一种Ti3C2Tx/氧化石墨烯/Celgard复合隔膜制造技术

本发明专利技术提供一种Ti3C2Tx/氧化石墨烯/Celgard复合隔膜，包括Celgard隔膜和其表面的 Ti3C2Tx/氧化石墨烯层组成，所述的Ti3C2Tx/氧化石墨烯层的厚度为1～10μm，所述的Ti3C2Tx/氧化石墨烯层中Ti3C2Tx与氧化石墨烯的质量比为1：0.2‑1。Ti3C2Tx/氧化石墨烯层中的Ti3C2Tx上的T为‑F基团或 ‑OH基团，与氧化石墨烯表面的氧均为强极性基团，能对充放电过程中形成的多硫化物形成强烈的化学吸附，能有效的阻止多硫化物穿过隔膜到达负极，减少飞梭效应的发生，提高锂硫电池的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种Ti3C2Tx/氧化石墨烯/Celgard复合隔膜
本专利技术涉及锂硫电池领域，特别涉及一种锂硫电池隔膜的制备方法。
技术介绍
锂硫电池是以金属锂为负极，单质硫为正极的电池体系。锂硫电池的具有两个放电平台（约为2.4V和2.1V），但其电化学反应机理比较复杂。锂硫电池具有比能量高（2600Wh/kg）、比容量高（1675mAh/g）、成本低等优点，被认为是很有发展前景的新一代电池。但是目前其存在着活性物质利用率低、循环寿命低和安全性差等问题，这严重制约着锂硫电池的发展。造成上述问题的主要原因有以下几个方面：（1）单质硫是电子和离子绝缘体，室温电导率低（5×10-30S·cm-1），由于没有离子态的硫存在，因而作为正极材料活化困难；（2）在电极反应过程中产生的高聚态多硫化锂Li2Sn（8＞n≥4）易溶于电解液中，在正负极之间形成浓度差，在浓度梯度的作用下迁移到负极，高聚态多硫化锂被金属锂还原成低聚态多硫化锂。随着以上反应的进行，低聚态多硫化锂在负极聚集，最终在两电极之间形成浓度差，又迁移到正极被氧化成高聚态多硫化锂。这种现象被称为飞梭效应，降低了硫活性物质的利用率。同时不溶性的Li本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ti3C2Tx/氧化石墨烯/Celgard复合隔膜，包括Celgard隔膜和其表面的 Ti3C2Tx/氧化石墨烯层组成，所述的Ti3C2Tx/氧化石墨烯层的厚度为1～10μm，所述的Ti3C2Tx/氧化石墨烯层中Ti3C2Tx与氧化石墨烯的质量比为1：0.2‑1。

【技术特征摘要】
1.一种Ti3C2Tx/氧化石墨烯/Celgard复合隔膜，包括Celgard隔膜和其表面的Ti3C2Tx/氧化石墨烯层组成，所述的Ti3C2Tx/氧化石墨烯层的厚度为1～10μm，所述的Ti3C2Tx/氧化石墨烯层中Ti3C2Tx与氧化石墨烯的质量比为1：0.2-1。2.一种如权利要求1所述的Ti3C2Tx/氧化石墨烯/Celgard复合隔膜的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤：步骤（1）将Ti3AlC2陶瓷粉末放入氢氟酸中腐蚀，腐蚀后溶液加入去离子水进行离心处理，然后将沉淀物烘干，得到堆垛的层片状Ti3C2Tx粉体；步骤（2）将氧化石墨和Ti3C2Tx粉体加入到...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟玲珑，
申请(专利权)人：深圳市佩成科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：广东,44