抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法、产酸剂成分以及化合物技术

通过曝光产生酸、且对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的抗蚀剂组合物，其特征在于，含有对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的基材成分(A)、和通过曝光产生酸的产酸剂成分(B)，产酸剂成分(B)包含通式(b1)所示的化合物(B1)。通式(b1)中，R

Resist composition, resist, pattern forming method, acid producing agent, composition and compound

Produce acid, and resist composition of developering dissolved by acid changed by exposure, which is characterized in that the base material containing dissolved constituents of developering by acid changes (A), and through exposure to acidic acid producing agent (B). Acid composition (B) comprising a compound of general formula (B1) compound shown (B1). General formula (B1), R

【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法、产酸剂成分以及化合物
本专利技术涉及抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法、产酸剂成分以及化合物。本申请基于2015年12月22日在日本提出的、日本特愿2015-250578号要求优先权，将其中内容在此引用。
技术介绍
在平版印刷技术中，例如在基板上形成包含抗蚀剂材料的抗蚀剂膜，对于该抗蚀剂膜，隔着形成有规定图案的掩膜，以光、电子射线等的放射线进行选择性曝光，实施显影处理，由此进行在上述抗蚀剂膜上形成规定形状的抗蚀剂图案的工序。将变化为经曝光的部分溶解于显影液的特性的抗蚀剂材料称为正型抗蚀剂材料，将变化为经曝光的部分在显影液中不溶解的特性的抗蚀剂材料称为负型抗蚀剂材料。近年来，在半导体元件、液晶显示元件的制造中，由于平版印刷技术的进步，图案的细微化得以快速地发展。作为图案的细微化的方法，通常进行曝光光源的短波长化(高能化)。具体而言，以往使用以g射线、i射线为代表的紫外线，但是在现在，开始量产使用了KrF准分子激光、ArF准分子激光的半导体元件。另外，对于波长比这些准分子激光要短的(高能)的电子射线、EUV(超紫外线)、X射线等的研究也在进行。通常的抗蚀剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂组合物，其特征在于，是通过曝光而产生酸、且对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物含有对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的基材成分(A)、和通过曝光产生酸的产酸剂成分(B)，所述产酸剂成分(B)包含下述通式(b1)所示的化合物(B1)，

【技术特征摘要】
2015.12.22 JP 2015-2505781.一种抗蚀剂组合物，其特征在于，是通过曝光而产生酸、且对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物含有对显影液的溶解性因酸的作用而发生变化的基材成分(A)、和通过曝光产生酸的产酸剂成分(B)，所述产酸剂成分(B)包含下述通式(b1)所示的化合物(B1)，式(b1)中，Rb1表示包含极性基团的碳原子数7～30的带桥键的脂环式基团，Yb1表示具有或不具有取代基的碳原子数9以上的直链状烃基，其中该取代基排除选自芳香族烃基和乙烯基的取代基，Vb1表示氟代亚烷基，m为1以上的整数，Mm+表示m价的有机阳离子。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物，其中，所述基材成分(A)含有高分子化合物(A1)，该高分子化合物(A1)具有构成单元(a1)，所述构成单元(a1)包含极性因酸的作用而增大的酸分解性基团。3.根据权利要求2所述的抗蚀剂组合物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：长峰高志，远藤浩太朗，生川智启，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP