一种液相狭缝干涉合成设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种液相狭缝干涉合成设备，包括上下两个平行双通道狭缝扁平限制区和单通道狭缝合成区，上下两个平行双通道狭缝扁平限制区和单通道狭缝合成区凸凹镶嵌连通后固定置于AB区衔接固定台上，单通道狭缝合成区与上下两个平行双通道狭缝扁平限制区连接部位的垂直面为超声器连接面，超声器连接面焊接超声发射器；去能量槽通过去能量槽隔板分为进液区和出液区，其中进液区和出液区在能量槽隔板底部连通，进液区承接单通道狭缝合成区生成的银粉溶液出口，出液区通过底部出口连接过滤洗涤设备。该设备解决了搅拌釜的浓度随时间变化、搅拌不均匀、无法合成不同粒度配比的银粉、微观极大部分只依赖表面活性剂的合成方式，开创液相高稳定性连续无返混的高端浆料用银粉合成控制设备及方法。

Liquid phase slit interference synthesizing equipment

The utility model relates to a liquid phase interferometric synthetic slit device, comprises two parallel dual channel flat slit restricted area and single channel synthetic slit area, on two parallel dual channel flat slit restricted area and single channel concave slit synthesis area connected fixedly arranged in the AB area with cohesive fixed table, vertical plane single channel slot synthesis area with two parallel dual slit flat restricted zone connecting parts of the ultrasonic device is connected, the ultrasound device connecting surface welding ultrasonic transmitter; go through energy tank energy tank divided into liquid inlet area and a liquid, the liquid inlet and the liquid outlet area is communicated in the area of energy tank the bottom of the baffle, the liquid inlet area to undertake the silver solution outlet area of single channel synthetic slit formation, liquid filtration and washing equipment connected area through the bottom outlet. The device solves the stirred tank concentration changes with time, uneven stirring and unable to synthesize different size distribution of powder, the micro part greatly depend only on the surfactant synthesis method, a liquid phase high stability of continuous slurry mixed with no return of high-end silver powder synthesis control apparatus and method.

【技术实现步骤摘要】
一种液相狭缝干涉合成设备
本技术属于液相合成设备
，具体涉及一种主要应运于银粉液相合成微米、纳米领域的液相狭缝干涉合成设备。
技术介绍
