A high flow capacity of the high gradient varistor Zinc Oxide high resistance layer preparation method, including the body, the high resistance layer, the high resistance layer is wrapped in the body outside the high resistance layer including ZnO, Fe2O3, Bi2O3 formula, Sb2O3, SiO2, MnO2, Li2CO3, Ni2O3, the the body is Zinc Oxide varistor body, the body of the formula Fe2O3, Bi2O3, ZnO, Sb2O3, SiO2, MnO2, Li2CO3, Ni2O3. The utility model has the advantages that the mechanical strength of the pressure sensitive resistor is increased, the crack and the flashover phenomenon are prevented, the insulating strength of the surface of the varistor body is increased, and the flow area of the body is not affected.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元件领域,特别是一种高通流容量的高梯度氧化锌压敏电阻高阻层制备方法。
技术介绍
通过生产实践总结出高阻层对电阻片的各种性能有着直接的影响,尤其对电阻片的残压比、方波容量和大电流的影响最为显著。在国标GB11032-2010《交流无间隙金属氧化物避雷器》中,对标称放电电流分别为5kA和10kA的避雷器,要求具有承受两次4/10μs大电流冲击耐受的能力,冲击电流峰值分别要求为65kA和100KA。高性能的氧化锌避雷器中氧化锌压敏电阻的电压梯度E1mA被提高,缩短了压敏电阻片两电极间的距离。在氧化锌压敏电阻的电流反转区,随着冲击电流幅值的增大,在电极半径保持不变的情况下,电极边缘的电流集中程度就越高,最终导致了压敏电阻阀片边缘的损坏。在配方开发过程中,测试样品在冲击电流幅值5kA,冲击电流波形8/20μs下的残余电压时,也频现电阻片圆周边缘的闪络现象。针对新开发压敏电阻配方制作的ZnO压敏电阻阀片,适当提高侧面的绝缘水平,防止ZnO压敏电阻阀片的侧面闪络,是充分发挥压敏电阻阀片性能的辅助措施之一,也是研制、生产高性能氧化锌阀片的关键之一。目前,普遍采用增加ZnO压敏电阻侧面圆周上的电阻值,改变压敏电阻上下表面电极边缘电流分布的方式。在工业应用中ZnO压敏电阻片的侧面圆周涂覆一种电阻值极高的绝缘材料,这种绝缘材料是一种由无机绝缘材料和有机结合剂以及相应的溶剂混合而成的浆料。在氧化锌压敏电阻坯体排结合剂完成后,涂覆在压敏电阻的侧面圆周,在烧结炉中与压敏电阻本体一同烧结成一体的高阻值绝缘材料,又称高阻层。氧化锌压敏电阻侧面高阻绝缘层受到浆料配制成份 ...
【技术保护点】
一种高通流容量的高梯度氧化锌压敏电阻高阻层制备方法,包括坯体、高阻层,所述高阻层包裹于所述坯体外侧,其特征在于,所述高阻层配方包括ZnO、Fe2O3、Bi2O3、Sb2O3、SiO2、MnO2、Li2CO3、Ni2O3,所述坯体为氧化锌压敏电阻坯体,所述坯体的配方包括ZnO、Fe2O3、Bi2O3、Sb2O3、SiO2、MnO2、Li2CO3、Ni2O3。
【技术特征摘要】
1.一种高通流容量的高梯度氧化锌压敏电阻高阻层制备方法,包括坯体、高阻层,所述高阻层包裹于所述坯体外侧,其特征在于,所述高阻层配方包括ZnO、Fe2O3、Bi2O3、Sb2O3、SiO2、MnO2、Li2CO3、Ni2O3,所述坯体为氧化锌压敏电阻坯体,所述坯体的配方包括ZnO、Fe2O3、Bi2O3、Sb2O3、SiO2、MnO2、Li2CO3、Ni2O3。2.根据权利要求1中所述的高通流容量的高梯度氧化锌压敏电阻高阻层制备方法,其特征在于,所述高阻层配方中各成分的摩尔百分份数为ZnO-47.3份、Fe2O3-2份、Bi2O3-16份、Sb2O3-7份、SiO2-25份、MnO2-2份、Li2CO3-0.2份、Ni2O3--0.5份。3.一种高通流容量的高梯度氧化锌压敏电阻高阻层制备方法,其特征在于,包括制浆步骤、涂覆步骤、烧结步骤、后续加工步骤,所述制浆步骤、涂覆步骤、烧结步骤、后续加工步骤依次进行。4.根据权利要求3中所述的高通流容量的高梯度氧化锌压敏电阻高阻层制备方法,其特征在于,所述制浆步骤中,将ZnO、Fe2O3、Bi2O3、Sb2O3、SiO2、MnO2、Li2CO...
【专利技术属性】
技术研发人员:何金良,孟鹏飞,胡军,谢清云,蒙小记,胡小定,王锋,
申请(专利权)人:清华大学,西安西电避雷器有限责任公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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