化钛10～15份、铁褐矿30～40份、三氧化二锑8～12份、纳米银5～10份、锂辉石5～10份、羧甲基纤维素15～20份、石墨烯3～8份、水性流变助剂8～12份。
【技术特征摘要】
1.一种半导体陶瓷釉，其特征在于，其原料按重量份计为：石灰石20～30份、长石40～50份、石英石40～50份、粉煤灰25～30份、氧化锌5～10份、纳米二氧化钛10～15份、铁褐矿30～40份、三氧化二锑8～12份、纳米银5～10份、锂辉石5～10份、羧甲基纤维素15～20份、石墨烯3～8份、水性流变助剂8～12份。2.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷釉，其特征在于，其原料按重量份计为...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭春雨，陈俊，陈云博，于平，于清炎，干大强，
申请(专利权)人：乐山凯亚达光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51
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