国外中高端银粉垄断国内市场，国内企业不愿对银粉生产大量投资，国内工艺技术突破与低端设备匹配困难，自动化程度低。90％以上企业均以搅拌釜为主要合成设备，表面活性剂为主要控制手段，辅以其他参数控制，停留在宏观层面上的控制，有内六方搅拌釜，混合度有很大程度的提高，但依然无法解决浓度随时间变化不规律变化的合成过程，使得过程控制困难，人为因素多，重复性差。而直接合成不同粒度配比的银粉，其堆积致密性高，浆料导电性优越，很多国内浆料公司通过后期不同粒度配比，实现浆料性能的提高，但传统方式无法实现不同粒度比例搭配的银粉产品。故浆料突破远远快于银粉生产，导致国内银粉行业在近10年内进步缓慢，只有中低端银粉占有部分国内市场，其余全部依靠国外。在国外高端银粉合成技术封锁未能传入国内，国内急需提高设备控制技术及工艺合成方法的创新技术研究，使国内进入高端银粉产品行业。传统的合成釜液相合成过程，其浓度随时间变化而不规律的变化，以及间歇式的合成方式，使得银粉合成可控能力差，是稳定均匀性差，重复性差，不能进入高端银粉行业的主要原因之一，且无法实现不同粒度配比的银粉产品。对于选定体系的液相合成，在无催化剂情况下，通过正交实验表明，体系反应物浓度是合成银粉表征指标影响最重要因素，而表面活性剂的大量使用，从一定方面降低了粉末的一些电学性能。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对现有技术中的缺点而提供一种液相狭缝干涉合成设备，本技术旨在解决浓度不规律变化所带来的影响，减少表面活性剂的使用量，保证银粉合成过程微观可控，实现连续合成方式，提高银粉各项表征指标，保持高度重复性，达到产品均匀稳定，且可实现直接合成不同粒度配比的银粉，开创液相高稳定性连续无返混的高端银粉合成控制新方法。为解决本技术的技术问题采用如下技术方案：一种液相狭缝干涉合成设备，包括上下两个平行双通道狭缝扁平限制区和单通道狭缝合成区，所述上下两个平行双通道狭缝扁平限制区和单通道狭缝合成区凸凹镶嵌连通后固定置于AB区衔接固定台上；其中上下两个平行双通道狭缝扁平限制区分别设有氧化还原物料进口和还原氧化物料进口，所述氧化还原物料进口和还原氧化物料进口与棱形可密闭式配液釜相连；所述单通道狭缝合成区为可通冷却循环水的长方形空壳，所述单通道狭缝合成区靠近上下两个平行双通道狭缝扁平限制区的部分一侧设有冷却水进口，另一侧设置冷却水出口，所述单通道狭缝合成区外套有绝缘卡套，所述绝缘卡套上下面设有两个平行通道能够分别将第一电极板和第二电极板镶入并固定，所述第一电极板和第二电极板均设有与电流控制器链接的电流控制器接线柱；所述单通道狭缝合成区与上下两个平行双通道狭缝扁平限制区连接部位的垂直面为超声器连接面，所述超声器连接面焊接超声发射器；去能量槽通过去能量槽隔板分为进液区和出液区，其中进液区和出液区在能量槽隔板底部连通，进液区承接单通道狭缝合成区生成的银粉溶液出口，出液区通过底部出口连接过滤洗涤设备。所述上下两个平行双通道狭缝扁平限制区长为0.2m-5m，其中每个通道狭缝宽为0.2m-1.5m，高为0.001m-0.5m。所述单通道狭缝合成区（A）长为0.2m-5m，宽为0.2m-1.5m，高为0.004m-1.002m。所述绝缘卡套为橡胶材质。本技术通过一对共用反应区间的狭缝叠加件，对液相氧化还原溶液进行扁平限制，经由电流控制器控制电极板的电场进行干涉，形成控制区间，冷却循环水冷却，超声控制器的辅助配合下，从微观上控制阴、阳离子动态，使得阳离子尽可能少的与反应器壁接触，实现阳离子在狭缝空间里通过水平压差和电场垂直牵引力振荡进行空间多维旋转，达到均匀有序的液相微观控制合成过程，并在狭缝中间保持类层流或以震荡状态推进，且垂直牵引力与化学反应驱动力起到交互作用，达到在每一个垂直面上溶液浓度不随时间变化而变化，维持整个反应区间浓度梯度不变。还原形成颗粒物则脱离电场控制，在水平压差和重力及超声作用下流出混合区末端，由去能量槽实现对还原金属颗粒末端状态的保持。使物料在合成区间形成均匀规律的连续合成方式，解决合成釜浓度随时间变化而不规律变化的目的，进而实现合成粉末指标可控，粒度均匀一致性好，或不同粒度配比高重复性及电学性能的提高。当与一定的还原剂配合时，可实现从微米到纳米的全面覆盖。本技术最大的特点在于从传统的宏观控制变为微观控制，而作用力的交互作用，使得粉末指标的稳定性，粒度的均匀性，电学性能得到极大的改善，实现粒度分布区间可调节，减少部分表面活性剂用量、且功耗低，投入与传统最简单的设备相当，实现了完全不同而更稳定的控制方式。从减少表面活性剂使用量，产品进入高端市场的附加值方面均获得到很大的经济效益，通过狭缝干涉合成技术的应运，实现了银粉的连续微观可控合成，改变了银粉合成设备单一，浓度随时间变化而变化，控制不连续，间歇式波动大，且无法实现直接合成不同粒度银粉配比的技术问题。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术单通道狭缝合成区与第一电极板和第二电极板配合示意图；图3为本技术单通道狭缝合成区结构示意图；图4为图3的C-C剖视图；图5为本技术上下两个平行双通道狭缝扁平限制区结构示意图；图6为图5的C-C剖视图。