一种电子元件封装外壳及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种电子元件封装外壳及其制备方法，涉及电子元件领域。电子元件封装外壳的制备方法包括：按照硅原料和铝原料的总质量、含磷变质剂的质量和精炼剂的质量之比为100：1～5：1～5，将硅原料、铝原料、含磷变质剂和精炼剂混合均匀，得到混合物。在1000～1500℃的温度下，将混合物熔为熔体并充分变质后，沉积制成坯锭。将坯锭在800～1000℃的温度和120～140MPa的压力下热等静压处理1～2h后，压模制得。通过使用有机含磷化合物作为含磷变质剂，避免变质剂在促进硅原料变质过程中产生有害气体。

Electronic element packaging shell and preparation method thereof

The invention provides an encapsulation shell of an electronic component and a preparation method thereof, relating to the field of electronic components. Including the preparation method of an electronic device package: according to the weight and phosphorus modification agent and aluminium silicon raw material raw material and refining agent mass ratio of 100:1 ~ 5:1 ~ 5, silicon material, aluminum material, phosphorus modification agent and refining agent mixed to obtain a mixture. In 1000 ~ 1500 DEG C, the mixture is molten melt and fully after deposition of billets made. The billets at 800 to 1000 DEG C and 120 ~ 140MPa under the pressure of hot isostatic pressing 1 ~ 2H after compression molded. The use of organic phosphorus compounds as phosphorus modifying agents prevents spoilage agents from producing harmful gases during the deterioration of silicon raw materials.

【技术实现步骤摘要】
一种电子元件封装外壳及其制备方法
本专利技术涉及电子元件领域，且特别涉及一种电子元件封装外壳及其制备方法。
技术介绍
磷进行变质是迄今为止最常用和有效的解决硅原料细化的方法，采用磷类变质剂不仅可以细化初晶Si，同时还可以使Al-Si合金的共晶点左移，增加初晶Si数量。目前国内外主要应用的磷类变质剂有赤磷、磷盐复合变质剂和Cu-P(含8～10％的P)中间合金等复合变质剂。然而，上述变质剂在使用过程中存在诸多问题：赤磷复合变质剂，由于磷的燃点和升华温度低，运输和保存过程中存在安全隐患；加入过程中反应剧烈，产生有毒五氧化二磷气体，污染环境；磷的吸收率低，且难以控制；经压块后压入熔体，虽反应较平稳，但仍会冒出大量烟气，致使吸收率低，污染大。磷盐复合变质剂，也产生有害气体，环境污染较严重；产生大量反应渣，腐蚀炉衬，增加铝耗；磷的吸收率受工艺条件限制，变质效果不稳定，废品率高。含磷中间合金，如Cu-P-(X)，熔点高，加入后难熔化；密度大，易偏析；不适合静置炉生产(国内生产状况)，仅适合感应炉生产；流程长，能耗高；增加合金中的Cu及P以外其他元素的含量，限制了所用合金的牌号。采用巨毒药品AIP做本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，包括：按照硅原料和铝原料的总质量、含磷变质剂的质量和精炼剂的质量之比为100：1～5：1～5，将所述硅原料、所述铝原料、所述含磷变质剂和所述精炼剂混合均匀，得到混合物，在1000～1500℃的温度下，将所述混合物熔为熔体并充分变质后，沉积制成坯锭，将所述坯锭在800～1000℃的温度和120～140MPa的压力下热等静压处理1～2h后，压模制得。

【技术特征摘要】
1.一种电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，包括：按照硅原料和铝原料的总质量、含磷变质剂的质量和精炼剂的质量之比为100：1～5：1～5，将所述硅原料、所述铝原料、所述含磷变质剂和所述精炼剂混合均匀，得到混合物，在1000～1500℃的温度下，将所述混合物熔为熔体并充分变质后，沉积制成坯锭，将所述坯锭在800～1000℃的温度和120～140MPa的压力下热等静压处理1～2h后，压模制得。2.根据权利要求1所述的电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，所述含磷变质剂选自磷酸单脂和磷酸双脂的混合物。3.根据权利要求2所述的电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，所述磷酸单脂选自C1～10烷基磷酸单脂、环烷基磷酸单脂、杂环烷基磷酸单脂、芳基磷酸单脂和5～6元芳基杂环磷酸单脂中的至少一种。4.根据权利要求2所述的电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，所述磷酸双脂选自C1～10烷基磷酸双脂、环烷基磷酸双脂、...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴忠政，
申请(专利权)人：黄平县阳光科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52