聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材的湿式金属化处理控制方法技术

本发明专利技术为一种聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材的湿式金属化处理控制方法，包括对聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材依序进行的硅甲烷耦合处理、催化处理、无电镀镍处理，而实现湿式金属化处理，其中基材上可形成依序堆栈的硅甲烷层、催化层、无电镀镍层，且其间具有特定的分子化学键结而形成稳固的结构而结合成一体。尤其是，藉滚轮至滚轮传送单元带动基材，并控制每个单元的浸泡时间，进而控制硅甲烷层、催化层、无电镀镍层的品质。因此，本发明专利技术的湿式金属化处理控制方法所制作的无电镀镍层很适合形成铜层，当作高质量的软性电路基板用。

Method for controlling wet metallization of poly (ethylene amide) or polyethylene terephthalate two ester substrate

The invention relates to a poly acetamide or polyethylene glycol two ester substrates wet metal processing control method, including poly acetamide or polyethylene terephthalate ester substrate in a sequence of two silane coupling treatment, catalytic treatment, electroless nickel plating processing, and wet metal processing, wherein the substrate can be in order to form a stack of silicon layer, methane catalytic layer, electroless nickel plating, and it has specific molecular chemical bond and form a stable structure and combined into one. In particular, a roller to roller transfer unit drives the substrate and controls the soaking time of each cell, thereby controlling the quality of the silicon oxide layer, the catalytic layer, and the electroless nickel layer. Therefore, the electroless nickel plating layer prepared by the method of the invention is suitable for forming a copper layer as a high quality flexible circuit substrate.

