一种高频高倍场效应管驱动电路制造技术

本实用新型专利技术是一种高频高倍场效应管驱动电路，由电阻、电容、二极管和变压器组成，电阻R1左端与驱动信号相连；R1右端与三极管V1基极相连；V1集电极与电容C1和C2的上端及电源VCC1相连；电容C1和C2的下端接地；V1发射极、电阻R2上端和变压器T1原边绕组上端相连；R2下端、T1原边绕组下端相连接地；T1副边绕组上端与电阻R3左端相连；R3右端与三极管V2基极相连；V2集电极、三极管V3集电极和电源VCC2相连；V2发射极、电阻R4上端和电阻R5左端相连；R5右端与V3基极相连；V3发射极、电阻R6上端、电容C3的上端和场效应管的栅极g相连；T1副边绕组的下端、R4下端、R6下端、C3下端与场效应管的源极s相连。本实用新型专利技术提高了驱动电路的放大能力，降低了分布电感和高频趋肤效应，提高了场效应管开通和关断的速度。

【技术实现步骤摘要】
一种高频高倍场效应管驱动电路
本技术是一种高频高倍场效应管驱动电路。尤其是信号传输频率和放大倍数均比较高的场效应管驱动电路。
技术介绍
在现有技术中，场效应管的驱动电路在使用三极管进行驱动信号放大时常常会因为单个三极管的放大倍数较低无法让场效应管做到快速开通和关断，尤其是三级管容易饱和，饱和后驱动电路放大能力变差，所以场效应管无法做到快速开通和关断；高频环境下，驱动电路中的起隔离作用的变压器，由于电路存在分布电感、高频趋肤效应及各种分布参数的共同影响，变压器的输出和原始输入的脉冲之间会存在很大的信号延迟和信号畸变，因此在高频环境下，传统的变压器不能达到驱动和隔离的要求；现有产品已经不能满足要求。因此，探索高频传输速率和放大倍数均较高的场效应管驱动电路成为了新开发产品中的一个必须解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的就是针对上述问题，提出一种高频高倍场效应管驱动电路，这种电路能使导线的分布电感、高频趋肤效应及各种分布参数减到最小，提升其信号传输速率，低失真，提高场效应管开通和关断速度，以此克服现有技术的不足。本技术提出的这种高频高倍场效应管驱动电路，由电阻、电容、二极管和变压器组成，其特征在于电阻R1左端与驱动信号相连；R1右端与三极管V1基极相连；V1集电极与电容C1和C2的上端及电源VCC1相连；电容C1和C2的下端接地；V1发射极、电阻R2上端和变压器T1原边绕组上端相连；R2下端、T1原边绕组下端相连接地；T1副边绕组上端与电阻R3左端相连；R3右端与三极管V2基极相连；V2集电极、三极管V3集电极和电源VCC2相连；V2发射极、电阻R4上端和电阻R5左端相连；R5右端与V3基极相连；V3发射极、电阻R6上端、电容C3的上端和场效应管的栅极g相连；T1副边绕组的下端、R4下端、R6下端、C3下端与场效应管的源极s相连。所述三极管V1和V2为NPN型管，它们共同构成达林顿管，使驱动电路的放大倍数提高。所述各元器件间的全部连接线为线径0.03-0.08毫米的高强度漆包线。所述隔离变压器绕组采用线径0.03-0.08毫米的高强度漆包线绕制，并且为双线并绕，隔离变压器采用高频磁环。这就使导线的分布电感、高频趋肤效应及各种分布参数减到最小。本技术用全分立器件组成场效应管驱动电路，利用达林顿管提高驱动电路的放大能力，利用射极跟随器跟随驱动信号，所有连线均采用双线并绕的方法，包括隔离变压器亦采用双线并绕的方法绕制，使导线的分布电感、高频趋肤效应及各种分布参数减到最小且信号失真度低，从而大幅提升了其信号传输的速率。分析测试表明表明，采用双线并绕的方法，可以使导线的分布电感、导线的高频趋肤效应及各种分布参数功率减到最小，从而大幅提升了其信号传输的速率；采用达林顿管后驱动电路放大倍数较高，驱动场效应管开通和关断的时间均是纳秒量级。附图说明图1是是本技术的电路结构图。