【技术实现步骤摘要】
一种检验NandFlash质量的方法及系统
本专利技术涉及NandFlash质量检验领域,特别涉及一种检验NandFlash质量的方法及系统。
技术介绍
现在绝大多数数码产品都会用到存储设备,在数码产品越来越广泛的情况下,存储设备的稳定性和安全性是保证了数码产品数据的正确性和系统的稳定性的重要因素。但是,在生产过程中难免会产生不稳定或不安全的存储设备。所以,找出存储设备NandFlash的不稳定的因素,在存储设备NandFlash投入到下一步制造流程前,对存储设备进行精确的检验,并将检验结果准确的反馈给数码设备,是使数码设备使用更稳定,寿命更长的一种有效方式。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:准确的判断NandFlash的质量情况。校验NandFlash内的内存块的每一页对应的冗余信息,获得校验不合格的内存块的编号;根据所述校验不合格的内存块的编号创建原始坏块表;存储预设第一数据至所述内存块;读取所述内存块内数据得到第二数据;将所述第一数据与所述第二数据比对,获得比对不同的内存块的编号;根据所述比对不同的内存块的编号创建最终坏块表;若所述最终坏块表内的内 ...
【技术保护点】
一种检验Nand Flash质量的方法,其特征在于,包括:S1、校验Nand Flash内的内存块的每一页对应的冗余信息,获得校验不合格的内存块的编号;S2、根据所述校验不合格的内存块的编号创建原始坏块表;S3、存储预设第一数据至所述内存块;S4、读取所述内存块内数据得到第二数据;S5、将所述第一数据与所述第二数据比对,获得比对不同的内存块的编号;S6、根据所述比对不同的内存块的编号创建最终坏块表;S7、若所述最终坏块表内的内存块的编号与所述原始坏块表内记录的内存块的编号不同,则确定所述Nand Flash为不合格。
【技术特征摘要】
1.一种检验NandFlash质量的方法,其特征在于,包括:S1、校验NandFlash内的内存块的每一页对应的冗余信息,获得校验不合格的内存块的编号;S2、根据所述校验不合格的内存块的编号创建原始坏块表;S3、存储预设第一数据至所述内存块;S4、读取所述内存块内数据得到第二数据;S5、将所述第一数据与所述第二数据比对,获得比对不同的内存块的编号;S6、根据所述比对不同的内存块的编号创建最终坏块表;S7、若所述最终坏块表内的内存块的编号与所述原始坏块表内记录的内存块的编号不同,则确定所述NandFlash为不合格。2.根据权利要求1所述一种检验NandFlash质量的方法,其特征在于,还包括:为所述内存块的每一页的预设位置设置冗余信息。3.根据权利要求1所述一种检验NandFlash质量的方法,其特征在于,所述S3之前,还包括:擦除所述内存块的数据。4.根据权利要求1所述一种检验NandFlash质量的方法,其特征在于,还包括:存储所述原始坏块表、最终坏块表至所述NandFlash内的内存块。5.根据权利要求1所述一种检验NandFlash质量的方法,其特征在于,还包括:为所述内存块划分预设个数页。6.一种检验NandFlash质量的系统,其特征在于,包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙成思,孙日欣,李振华,叶欣,
申请(专利权)人:惠州佰维存储科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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