一种新型倒装LED光源制造技术

本实用新型专利技术涉及领域半导体发光器件领域，尤其涉及了一种新型倒装LED光源，包括P‑N电极外延片和基板，P‑N电极外延片包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上形成的N‑GaN层，N‑GaN层上形成的发光层和发光层上形成的P‑GaN层，所述P‑GaN层上和N‑GaN层上分别引出P电极和N电极，所述基板上围绕所述P‑N电极外延片部位设有反射槽，所述反射槽内均匀涂覆反射层。本实用新型专利技术提供的一种新型倒装LED光源，通过设置反射槽，将P‑N电极外延片侧面散射出来的光反射至蓝宝石衬底发出，提高了出光效率，并且不会影响LED芯片的散热效率。

【技术实现步骤摘要】
一种新型倒装LED光源
本技术涉及领域半导体发光器件领域，尤其涉及了一种新型倒装LED光源。
技术介绍
LED芯片倒装是近年来出现了较为先进的倒装芯片技术，这是一种理想的芯片粘接技术，现有技术中的倒装式LED基本上均为平面结构，这种结构的倒装式LED存在这样的缺点，即倒装的LED的PN结在正面、侧面、底面上均会发光，但是由于侧面及底面发出的光被散射出去，因而没有被充分利用，造成LED的发光效率较低，使得正面出光的强度降低。中国专利授权公告号为CN205092266U，授权公告日为2016年03月16日，公开了一种倒装LED芯片，包括从上方及周侧包围P型GaN层的反射镜，以将多量子阱有源区发出的光全部反射到衬底，虽然此结构提高了LED芯片的发光效率，但同时也使LED芯片的散热变差，散热问题将更加严重。
技术实现思路
本技术针对现有技术中的上述缺点，提供了一种新型倒装LED光源，将侧面和底面散射出来的光反射至衬底层发出，增大了出光效率，并且技术实现简单，不影响LED芯片的散热。为了解决上述技术问题，本技术通过下述技术方案得以解决：一种新型倒装LED光源，包括P-N电极外延片和基板，P-N电极外延片包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上形成的N-GaN层，N-GaN层上形成的发光层和发光层上形成的P-GaN层，所述P-GaN层上和N-GaN层上分别引出P电极和N电极，所述基板上围绕所述P-N电极外延片部位设有反射槽，所述反射槽内均匀涂覆反射层。作为优选，所述反射槽横截面为三角形，反射槽两边相交呈90度,反射槽两边分别与基板相交呈45度，通过设置三角形反射槽，能将外延片侧面散出的光一部分反射出，经过蓝宝石衬底射出，同时将反射槽的开口设置为正对上方，能收集到更多的散射光。作为优选，所述反射槽横截面为半圆形，所述半圆形横截面的半径为5um-7um，设置半圆形反射槽，使接收散射光的面积更大，增加了出光效率。作为优选，所述反射层为白色硅胶层或者钛铝合金反射层。使用白色硅胶或者钛铝合金作为反射层，能提高光的反射率。作为优选，所述反射层的厚度为0.1um-0.3um。控制反射层的厚度在0.3um内，避免因为反射层的设置影响此处的电阻值，致使此处产生热量堆积，影响芯片的长期使用。本技术由于采用了上述技术方案，具有的技术效果：本技术提供的一种新型倒装LED光源，通过设置反射槽，将P-N电极外延片侧面散射出来的光反射至蓝宝石衬底发出，提高了出光效率，并且不会影响LED芯片的散热效率。附图说明图1是本技术的实施例的结构示意图；图2是本技术的另一实施例结构示意图。图中：基板1、N电极2、P电极3、P-GaN层4、发光层5、N-GaN层6、蓝宝石衬底7、反射层8、反射槽9。具体实施方式下面结合附图与实施例对本技术作进一步详细描述。如图1、图2所示，一种新型倒装LED光源，包括P-N电极外延片和基板1，P-N电极外延片包括蓝宝石衬底7，蓝宝石衬底7上形成的N-GaN层6，N-GaN层6上形成的发光层5和发光层5上形成的P-GaN层4，P-GaN层4上和N-GaN层6上分别引出P电极3和N电极2，基板1上围绕所述P-N电极外延片部位设有反射槽9，反射槽9内均匀涂覆反射层8。反射槽9横截面为三角形，反射槽9两边相交呈90度,反射槽9两边分别与基板1相交呈45度。通过设置三角形的反射槽9，可以增大出光面积，且将三角形的开口设为朝向外延片的出光区域，可以收集更多的反射光和散射光，增大倒装芯片的出光面积。在另一实施例中，反射槽9还可以为半圆形，所述半圆形横截面的半径为5um-7um。设置半圆形横截面的反射槽9，相比三角形的横截面，在不增大芯片内基板1的尺寸的情况下，增大了反射槽9的反光面积，反射层8为白色硅胶层或者钛铝合金反射层。反射层8设置为白色硅胶层或者钛铝合金反射层，反射效果最佳。反射层8的厚度为0.1um-0.3um。在较佳实施例中，反射层8的厚度为0.2um，控制反射层8的厚度，避免因为反射层8的设置影响此处的电阻值，致使此处产生热量堆积，影响芯片的长期使用。本技术提供的技术方案简单易行，通过在外延片周围开设反射槽9来收集外延片侧面散射的光，提高了LED芯片的出光效率，并且不影响LED芯片的散热。总之，以上所述仅为本技术的较佳实施例，凡依本技术申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本技术专利的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型倒装LED光源，包括P‑N电极外延片和基板（1），P‑N电极外延片包括蓝宝石衬底（7），蓝宝石衬底（7）上形成的N‑GaN层（6），N‑GaN层（6）上形成的发光层（5）和发光层（5）上形成的P‑GaN层（4），所述P‑GaN层（4）上和N‑GaN层（6）上分别引出P电极（3）和N电极（2），其特征在于，所述基板（1）上围绕所述P‑N电极外延片部位设有反射槽（9），所述反射槽（9）内均匀涂覆反射层（8）。

【技术特征摘要】
1.一种新型倒装LED光源，包括P-N电极外延片和基板（1），P-N电极外延片包括蓝宝石衬底（7），蓝宝石衬底（7）上形成的N-GaN层（6），N-GaN层（6）上形成的发光层（5）和发光层（5）上形成的P-GaN层（4），所述P-GaN层（4）上和N-GaN层（6）上分别引出P电极（3）和N电极（2），其特征在于，所述基板（1）上围绕所述P-N电极外延片部位设有反射槽（9），所述反射槽（9）内均匀涂覆反射层（8）。2.根据权利要求1所述的一种新型倒装LED光源，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王芳芳，
申请(专利权)人：浙江长兴金盛光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33