具体实施方式下面结合附图对本技术做进一步详细说明：如图1-6所示，一种液相狭缝干涉合成设备，包括上下两个平行双通道狭缝扁平限制区B和单通道狭缝合成区A，上下两个平行双通道狭缝扁平限制区B和单通道狭缝合成区（A）凸凹镶嵌连通后固定置于AB区衔接固定台3上；其中上下两个平行双通道狭缝扁平限制区B分别设有氧化还原物料进口1和还原氧化物料进口2，氧化还原物料进口1和还原氧化物料进口2与棱形可密闭式配液釜相连；单通道狭缝合成区A为可通冷却循环水的长方形空壳，单通道狭缝合成区A靠近上下两个平行双通道狭缝扁平限制区B的部分一侧设有冷却水进口4，另一侧设置冷却水出口6，单通道狭缝合成区A外套有绝缘卡套11，绝缘卡套11为橡胶材质。绝缘卡套11上下面设有电极板插孔，将第一电极板10和第二电极板13镶入绝缘卡套11并固定，第一电极板10和第二电极板13均设有与电流控制器链接的电流控制器接线柱；单通道狭缝合成区A与上下两个平行双通道狭缝扁平限制区B连接部位的垂直面为超声器连接面12，在超声器连接面12焊接超声发射器；去能量槽9通过去能量槽隔板8分为进液区和出液区，其中进液区和出液区在能量槽隔板8底部连通；进液区承接合成区B生成的银粉溶液出口，出液区通过底部出口连接过滤洗涤设备；其中上下两个平行双通道狭缝扁平限制区B长为0.2m-5m，其中每个通道狭缝宽为0.2m-1.5m，高为0.001m-0.5m，合成区单通道狭缝长为0.2m-5m，宽与双通道一致为0.1m-1.5m，高为双通道狭缝单个通道高度的两倍加中间层的厚度，为0.004m-1.002m。部件原理及作用：该合成设备为合成区、扁平限制区、绝缘卡套、电极板的组合体，方便拆卸清理。绝缘外套主要是在混合区设置的一段与电极板相匹配的绝缘设置。电极板为与混合区水平面相对应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液相狭缝干涉合成设备，其特征在于：包括上下两个平行双通道狭缝扁平限制区（B）和单通道狭缝合成区（A），所述上下两个平行双通道狭缝扁平限制区（B）和单通道狭缝合成区（A）凸凹镶嵌连通后固定置于AB区衔接固定台（3）上；其中上下两个平行双通道狭缝扁平限制区（B）分别设有氧化还原物料进口（1）和还原氧化物料进口（2），所述氧化还原物料进口（1）和还原氧化物料进口（2）与棱形可密闭式配液釜相连；所述单通道狭缝合成区（A）为可通冷却循环水的长方形空壳，所述单通道狭缝合成区（A）靠近上下两个平行双通道狭缝扁平限制区（B）的部分一侧设有冷却水进口（4），另一侧设置冷却水出口（6），所述单通道狭缝合成区（A）外套有绝缘卡套（11），所述绝缘卡套（11）上下面设有两个平行通道能够分别将第一电极板（10）和第二电极板（13）镶入并固定，所述第一电极板（10）和第二电极板（13）均设有与电流控制器链接的电流控制器接线柱；所述单通道狭缝合成区（A）与上下两个平行双通道狭缝扁平限制区（B）连接部位的垂直面为超声器连接面（12），所述超声器连接面（12）焊接超声发射器；去能量槽（9）通过去能量槽隔板（8）分为进液区和出液区，其中进液区和出液区在能量槽隔板（8）底部连通，进液区承接单通道狭缝合成区（A）生成的银粉溶液出口，出液区通过底部出口连接过滤洗涤设备。...

【技术特征摘要】
1.一种液相狭缝干涉合成设备，其特征在于：包括上下两个平行双通道狭缝扁平限制区（B）和单通道狭缝合成区（A），所述上下两个平行双通道狭缝扁平限制区（B）和单通道狭缝合成区（A）凸凹镶嵌连通后固定置于AB区衔接固定台（3）上；其中上下两个平行双通道狭缝扁平限制区（B）分别设有氧化还原物料进口（1）和还原氧化物料进口（2），所述氧化还原物料进口（1）和还原氧化物料进口（2）与棱形可密闭式配液釜相连；所述单通道狭缝合成区（A）为可通冷却循环水的长方形空壳，所述单通道狭缝合成区（A）靠近上下两个平行双通道狭缝扁平限制区（B）的部分一侧设有冷却水进口（4），另一侧设置冷却水出口（6），所述单通道狭缝合成区（A）外套有绝缘卡套（11），所述绝缘卡套（11）上下面设有两个平行通道能够分别将第一电极板（10）和第二电极板（13）镶入并固定，所述第一电极板（10）和第二电极板（13）均设有与电流控制器链接的电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹笃盟，柴明强，齐勇，张亚红，王媛媛，孟涛，包飞燕，王龙，王维斌，陈文莉，潘梨军，
申请(专利权)人：金川集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：甘肃,62