【技术实现步骤摘要】
聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材的湿式金属化处理控制方法
本专利技术有关于一种聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材的湿式金属化处理控制方法，尤其是利用聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯当作基材，藉硅甲烷耦合处理而在高分子基材上形成硅甲烷分子界面层，并藉钯催化镍分子接口层上，经反应分子结合，因而形成贴附佳而结合稳固的金属化层堆栈，尤其是，无电镀镍层具有较佳的厚度及结构，很适合形成铜层，当作电路层用，能提高经济诱因及产业利用性。
技术介绍
目前的可携式电子产品随着制作工艺的不断精进，已能达到使用者对轻、薄、短、小的要求，比如手机、数字相机、随身型多媒体播放器。这类电子产品都需要在内部配置电路板，用以安置各种电子组件，并实现电气连接，而在有限空间中，一般传统上利用环氧树脂当作基材的硬质电路板已很难满足上述功能的需求，因为无法配合实际应用而随意弯曲或折叠。为解决上述问题，业者已开发出软性电路板的薄膜基板，一般称作软板。传统的软性铜核心积层体(flexiblecoppercladlaminateFCCL)包含铜箔(CopperFoil，FC)、柔性基材的聚乙酰胺(PI)、黏接剂铜箔的结构，而FC的要求主要有二种趋势，其中之一是更为低成本，另一个具有更小的线宽蚀刻能力。在之后的要求中，对于细线宽的电路制作，需要(铬镍铜)溅镀及电解铜，藉以获得较高铜导电性，一般称作FC(铜箔)滚轮式溅镀电镀铜方法。基本上，是先利用溅镀制程以高能电子束轰击特定靶材，使得靶材中的元素脱离靶材，并藉所获得的动能而沉积到柔性基材上，因而形成所需的中间层，因为铜层无法直接附着在柔性基材上，需要中间层以柔性基材及铜层。在溅镀-电镀铜方法中，连续式真空蒸镀处理室系统需要非常昂贵的投资，而且金属靶材也相当昂贵，因而造成很大的障碍。然而，溅镀方法的技术问题在于很难进行图案蚀刻。近来，很重要的是要先电镀一层大约的镍(及铬)，以及约400至的铜，以获得高黏贴强度及高导电性。同时已经发现到，在溅镀的铜电镀FC滚轮式薄膜上进行电路图案蚀刻是很困难，而其理由主要是来自于镍及铬的微小结晶化。镍的沉积对于防止铜迁移到PI高分子是很有必要，而溅镀的铬是为了获得黏贴强度。不过近年，已可成功移除铬以改善金属曝光能量及/或靶材的倾斜角度。因此，需要一种新式的聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材的湿式金属化处理控制方法，本身是在聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材上进行湿式金属化法，而不是在PI/PET上使用溅镀/电解铜的方法，可藉以解决上述现有技术的问题。本专利技术在不使用溅镀下，PI/PET及Pd/镍的分子键结能带来非常良好的黏贴强度，并可直接电镀到电解铜上。可在镍膜的二侧上建立约7至10微米的FC膜，而这种多层状的镍(0.8微米)-铜(7-10微米)薄膜很容易蚀刻。因此，本专利技术不仅能降低成本或资本投资，而且对于产量及无缺陷(较少的结瘤及孔洞)的质量还具有许多优点及优势。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在提供一种聚乙酰胺(PI)或聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基材的湿式金属化处理控制方法，包括依序进行的硅甲烷耦合处理、催化处理、无电镀镍处理，用以在长条带状膜的聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材上进行湿式金属化处理，其中基材利用滚轮至滚轮传送单元而被带动进入硅甲烷耦合单元中进行硅甲烷耦合处理，而在基材上形成硅甲烷层，并接着进入催化处理单元中进行催化处理，而在硅甲烷层上形成催化层，最后带入无电镀镍处理单元中进行无电镀镍处理，而在催化层上形成无电镀镍层。硅甲烷耦合单元包含硅甲烷耦合槽及硅甲烷耦合液，且其中硅甲烷耦合液为含有硅甲烷(Silane)的溶液，是容置于硅甲烷耦合槽中，而硅甲烷耦合单元可进一步包含硅甲烷耦合液调配储存筒，是连结至硅甲烷耦合槽，用以调配并储存硅甲烷耦合液，藉以维持硅甲烷耦合槽中硅甲烷耦合液的组成稳定。催化处理单元包含催化处理槽及催化处理液，催化处理液为含有钯离子的溶液。催化处理单元可进一步包含催化处理液调配储存筒，是连结至催化处理槽，用以调配并储存催化处理液，藉以维持催化处理槽中催化处理液的组成稳定。无电镀镍处理单元包含无电镀镍处理槽及容置于无电镀镍处理槽中的无电镀镍处理液，且无电镀镍处理液为含有镍离子的溶液。无电镀镍处理单元还可包含无电镀镍处理液调配储存筒，是连结至无电镀镍处理槽，用以调配并储存无电镀镍处理液，藉以维持无电镀镍处理槽中无电镀镍处理液的组成稳定。此外，滚轮至滚轮传送单元是利用螺球马达或唧筒的拉升滚轮机构而使得基材在硅甲烷耦合单元、催化处理单元、无电镀镍处理单元中是以V形波浪状升降的滚轮至滚轮传送(rolltorolltransfer)方式前进，藉以控制相对应的浸泡时间，进而控制硅甲烷层、催化层及无电镀镍层的厚度及结构，尤其是无电镀镍层的较佳厚度可为900-1000nm，而900-1000nm的最小厚度及导电度可获得铜电镀的电解液流通，但不会在比如4安培每dm2下烧毁。本专利技术还可进一步利用烘干单元以蒸发、烘干而去除基材、硅甲烷层、催化层、无电镀镍层的外部上或内部中任何残余的液体，其中烘干单元可藉能投射热红外线(thermalinfrared)的红外线烘干器而实现，而由于热红外线可深入表层的内部，达到彻底烘干的目的，而任何残留液体对后续的加工处理或应用都是非常不利。因此，本专利技术的湿式金属化处理控制方法可利用聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯当作基材，藉硅甲烷耦合处理而在基材上形成硅甲烷层，并藉催化处理而形成催化层于硅甲烷层上，再藉无电镀镍处理形成无电镀镍层于催化层上，因而形成贴附佳而结合稳固的金属化多层堆栈，尤其是，无电镀镍层具有较佳的厚度及结构，很适合形成铜层，当作电路层用，比起传统的溅镀制程具有较低的制作成本，能提高经济诱因及产业利用性。附图说明图1显示本专利技术实施例的聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材的湿式金属化处理控制方法的操作流程图。图2显示本专利技术实施例的聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材的湿式金属化处理控制方法的示意图。图3显示本专利技术中基材、硅甲烷层、催化层、无电镀镍层之间分子化学键结的示意图。其中，附图标记说明如下：10基材20硅甲烷耦合单元21硅甲烷耦合槽22硅甲烷耦合液23硅甲烷耦合液调配储存筒30催化处理单元31催化处理槽32催化处理液33催化处理液调配储存筒40无电镀镍处理41无电镀镍处理槽42无电镀镍处理液43无电镀镍处理液调配储存筒50滚轮至滚轮传送单元60烘干单元S10硅甲烷耦合处理S20催化处理S30无电镀镍处理具体实施方式以下配合附图及附图标记对本专利技术的实施方式做更详细的说明，使熟习本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。参阅图1，本专利技术的聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材的湿式金属化处理控制方法的操作流程图。如图1所示，本专利技术的聚乙酰胺基材的湿式金属化控制方法包括依序进行的硅甲烷耦合处理S10、催化处理S20、无电镀镍处理S30，用以在长条带状膜的聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材上进行湿式金属化处理。为进一步清楚说明本专利技术方法的技术特征及特点，请同时配合参考图2的不意图。具体而言，本专利技术的湿式金属化处理控制方法是由甲烷耦合处理S10开始，且如图2所示，长条带状膜的聚乙酰胺(Polyimide，PI)或聚对苯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材的湿式金属化处理控制方法，其特征在于，藉一滚轮至滚轮传送单元带动长条带状膜的一聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材，用以进行一湿式金属化处理，该湿式金属化控制方法包括以下步骤：一硅甲烷耦合处理，是用以在一硅甲烷耦合单元中，形成一硅甲烷层于该聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材上；一催化处理，是用以在一催化处理单元，形成一催化层于该硅甲烷层上；以及一无电镀镍处理，是用以在一无电镀镍处理单元中，形成一无电镀镍层于该催化层上，其中该滚轮至滚轮传送单元是利用一螺球马达或一唧筒的一拉升滚轮机构而使得该聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材在该硅甲烷耦合单元、该催化处理单元及该无电镀镍处理单元中以V形波浪状升降的方式滚轮至滚轮传送前进，藉以控制在该硅甲烷耦合单元、该催化处理单元及该无电镀镍处理单元的相对应浸泡时间，进而控制该硅甲烷层、该催化层及该无电镀镍层，且该无电镀镍层具有一厚度，且该厚度为900‑1000nm。

