抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法、产酸剂成分以及化合物技术

通过曝光产生酸、且对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的抗蚀剂组合物，其特征在于，含有对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的基材成分(A)、和通过曝光产生酸的产酸剂成分(B)，产酸剂成分(B)包含通式(b1)所示的化合物(B1)。通式(b1)中，R

Resist composition, resist, pattern forming method, acid producing agent, composition and compound

Produce acid, and resist composition of developering dissolved by acid changed by exposure, which is characterized in that the base material containing dissolved constituents of developering by acid changes (A), and through exposure to acidic acid producing agent (B). Acid composition (B) comprising a compound of general formula (B1) compound shown (B1). General formula (B1), R

【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法、产酸剂成分以及化合物
本专利技术涉及抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法、产酸剂成分以及化合物。本申请基于2015年12月22日在日本提出的、日本特愿2015-250578号要求优先权，将其中内容在此引用。
技术介绍
在平版印刷技术中，例如在基板上形成包含抗蚀剂材料的抗蚀剂膜，对于该抗蚀剂膜，隔着形成有规定图案的掩膜，以光、电子射线等的放射线进行选择性曝光，实施显影处理，由此进行在上述抗蚀剂膜上形成规定形状的抗蚀剂图案的工序。将变化为经曝光的部分溶解于显影液的特性的抗蚀剂材料称为正型抗蚀剂材料，将变化为经曝光的部分在显影液中不溶解的特性的抗蚀剂材料称为负型抗蚀剂材料。近年来，在半导体元件、液晶显示元件的制造中，由于平版印刷技术的进步，图案的细微化得以快速地发展。作为图案的细微化的方法，通常进行曝光光源的短波长化(高能化)。具体而言，以往使用以g射线、i射线为代表的紫外线，但是在现在，开始量产使用了KrF准分子激光、ArF准分子激光的半导体元件。另外，对于波长比这些准分子激光要短的(高能)的电子射线、EUV(超紫外线)、X射线等的研究也在进行。通常的抗蚀剂组合物含有产酸剂，通过由该产酸剂产生的酸的作用，对于显影液的溶解性发生变化。由产酸剂产生的酸的性状对于平版印刷特性产生很大的影响，因此正在进行关于产酸剂的各种研究。例如，专利文献1中公开采用具有特定结构的化合物作为产酸剂的抗蚀剂组合物。另外，专利文献2中公开采用具有芳香族环和磺内酯环的化合物作为产酸剂的抗蚀剂组合物。对于专利文献2所述的抗蚀剂组合物，谋求改善图案形状。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-115386号公报专利文献2：日本特开2013-126968号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题近年来，平版印刷技术的进一步进步、应用领域不断扩大，在制造半导体元件等时，进一步要求可以以良好的形状形成图案宽度的尺寸低于100nm的细微的图案的技术。但是，在使用专利文献1以及专利文献2等中记载的以往的抗蚀剂组合物，而使得平版印刷特性更为良好方面，尚有改善余地。本专利技术是鉴于上述情况而做出的，其课题在于提供平版印刷特性更为优异的抗蚀剂组合物、以及使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案形成方法。用于解决课题的手段本专利技术的第1实施方式是抗蚀剂组合物，其特征在于，是通过曝光而产生酸、且对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物含有对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的基材成分(A)、和通过曝光产生酸的产酸剂成分(B)，上述产酸剂成分(B)包含下述通式(b1)所示的化合物(B1)。[化1][式中，Rb1表示包含极性基团的碳原子数7～30的带桥键的脂环式基团，Yb1表示可具有取代基的碳原子数9以上的直链状烃基，其中该取代基排除选自芳香族烃基和乙烯基的取代基，Vb1表示氟代亚烷基，m为1以上的整数，Mm+表示m价的有机阳离子]。本专利技术的第2实施方式为抗蚀剂图案形成方法，其特征在于，具有以下工序：使用上述第1实施方式所述的抗蚀剂组合物在支承体上形成抗蚀剂膜的工序、将上述抗蚀剂膜曝光的工序、和将上述曝光后的抗蚀剂膜显影而形成抗蚀剂图案的工序。本专利技术的第3实施方式为一种产酸剂成分，其特征在于，包含下述通式(b1)所示的化合物(B1)。[化2][式中，Rb1表示包含极性基团的碳原子数7～30的带桥键的脂环式基团，Yb1表示可具有取代基的碳原子数9以上的直链状烃基，其中该取代基排除选自芳香族烃基和乙烯基的取代基，Vb1表示氟代亚烷基，m为1以上的整数，Mm+表示m价的有机阳离子]。