一种紫外透明导电薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种氧化铟基透明导电薄膜及其制备方法，该氧化铟基透明导电薄膜包括基底材料、氧化铟籽晶层和氧化铟主体层；所述氧化铟籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化铟主体层附着在氧化铟籽晶层的表面。其通过金属有机化学气相沉积的方式制备，以有机金属三甲基铟作为铟源、高纯氧气作为氧源，四(二甲氨基)锡作为掺杂源制备获得。本发明专利技术的氧化铟基透明导电薄膜厚度为20nm～1μm，电阻率小于5×10

Ultraviolet transparent conductive film and manufacturing method thereof

The invention provides an indium oxide based transparent conductive film and a preparation method thereof, the indium oxide based transparent conductive film comprises a substrate material, indium oxide seed layer and the main body of the indium oxide; indium oxide seed layer attached on the surface of the substrate material, the indium oxide body layer attached on the surface of indium oxide. Crystal layer. The method is prepared by metal organic chemical vapor deposition, and organic metal three indium indium is used as an indium source, high-purity oxygen is used as an oxygen source, and four (two amino) tin is used as a doping source to obtain. The indium oxide based transparent conductive film of the present invention has a thickness of 20nm to 1 mu m, and the resistivity is less than 5 * 10

【技术实现步骤摘要】
一种紫外透明导电薄膜及其制造方法
本专利技术设计半导体
，具体涉及一种透明导电薄膜及制造方法，特别涉及一种紫外透明导电薄膜及其制造方法。
技术介绍
传统透明导电薄膜具有较高的可见光透过率和接近金属的导电性而被广泛应用于平板显示、太阳能电池、发光器件、光电探测器等领域，应用前景广阔。目前，随着紫外光电器件的迅速发展，正迫切需要一种紫外透明导电薄膜作为紫外光电器件的透明电极，而传统透明导电薄膜却往往难以透过波长小于300nm的紫外光。因此，如何将透明导电薄膜的光谱透射区域扩展到深紫外光是透明导电薄膜研究和应用的一个重要难题。掺杂氧化铟，特别是锡掺杂氧化铟(IndiumTinOxide,ITO)，具有透光率高、导电性好、耐磨性好、化学稳定性高、衬底附着性强及硬度较高等优点，是目前使用最广泛，工艺最成熟的透明导电薄膜。早在1986年，I.Hamberg等人在JournalofAppliedPhysic上报道了氧化铟薄膜由于掺杂引起获得约0.6eV的光学带隙展宽，可以获得～4.3eV的光学带隙(文献：HambergI,GranqvistCG."EvaporatedSn‐dopedIn2O本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化铟基透明导电薄膜，其特征在于，该氧化铟基透明导电薄膜包括基底材料、氧化铟籽晶层和氧化铟主体层；所述氧化铟籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化铟主体层附着在氧化铟籽晶层的表面；所述氧化铟基透明导电薄膜的电阻率小于5×10

【技术特征摘要】
2016.08.17 CN 20161068366751.一种氧化铟基透明导电薄膜，其特征在于，该氧化铟基透明导电薄膜包括基底材料、氧化铟籽晶层和氧化铟主体层；所述氧化铟籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化铟主体层附着在氧化铟籽晶层的表面；所述氧化铟基透明导电薄膜的电阻率小于5×10-4Ω·cm；所述氧化铟基透明导电薄膜具有4.1～4.7eV的光学带隙；所述氧化铟基透明导电薄膜厚度为20nm～1μm；所述氧化铟基透明导电薄膜在300nm处的透过率大于50％。2.根据权利要求1所述的氧化铟基透明导电薄膜，其特征在于，所述氧化铟基透明导电薄膜的掺杂源为锡，锡与铟的原子数量比例为1：100～1:4。3.根据权利要求1所述的氧化铟基透明导电薄膜，其特征在于，所述氧化铟基透明导电薄膜采用MOCVD外延生长的方法获得。4.根据权利要求1-3任一项所述氧化铟基透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：1)生长基底预处理：对生长基底材料的表面进行化学清洗和炉内高温处理；2)氧化铟籽晶层生长：基底材料上生长出预期晶粒取向的氧化铟籽晶薄层；3)氧化铟主体层生长...

【专利技术属性】
技术研发人员：王钢，卓毅，陈梓敏，范冰丰，马学进，李健，
申请(专利权)人：佛山市中山大学研究院，中山大学，
类型：发明
国别省市：广东,44