硅量子点增强的氧化锌紫外探测器制造技术
A silicon quantum dot enhanced Zinc Oxide UV detector
The invention provides a tin oxide UV detector, a new structure comprises a silicon substrate, hydrogenated amorphous silicon layer and a porous layer, Zinc Oxide hole formed on the internal wall of silicon quantum dots, forming a silicon quantum after by sol-gel gel filled Zinc Oxide in the hole, and heat treatment. The porous Zinc Oxide hole Zinc Oxide closed form Zinc Oxide optical active layer of silicon quantum dot enhancement, formed Zinc Oxide UV detector silicon quantum dot enhancement, can enhance the efficiency of UV detector, make full use of exposure to light, the sensitivity of the sensor has greatly improved.
【技术实现步骤摘要】
硅量子点增强的氧化锌紫外探测器
本专利技术涉及一种传感器，具体涉及一种硅量子点增强的氧化锌紫外探测器。
技术介绍
紫外探测是一项重要的军民两用光电探测技术，它在火焰及导弹羽烟监控、空间通讯、有机污染与臭氧监控、化学与生物分析等方面有着广泛的应用；商业化的紫外探测器以硅为主，它需要滤除入射的可见光及红外光并需配置冷却部件；与此相比，带隙处于紫外区的宽禁带半导体如SiC、金刚石、GaN和ZnO等，天然地避免了硅探测器的这些问题；其中ZnO室温下的禁带宽度约为3.37eV，电子迁移率与晶体硅相近高达205-1000cm2/Vs，且ZnO晶体生长温度低、原料易得、价廉、环境友好，更重要的是，它具有很强的抗辐射能力，并且在紫外区有强烈的吸收而在可见区透明；它可望在强烈辐照的太空环境下实现高性能的紫外光电探测。ZnO基紫外探测研究中，较为突出的进展集中于薄膜器件的设计与制备，人们结合能带工程设计，采用多种薄膜技术，制备了Mg1-xZnxO合金材料，构建了Schottky、p-n、p-i-n等不同结构的紫外探测器，对可见盲区、甚至日盲区的光电响应特性作了很有意义探讨；尽管从理论...
【技术保护点】
一种硅量子点增强的氧化锌紫外探测器，其特征在于，包含：硅基板；硅基板上形成一层氢化非晶硅层；所述氢化非晶硅层上形成多孔状氧化锌层，所述孔的孔径范围为50‑600μm；所述孔的内壁上通过浸泡包含硅量子点的溶液使孔的内壁上形成硅量子点，浸泡过后的基板经过旋转基板去除多余的硅量子点溶液；形成硅量子后通过溶胶凝胶法在孔内填充氧化锌凝胶，并热处理使多孔氧化锌的孔被氧化锌封闭，形成硅量子点增强的氧化锌光活性层；所述光活性层上的透明导电氧化物层；以及硅基板另一侧的金属电极。
【技术特征摘要】
1.一种硅量子点增强的氧化锌紫外探测器，其特征在于，包含：硅基板；硅基板上形成一层氢化非晶硅层；所述氢化非晶硅层上形成多孔状氧化锌层，所述孔的孔径范围为50-600μm；所述孔的内壁上通过浸泡包含硅量子点的溶液使孔的内壁上形成硅量子点，浸泡过后的基板经过旋转基板去除多余的硅量子点溶液；形成硅量子后通过溶胶凝胶法在孔内填充氧化锌凝胶，并热处理使多孔氧化锌的孔被氧化锌封闭，形成硅量子点增强的氧化锌光活性层；所述光活性层上的透明导电氧化物层；以及硅基板另一侧的金属电极。2.如权利要求1所述的硅量子点增强的氧化锌紫外探测器，其特征在于，所述溶胶凝胶法填充凝胶的步骤重复三次以上保证多孔氧化锌层被填充。3.如权利要求1所述的硅量子点增强的氧化锌...
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