专利技术的第4实施方式为一种化合物，其特征在于，以下述通式(b1)表示。[化3][式中，Rb1表示包含极性基团的碳原子数7～30的带桥键的脂环式基团，Yb1表示可具有取代基的碳原子数9以上的直链状烃基，其中该取代基排除选自芳香族烃基和乙烯基的取代基，Vb1表示氟代亚烷基，m为1以上的整数，Mm+表示m价的有机阳离子]。专利技术效果根据本专利技术，可以提供平版印刷特性更为优异的抗蚀剂组合物、以及使用了该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案形成方法。具体实施方式本说明书和本权利要求中，“脂肪族”是针对芳香族的相对概念，意指不具有芳香族性的基团、化合物等。对于“烷基”，只要没有特别说明，包括直链状、支链状以及环状的1价的饱和烃基。烷氧基中的烷基也是同样的。对于“亚烷基”，只要没有特别说明，包括直链状、支链状以及环状的2价的饱和烃基。“卤代烷基”是烷基的氢原子的一部分或全部被卤素原子取代的基团，作为该卤素原子，可以列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。“氟代烷基”或“氟代亚烷基”是指烷基或亚烷基的氢原子的一部分或全部被氟原子取代的基团。“构成单元”意指构成高分子化合物(树脂、聚合物、共聚物)的单体单元(单体单元)。记载为“可具有取代基”的情况下，包括氢原子(-H)被1价的基团取代的情况、和亚甲基(-CH2-)被2价的基团取代的情况这两者。“曝光”的概念是包括全部的放射线照射在内。“由丙烯酸酯衍生的构成单元”意指丙烯酸酯的烯属双键开裂而构成的构成单元。“丙烯酸酯”是丙烯酸(CH2＝CH-COOH)的羧基末端的氢原子被有机基团取代的化合物。对于丙烯酸酯，键合于α位的碳原子上的氢原子可以被取代基取代。将键合于该α位的碳原子上的氢原子取代的取代基(Rα0)可以是氢原子以外的原子或基团，例如可以列举碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的卤代烷基等。另外，还包括取代基(Rα0)被包含酯键的取代基取代了的衣康酸二酯、取代基(Rα0)被羟基烷基或将其羟基修饰后的基团取代的α羟基丙烯酸酯。需要说明的是，对于丙烯酸酯的α位的碳原子，只要没有特别说明，是丙烯酸的羰基所键合的碳原子。以下，有时将键合于α位的碳原子上的氢原子被取代基取代的丙烯酸酯称为α取代丙烯酸酯。另外，有时将丙烯酸酯和α取代丙烯酸酯统称为“(α取代)丙烯酸酯”。“由丙烯酰胺衍生的构成单元”意指丙烯酰胺的烯属双键开裂而构成的构成单元。对于丙烯酰胺，键合于α位的碳原子上的氢原子可以被取代基取代，丙烯酰胺的氨基的氢原子的一者或两者可以被取代基取代。需要说明的是，对于丙烯酰胺的α位的碳原子，只要没有特别说明，是丙烯酰胺的羰基所键合的碳原子。作为将丙烯酰胺的键合于α位的碳原子上的氢原子取代的取代基，可以列举上述α取代丙烯酸酯中，与作为α位的取代基而列举的基团(取代基(Rα0))相同的基团。“由羟基苯乙烯或者羟基苯乙烯衍生物衍生的构成单元”意指羟基苯乙烯或者羟基苯乙烯衍生物的烯属双键开裂而构成的构成单元。“羟基苯乙烯衍生物”的概念是包括羟基苯乙烯的α位的氢原子被取代为烷基、卤代烷基等的其他取代基的化合物、以及它们的衍生物。作为它们的衍生物，可以列举：α位的氢原子可以被取代基取代的、羟基苯乙烯的羟基的氢原子被有机基团取代了的化合物；α位的氢原子可以被取代基取代的、羟基苯乙烯的苯环上键合有除羟基以外的取代基的化合物等。需要说明的是，对于α位(α位的碳原子)，只要没有特别说明，是指苯环所键合的碳原子。作为将羟基苯乙烯的α位的氢原子取代的取代基，可以列举在上述α取代丙烯酸酯中，与作为α位的取代基所列举的取代基相同的基团。“由乙烯基苯甲酸或者乙烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂组合物，其特征在于，是通过曝光而产生酸、且对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物含有对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的基材成分(A)、和通过曝光产生酸的产酸剂成分(B)，所述产酸剂成分(B)包含下述通式(b1)所示的化合物(B1)，

【技术特征摘要】
2015.12.22 JP 2015-2505781.一种抗蚀剂组合物，其特征在于，是通过曝光而产生酸、且对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物含有对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的基材成分(A)、和通过曝光产生酸的产酸剂成分(B)，所述产酸剂成分(B)包含下述通式(b1)所示的化合物(B1)，式(b1)中，Rb1表示包含极性基团的碳原子数7～30的带桥键的脂环式基团，Yb1表示具有或不具有取代基的碳原子数9以上的直链状烃基，其中该取代基排除选自芳香族烃基和乙烯基的取代基，Vb1表示氟代亚烷基，m为1以上的整数，Mm+表示m价的有机阳离子。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物，其中，所述基材成分(A)含有高分子化合物(A1)，该高分子化合物(A1)具有构成单元(a1)，所述构成单元(a1)包含极性因酸的作用而增大的酸分解性基团。3.根据权利要求2所述的抗蚀剂组合物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：长峰高志，远藤浩太朗，生川智启，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP