一种单相CuO纳米片阵列薄膜及其制备方法技术
Single phase CuO nano chip array film and preparation method thereof
The invention discloses a single-phase CuO nanosheets film and its preparation method, growth in high purity copper surface perpendicular to the substrate and staggered copper oxide arrays by anodic oxidation process, by adding suitable concentration in the electrolyte (NH
【技术实现步骤摘要】
一种单相CuO纳米片阵列薄膜及其制备方法
本专利技术涉及一种单相CuO纳米片阵列薄膜及其制备方法，属于纳米材料制备及应用领域。
技术介绍
金属氧化物是一种重要的材料，在催化领域、电化学储能、光解水等方面有着重要的的地位，将金属氧化物纳米化后，其催化性能、超级电容特性、制氢性能等更加优良。氧化铜(CuO)是一种铜的黑色氧化物，属于过渡族金属氧化物，已经应用于油脂脱硫、抗菌产品、磁性材料、耐火材料、防腐材料等领域。纳米氧化铜还是一种典型的p型窄带隙半导体材料，在电化学传感器、太阳能电池、气敏元件、光催化、超级电容方面获得了广泛关注。纳米氧化物的性能影响因素较多，包括显微形态、结构，比表面积等等，目前应用的氧化铜主要以粉末形态存在，存在作为催化剂时回收困难，作为电极材料必须依靠粘结剂涂敷于基体支撑材料上，需要解决导电性和电子传输等问题。与纳米粉体材料相比，纳米薄膜的各项特性更佳，因此也具有更大应用价值。纳米氧化铜薄膜的构筑方法很多，物理方法有真空热蒸发、磁控溅射、分子束外延等；化学方法有电化学沉积法、水热法、溶胶-凝胶法及电化学阳极氧化法等。其中电化学阳极氧化方法作为稳...
【技术保护点】
一种单相CuO纳米片阵列薄膜，其特征在于：以高纯铜材为基底材料，高纯铜材上垂直生长有CuO纳米片阵列薄膜，CuO纳米片的厚度为10‑30nm，CuO纳米片的长度300‑500nm，CuO纳米片均匀致密生长于基底材料上，呈纳米花状，与基底材料结合牢固。
【技术特征摘要】
1.一种单相CuO纳米片阵列薄膜，其特征在于：以高纯铜材为基底材料，高纯铜材上垂直生长有CuO纳米片阵列薄膜，CuO纳米片的厚度为10-30nm，CuO纳米片的长度300-500nm，CuO纳米片均匀致密生长于基底材料上，呈纳米花状，与基底材料结合牢固。2.根据权利要求1所述的单相CuO纳米片阵列薄膜，其特征在于：所述的高纯铜材的纯度≥99.99％。3.一种单相CuO纳米片阵列薄膜的制备方法，其特征在于：在双电极电化学反应体系中，以高纯铜材作为阳极，以高纯钛片作为阴极，以氢氧化钠、氯化钠、聚乙二醇20000为基础电解液，(NH4)6Mo7O24·4H2O为形貌和相结构控制剂，采用恒电流阳极氧化工艺，制得单相CuO纳米片阵列薄膜。4.根据权利要求3所述的单相CuO纳米片阵列薄膜的制备方法，其特征在于：基础电解液成分为：40-60g/L氢氧化钠、100-150g/L氯化钠、0.5-1.5g/L聚乙二醇20000，(NH4)6Mo7O24·4H2O的添加量为5-60g/L。5.根据权利要求3所述的单相CuO...
【专利技术属性】
技术研发人员：舒霞，吴玉程，王岩，崔接武，徐光青，秦永强，张勇，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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