化学置换镀金溶液及杂质镍及杂质铜的连续纯化系统技术方案

本发明专利技术是一种化学置换镀金溶液及杂质镍及杂质铜的连续纯化系统，包含无电镀金镀浴槽、分离单元、杂质移除单元、回流混合单元及镀液储存筒，可在含镍膜层的基板上通过化学的置换反应以生成金膜层而形成含金膜层的基板，其中金膜层是沉积在镍膜层的表面上。利用主要螯合剂以螯合金离子而形成具20～18nm颗粒大小结构的金错合物，并通过分离单元中具孔隙大小为20～18nm的PE逆渗透膜而分离金错合物，同时还利用杂质移除单元的螯合型离子交换树脂而选择性吸收镍杂质及铜杂质。因此，本发明专利技术可达到每分钟0.0075～0.0084μm的沉积速率而沉积出厚度高达0.12μm的优良金膜层。

Continuous Purification System of Chemical Displacement Gold Plating Solution and Impurity Nickel and Copper

The present invention is a continuous purification system of electroless gold plating solution and impurity nickel and impurity copper. It consists of electroless gold plating bath, separation unit, impurity removal unit, reflux mixing unit and plating solution storage tank. It can form a gold-containing film on the substrate containing nickel film by chemical replacement reaction, and the gold film is deposited on the surface of the nickel film. Up. The main chelating agents are used to form gold-staggered complexes with particle size of 20-18 nm by chelating alloy ions. The gold-staggered complexes are separated by PE reverse osmosis membrane with pore size of 20-18 nm in the separation unit. At the same time, the chelating ion exchange resin of the impurity removal unit is used to selectively absorb nickel impurities and copper impurities. Therefore, the method can achieve the deposition rate of 0.0075-0.0084 micron per minute and deposit a fine gold film with a thickness of up to 0.12 micron.

【技术实现步骤摘要】
化学置换镀金溶液及杂质镍及杂质铜的连续纯化系统
本专利技术是有关于一种化学置换镀金溶液及杂质镍及杂质铜的连续纯化系统，尤其是利用主要螯合剂而与金离子螯合成具20～18nm颗粒大小结构的金错合物，并通过分离单元中具孔隙大小为20～18nm的PE逆渗透膜而分离金错合物，同时还利用杂质移除单元的螯合型离子交换树脂而选择性吸收镍杂质及铜杂质，可达到每分钟0.0075～0.0084μm的沉积速率而沉积出厚度高达0.12μm的优良金膜层，满足一般实务上金膜层的厚度需求。
技术介绍
在一般的电路板制程中，除了需要在基板上形成电路层外，还需要形成高质量的连接垫，用以连接电子组件，形成电气回路。这类的连接垫常常使用镍膜层当作中间媒介层，并在镍膜层上形成金膜层，因为电子组件比较容易焊接至金膜层。在现有技术中，镍膜层上形成金膜层的方式可使用包含金离子的镍可置换金溶液，并通过化学置换反应而将金属镍置换成金属金，也就是，在不施加任何电流下，金离子与金属镍通过氧化还原反应而相互置换。上述现有技术的缺点在于镍可置换金溶液的普遍问题是会发生侵蚀现象，尤其是会完全覆盖金膜层的表面。例如，当浸泡时间不足时，会在经过一段本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学置换镀金溶液及杂质镍及杂质铜的连续纯化系统，其特征在于，包括：一无电镀金镀浴槽，是用以容置一无电镀金镀液，且该无电镀金镀液包含一金错合物以及一主要螯合剂，该主要螯合剂为四(2‑羟丙基)乙二胺，该金错合物的金浓度为0.6～2.0g/L，该四(2‑羟丙基)乙二胺的浓度为5～20g/L；一分离单元，是连接至该无电镀金镀浴槽，用以将该无电镀金镀浴槽中的该无电镀金镀液抽离，并对该无电镀金镀液中的金错合物进行一选择性分离处理，藉以形成并传送含高浓度金错合物的一浓缩溶液及含低浓度金错合物的一渗透溶液；一杂质移除单元，是连接至该分离单元，用以接收该渗透溶液，并对该渗透溶液中的镍杂质及铜杂质进行渗透...

【技术特征摘要】
1.一种化学置换镀金溶液及杂质镍及杂质铜的连续纯化系统，其特征在于，包括：一无电镀金镀浴槽，是用以容置一无电镀金镀液，且该无电镀金镀液包含一金错合物以及一主要螯合剂，该主要螯合剂为四(2-羟丙基)乙二胺，该金错合物的金浓度为0.6～2.0g/L，该四(2-羟丙基)乙二胺的浓度为5～20g/L；一分离单元，是连接至该无电镀金镀浴槽，用以将该无电镀金镀浴槽中的该无电镀金镀液抽离，并对该无电镀金镀液中的金错合物进行一选择性分离处理，藉以形成并传送含高浓度金错合物的一浓缩溶液及含低浓度金错合物的一渗透溶液；一杂质移除单元，是连接至该分离单元，用以接收该渗透溶液，并对该渗透溶液中的镍杂质及铜杂质进行渗透、吸收处理而移除，进而形成一纯化溶液；一回流混合单元，是连接至该分离单元及该杂质移除单元，用以分别接收该浓缩溶液以及该纯化溶液，同时接收由外部已配置好的一新鲜的无电镀金镀液，并经回流、混合处理后形成该无电镀金镀液并输送；以及一镀液储存筒，是连接至该回流混合单元，用以接收该无电镀金镀液而储存，且该电镀金镀液进一步输送至该无电镀金镀浴槽；其中该无电镀金镀浴槽的该无电镀金镀液是供一含镍膜层的基板浸泡以进行一化学电镀的一置换反应，该含镍膜层的基板包含一基板、一电路层及一镍膜层，且该电路层是在该基板上，而该镍膜层是在该电路层上，该镍膜层的表面上的金属镍是在与该无电镀金镀液接触时经该置...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅新民，
申请(专利权)人：凯基有限公司，
类型：发明
国别省市：塞舌尔,SC