图1中，电容C3的上端为本技术一种高频高倍场效应管驱动电路的输出端，与场效应管的栅极g相连；变压器T1副边绕组的下端、电阻R4的下端、电阻R6的下端、电容C3的下端与场效应管的源极s相连；三极管V2和V3的连接方式为驱动电路的核心部分，三极管V2和V3的连接方式构成达林顿管。具体实施方式如图1所示，本技术中三极管、二极管规格、电阻的大小等参数的计算与现有技术完全相同，属成熟技术故不再作论述。本技术与现有技术的不同是首先全部连接线包括隔离变压器均采用线径0.03-0.08毫米的高强度漆包线绕制，并且使用的是双线并绕的方式；使用射极跟随器对驱动信号进行跟随，然后变压器进行信号隔离，使用达林顿管改进驱动电路放大能力。图中所示的各元器件间的连接关系具体如下：电阻R1的左端与驱动信号相连；电阻R1的右端与三极管V1的基极相连；三极管V1的集电极、电容C1的上端、电容C2的上端和电源VCC1相连；电容C1的下端和电容C2的下端接地；三极管V1的发射极、电阻R2的上端和变压器T1原边绕组的上端相连；电阻R2的下端与变压器T1原边绕组的下端相连接地；变压器T1副边绕组的上端和电阻R3的左端相连；电阻R3的右端与三极管V2的基极相连；三极管V2的集电极、三极管V3的集电极和电源VCC2相连；三极管V2的发射极、电阻R4的上端和电阻R5的左端相连；电阻R5的右端与三极管V3的基极相连；三极管V3的发射极、电阻R6的上端、电容C3的上端、场效应管的栅极g相连；变压器T1副边绕组的下端、电阻R4的下端、电阻R6的下端和电容C3的下端与场效应管的源极s相连。二个NPN型三极管V2和V3构成达林顿管，使驱动电路的放大倍数提高，这样，经射极跟随器跟随驱动信号以及变压器电气隔离后，驱动信号不会失真，再由达林顿管高倍放大驱动信号，使得场效应管快速开通和关断。全部连接线包括隔离变压器均采用线径0.03-0.08毫米的高强度漆包线绕制，隔离变压器磁芯采用高频磁环，并且使用的是双线并绕的方式，这就使导线的分布电感、高频趋肤效应及各种分布参数减到最小。实测表明：采用双线并绕的方法，可以使导线的分布电感、导线的高频趋肤效应及各种分布参数减到最小，从而大幅提升了其信号传输的速率且信号失真度低；采用达林顿管后驱动电路放大倍数较高，在频率1M-2M范围内的方波信号驱动下，驱动场效应管开通和关断的时间均是30ns以内，比普通驱动电路提高两个数量级。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频高倍场效应管驱动电路，由电阻、电容、二极管和变压器组成，其特征在于电阻R1左端与驱动信号相连； R1右端与三极管V1基极相连； V1集电极与电容C1和C2的上端及电源VCC1相连；电容C1和C2的下端接地； V1发射极、电阻R2上端和变压器T1原边绕组上端相连； R2下端、T1原边绕组下端相连接地； T1副边绕组上端与电阻R3左端相连；R3右端与三极管V2基极相连；V2集电极、三极管V3集电极和电源VCC2相连；V2发射极、电阻R4上端和电阻R5左端相连； R5右端与V3基极相连； V3发射极、电阻R6上端、电容C3的上端和场效应管的栅极g相连；T1副边绕组的下端、R4下端、R6下端、C3下端与场效应管的源极s相连。

【技术特征摘要】
1.一种高频高倍场效应管驱动电路，由电阻、电容、二极管和变压器组成，其特征在于电阻R1左端与驱动信号相连；R1右端与三极管V1基极相连；V1集电极与电容C1和C2的上端及电源VCC1相连；电容C1和C2的下端接地；V1发射极、电阻R2上端和变压器T1原边绕组上端相连；R2下端、T1原边绕组下端相连接地；T1副边绕组上端与电阻R3左端相连；R3右端与三极管V2基极相连；V2集电极、三极管V3集电极和电源VCC2相连；V2发射极、电阻R4上端和电阻R5左端相连；R5右端与V3基极相连；V3发射极、电阻R6上端、电容C3的上端...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢鸿龄，牛林，张英争，段志梅，
申请(专利权)人：红河学院，
类型：新型
国别省市：云南,53