高阻层、触控装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种高阻层、触控装置及其制备方法。其中所述高阻层的材料为三氧化二锑和氧化锡的混合物，所述三氧化二锑和所述氧化锡的质量比为30～60:40～70。本申请通过偶尔试验研究发现，高阻层采用上述新材料，其防静电效果好，抗干扰性能强。用于触控装置具有较好的防静电效果，且其触控灵敏度高。此外高阻层的透光率好，透射率≥99％，用于触控装置具有较好的显示效果。具体的，该高阻层的面电阻为1×10

High resistance layer, touch control device and preparation method thereof

The invention relates to a high resistance layer, a touch control device and a preparation method thereof. Wherein, the material of the high resistance layer is a mixture of three oxidation of two antimony and stannic oxide, and the mass ratio of the three oxidized two antimony and the tin oxide is 30 to 60:40 to 70. The application of the new test shows that the high resistance layer adopts the new material, and the antistatic effect is good, and the anti-interference property is strong. The touch control device has better antistatic effect, and has high touch sensitivity. In the light of the high resistance layer rate, transmittance is more than 99%, for the touch control device has better display quality. Specifically, the surface resistance of the high resistance layer is 1 * 10

【技术实现步骤摘要】
高阻层、触控装置及其制备方法
本专利技术涉及显示器件
，特别是涉及一种高阻层、触控装置及其制备方法。
技术介绍
在内嵌式触摸屏的抗干扰高阻技术研究中存在一对长期困扰研究者的矛盾体，即：高阻层的阻值越大，防静电效果越不明显；高阻层的阻值越小，防静电效果越好；然而高阻层的阻值太小，对内嵌式触摸屏造成干扰越大，进而影响触摸的效果。如此得到既能防静电又能抗干扰的触摸屏十分困难。目前的解决方式是在触控显示层外表面上的偏光片上通过涂布技术涂覆一层防静电抗干扰的透明功能膜，然而该技术目前处于垄断地位，使用该加工方法成本高，效果有待提高。目前国内相关技术属于空白，因此有必要提供一种新的既能防静电又能抗干扰的触控装置及其制备方法。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种新的既能防静电又能抗干扰的高阻层、触控装置及其制备方法。一种高阻层，所述高阻层的材料为三氧化二锑和氧化锡的混合物，所述三氧化二锑和所述氧化锡的质量比为30～60:40～70。本申请通过偶尔试验研究发现，高阻层采用上述新材料，其防静电效果好，抗干扰性能强。用于触控装置具有较好的防静电效果，且其触控灵敏度高。此外高阻层的透光率好，透射率≥99％，用于触控装置具有较好的显示效果。具体的，该高阻层的面电阻为1×107～1×108Ω/cm2。触控装置的触控响应时间为0.15～0.25s。在其中一个实施例中，所述三氧化二锑和所述氧化锡的质量比为38～45:55～62。上述高阻层的制备方法，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上溅射形成所述高阻层；所述溅射的靶材为三氧化二锑和氧化锡的混合物。上述高阻层的制备方法，采用上述靶材溅射得到上述新材料的高阻层，其防静电效果好，抗干扰性能强。用于触控装置具有较好的防静电效果，且其触控灵敏度高。此外高阻层的透光率好，透射率≥99％，用于触控装置具有较好的显示效果。在其中一个实施例中，所述在所述基板上溅射形成所述高阻层的步骤为：通过低温等离子溅射的方式将靶材溅射到所述基板的表面；所述低温等离子溅射的温度为35～45℃，所述低温等离子溅射的真空度为0.2～0.3Pa，所述低温等离子溅射的溅射功率为1.2～1.5KW。在其中一个实施例中，所述低温等离子溅射的溅射气体包括氧气和氩气，其中所述氧气的流量为24～30sccm，所述氩气的流量为1150～1180sccm。一种触控装置，包括触控显示基板、后偏光片、前偏光片、盖板、背光模组和上述高阻层；所述触控显示基板的一侧面依次设有所述高阻层、所述前偏光片和所述盖板，所述触控显示基板的另一侧面依次设有所述后偏光片和所述背光模组。上述触控装置，采用上述新材料的高阻层，该高阻层的防静电效果好，抗干扰性能强，使得触控装置具有较好的防静电效果，且其触控灵敏度高。此外高阻层的透光率好，透射率≥99％，用于触控装置具有较好的显示效果。具体的，该高阻层的面电阻为1×107～1×108Ω/cm2。触控装置的触控响应时间为0.15～0.25s。在其中一个实施例中，所述高阻层的厚度为20～100nm。在其中一个实施例中，所述触控显示基板包括两层导电基板以及封装在所述两层导电基板之间的触控显示模块。一种触控装置的制备方法，包括以下步骤：提供触控显示基板；在所述触控显示基板的一侧面溅射形成上述高阻层，所述溅射的靶材为三氧化二锑和氧化锡的混合物；在所述高阻层上依次形成前偏光片和盖板，在所述触控显示基板的另一侧面依次形成后偏光片和背光模组，得到所述触控装置。上述触控装置，采用上述新材料的高阻层，该高阻层的防静电效果好，抗干扰性能强。得到的触控装置具有较好的防静电效果，且其触控灵敏度高。此外高阻层的透光率好，透射率≥99％，用于触控装置具有较好的显示效果。具体的，该高阻层的面电阻为1×107～1×108Ω/cm2。触控装置的触控响应时间为0.15～0.25s。在其中一个实施例中，所述触控显示基板包括两层导电基板以及封装在所述两层导电基板之间的触控显示模块，所述两层导电基板靠近边缘的位置通过两种不同粘度的UV胶粘接，同一位置先通过粘度较大的UV胶粘接，再通过粘度较小的UV胶粘接。附图说明图1为一实施例的触控装置的结构示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。参照图1，一实施例的触控装置10，包括触控显示基板11、高阻层12、后偏光片13、前偏光片14、盖板15及背光模组16。具体的，触控显示基板11包括两层导电基板111以及封装在两层导电基板111之间的触控显示模块113。具体在本实施例中，触控显示基板11为TFT(ThinFilmTransistor，即薄膜场效应晶体管)液晶显示基板，其中触控显示模块113含有液晶分子和线路。具体的，两层导电基板111的周缘通过两种不同粘度的UV胶(即又称光敏胶、紫外光固化胶)粘接密封，同一位置先通过粘度较大的UV胶粘接，再通过粘度较小的UV胶粘接。为了防止触控显示基板11清洗时进水以及处于真空环境时大气压差的影响，需要保证两层导电基板111之间封装的密合性。由于UV胶的粘度影响渗胶的速度，进而影响两导电基板111之间的密合性和产品的良率；渗胶过量或渗胶不足都会导致两导电基板111之间封装的触控显示模块113的线路受损。如此采用两种不同粘度的UV胶交错使用，可使粘度较大的UV胶保证粘接强度，粘度较小的UV胶增强流动性，以使其渗透到粘度较大的UV胶未渗透的位置，进而保证封装的密合性。如此相比采用单一的UV胶，该方法有效减小了UV胶的使用量，进而减少了渗胶的现象，从而在一定程度上减少了后续除胶的步骤。更优选的，所述粘度较大的UV胶的粘度为2000～3000cps，所述粘度较小的UV胶的粘度为800～1200cps。如先使用一种粘度为2500cps的UV胶渗透粘接，然后再用一种粘度为1000cps的UV胶渗透粘接，这样即可以填补缝隙保证密封性。优选的，UV胶的型号为乐泰3493或JS-125。更具体的，UV胶渗入到导电基板111内的距离为5～8mm。更具体的，采用注射法点胶，即将UV胶注射到两层导电基板111的缝隙中。更具体的，所述粘度较大的UV胶的注射压力为0.5～0.6MPa，所述粘度较小的UC胶的注射压力为0.3MPa。更具体的，导电基板111为导电玻璃。具体在本实施例中，触控显示基板11的一侧面依次设有高阻层12、前偏光片14和盖板15。具体的，高阻层12形成于触控显示基板11中导电玻璃111的表面上。可以理解，在其他实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高阻层，其特征在于，所述高阻层的材料为三氧化二锑和氧化锡的混合物，所述三氧化二锑和所述氧化锡的质量比为30～60:40～70。

