一种铒掺杂的硫化钼薄膜及其制备方法技术

技术编号:15879601 阅读:426 留言:0更新日期:2017-07-25 17:38
本发明专利技术公开了一种铒掺杂的硫化钼薄膜及其制备方法。在清洗后的

Erbium doped molybdenum sulfide film and preparation method thereof

The invention discloses an erbium doped molybdenum sulfide film and a preparation method thereof. After cleaning

【技术实现步骤摘要】
一种铒掺杂的硫化钼薄膜及其制备方法
本专利技术涉及一种提供硫化钼薄膜发光特性的方法,特别涉及一种铒掺杂的硫化钼薄膜及其制备方法。
技术介绍
MoS2,又称为辉钼,为常温下呈金属光泽的黑色固体物质,具有优异的化学稳定性、热稳定性(熔点1185℃)和润滑性,通常用于机械、切削工具的表面涂层或润滑剂。块体MoS2为间接带隙(1.2eV)半导体,结构上,MoS2呈六方密堆积的石墨层状结构,层与层间由弱相互作用的范德瓦耳斯力相结合。与石墨容易剥离为单原子层的石墨烯相似,通过微机械剥离辉钼也容易成为单层MoS2膜(参见文献:S.Bertolazzi,J.Brivio,A.Kis,StretchingandBreakingofUltrathinMoS2,ACSNano,V.5(12):9703-9709,2011.)。单层MoS2为S-Mo-S三原子共价键结合的正六边形平面结构,厚度仅为0.65nm。单层MoS2不仅具有与石墨烯材料相似的网状结构,还具有较大的1.8eV直接带隙和相近的光电磁特性。单层MoS2可用于制造场效应晶体管、光探测器件等光电子器件。然而,单层MoS2一般需要机械剥离法才能精本文档来自技高网...
一种铒掺杂的硫化钼薄膜及其制备方法

【技术保护点】
一种铒掺杂的硫化钼薄膜的制备方法,其特征在于采用化学气相沉积方法,以Er(NO3)3作为Er掺杂剂对MoS2进行掺杂;包括如下步骤:(1)衬底清洗:以

【技术特征摘要】
1.一种铒掺杂的硫化钼薄膜的制备方法,其特征在于采用化学气相沉积方法,以Er(NO3)3作为Er掺杂剂对MoS2进行掺杂;包括如下步骤:(1)衬底清洗:以n-Si(111)片为衬底,用稀HF酸浸泡去除Si表面的二氧化硅,再依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗,去除硅片上的有机物,用氮气吹干,放入石英管进行沉积处理;石英管的真空度为10-2Pa,加热到300℃,去除硅片表面的水汽;(2)稀土铒掺杂的MoS2薄膜制备:...

【专利技术属性】
技术研发人员:马锡英孟淼飞施伟林
申请(专利权)人:苏州科技大学
类型:发明
国别省市:江苏,32

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