一种贴片式LED灯珠结构制造技术

技术编号:15830424 阅读:318 留言:0更新日期:2017-07-16 03:58
本实用新型专利技术公开了一种贴片式LED灯珠结构,包括支架,支架开设有凹坑,所述凹坑的底部设置有焊盘,焊盘上设置有正负极隔离线,正负极隔离线将焊盘划分为居于左侧的负极打线区以及居于右侧的正极打线区,正极打线区内设置有若干LED芯片容置区,每个LED芯片容置区内分别对应设置有第一芯片、第二芯片、第三芯片,负极打线区、第一芯片、第二芯片、第三芯片、正极打线区之间通过金线实现导通,第三芯片平行设置在第一芯片的下方,所述第一芯片和第三芯片之间设置有第二芯片,第二芯片设置在第一芯片和第三芯片的右侧。本实用新型专利技术的有益效果是:芯片之间的距离加大,芯片的温度更加均匀地分布在焊盘,从容降低对发光的影响,从而提升光通量。

【技术实现步骤摘要】
一种贴片式LED灯珠结构
本技术涉及贴片LED灯珠
,特别是涉及一种发光均匀的贴片式LED灯珠结构。
技术介绍
在照明领域,LED光源因具有使用低压电源、能耗少、适用性强、稳定性高、响应时间短、对环境无污染、多色发光等优点,成为新一代主流照明光源。LED作为一种新型的绿色光源产品,必然是未来发展的趋势。现有LED封装技术中的三晶串联的结构,对于国内型号SMD2835的芯片功率是普遍是1W,现有技术中的芯片排列方式如图1所示,支架内设置有负极打线区2和正极打线区9,正极打线区9内以列的方式排列有第一芯片4、第二芯片7和第三芯片8,其中,第一芯片4的一端通过金线3与负极打线区2焊接导通,第一芯片4的另一端通过金线3与第二芯片7的一端焊接导通,第二芯片7的另一端通过金线3与第三芯片8焊接导通,第三芯片8的一端通过金线3与正极打线区9焊接导通。这种结构存在缺陷是:1、由于第一芯片、第二芯片和第三芯片是以列的方式排列的,由于排列的位置比较集聚,现有技术一般采用小尺寸0.2W的芯片,这样的设置,不利于产品光通量的提高;一旦采用大尺寸0.2W的芯片,正极打线区内的排列就变得特别紧凑,芯片排列本文档来自技高网...
一种贴片式LED灯珠结构

【技术保护点】
一种贴片式LED灯珠结构,包括支架(1),所述支架(1)开设有凹坑,所述凹坑的底部设置有焊盘(5),所述凹坑的坑壁覆盖有第一反射层(10),所述焊盘(5)上设置有正负极隔离线(6),所述正负极隔离线(6)将焊盘(5)划分为居于左侧的负极打线区(2)以及居于右侧的正极打线区(9),所述正极打线区(9)内设置有若干LED芯片容置区,所述每个LED芯片容置区内分别对应设置有第一芯片(4)、第二芯片(7)、第三芯片(8),所述LED芯片容置区之外的区域覆盖有第二反射层,所述负极打线区(2)、第一芯片(4)、第二芯片(7)、第三芯片(8)、正极打线区(9)之间通过金线(3)实现导通,其特征在于:所述第三...

【技术特征摘要】
1.一种贴片式LED灯珠结构,包括支架(1),所述支架(1)开设有凹坑,所述凹坑的底部设置有焊盘(5),所述凹坑的坑壁覆盖有第一反射层(10),所述焊盘(5)上设置有正负极隔离线(6),所述正负极隔离线(6)将焊盘(5)划分为居于左侧的负极打线区(2)以及居于右侧的正极打线区(9),所述正极打线区(9)内设置有若干LED芯片容置区,所述每个LED芯片容置区内分别对应设置有第一芯片(4)、第二芯片(7)、第三芯片(8),所述LED芯片容置区之外的区域覆盖有第二反射层,所述负极打线区(2)、第一芯片(4)、第二芯片(7)、第三芯片(8)、正极打线区(9)之间通过金线(3)实现导通,其特征在于:所述第三芯片(8)平行设置在第一芯片(4)的下方,所述第一芯片(4)和第三芯片(8)之间设置有第二芯片(7),所述第二芯片(7)设置在第一芯片(4)和第三芯片(8)的右侧。2.根据权利要求1所述的一种贴片式LED灯珠结构,其特征在于:所述第一芯片(4)与第二芯片(7)上下之间的距离与...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈都叶书娟
申请(专利权)人:东莞市伊伯光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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