【技术特征摘要】
1.一种高阻层，其特征在于，所述高阻层的材料为三氧化二锑和氧化锡的混合物，所述三氧化二锑和所述氧化锡的质量比为30～60:40～70。2.如权利要求1所述的高阻层，其特征在于，所述三氧化二锑和所述氧化锡的质量比为38～45:55～62。3.如权利要求1或2所述的高阻层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上溅射形成所述高阻层；所述溅射的靶材为三氧化二锑和氧化锡的混合物。4.如权利要求3所述的高阻层的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上溅射形成所述高阻层的步骤为：通过低温等离子溅射的方式将靶材溅射到所述基板的表面；所述低温等离子溅射的温度为35～45℃，所述低温等离子溅射的真空度为0.2～0.3Pa，所述低温等离子溅射的溅射功率为1.2～1.5KW。5.如权利要求4所述的高阻层的制备方法，其特征在于，所述低温等离子溅射的溅射气体包括氧气和氩气，其中所述氧气的流量为24～30sccm，所述氩气的流量为1150～1180sccm。6.一种触控装置，其特征在于，包括触控显示基板、后偏光片、前偏光片、盖板、...

【专利技术属性】
技术研发人员：易伟华，张迅，周慧蓉，张伯伦，
申请(专利权)人：江西沃格光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36