【技术特征摘要】
1.一种聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材的湿式金属化处理控制方法，其特征在于，藉一滚轮至滚轮传送单元带动长条带状膜的一聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材，用以进行一湿式金属化处理，该湿式金属化控制方法包括以下步骤：一硅甲烷耦合处理，是用以在一硅甲烷耦合单元中，形成一硅甲烷层于该聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材上；一催化处理，是用以在一催化处理单元，形成一催化层于该硅甲烷层上；以及一无电镀镍处理，是用以在一无电镀镍处理单元中，形成一无电镀镍层于该催化层上，其中该滚轮至滚轮传送单元是利用一螺球马达或一唧筒的一拉升滚轮机构而使得该聚乙酰胺或聚对苯二甲酸乙二酯基材在该硅甲烷耦合单元、该催化处理单元及该无电镀镍处理单元中以V形波浪状升降的方式滚轮至滚轮传送前进，藉以控制在该硅甲烷耦合单元、该催化处理单元及该无电镀镍处理单元的相对应浸泡时间，进而控制该硅甲烷层、该催化层及该无电镀镍层，且该无电镀镍层具有一厚度，且该厚度为900-1000nm。2.依据权利要求1所述的湿式金属化处理控制方法，其特征在于，该硅甲烷耦合单元包含一硅甲烷耦合槽及一硅甲烷耦合液，且该硅甲烷耦合液为含有硅甲烷的溶液，是容置于该硅甲烷耦合槽中。3.依据权利要求2所述的湿式金属化处理控制方法，其特征在于，该硅甲烷耦合单元进一步包含一硅甲烷耦合液调配储存筒，是连结至该硅甲烷耦合槽，用以调配并储存该硅甲烷耦合液。4.依据权利要求1所述的湿式金属化处理控制方法，其特征在于，该催化处理单元包含一催化...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅新民，上野山卫，黄品椿，张春梵，李清勇，刘玉珍，梁翰妮，李惠洲，许远培，
申请(专利权)人：凯基有限公司，
类型：发明
国别省市：塞舌尔,SC