一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置制造方法及图纸

技术编号:15732115 阅读:104 留言:0更新日期:2017-07-01 05:01
本实用新型专利技术涉及一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置,属于光伏发电与新能源科技技术领域。该喷涂装置包括压缩空气进气总管道、气枪压缩空气管道、吹扫气枪、喷枪等。本实用新型专利技术所述的一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置结构简单、操作方便,在喷涂多晶高效坩埚时能有效分配底部和侧部氮化硅喷涂量,解决影响粘埚裂纹及引晶效果不稳定的现象,降低了硅片的缺陷,有效的提高并稳定了硅片效率。

Multi crystal crucible silicon nitride slurry spraying device

The utility model relates to a multi crystal crucible silicon nitride slurry spraying device, belonging to the technical field of the photovoltaic power generation and the new energy technology. The spraying device comprises a compressed air intake main pipe, an air gun compressed air pipe, a blowing air gun, an airbrush, etc.. The utility model relates to a crucible of polycrystalline silicon nitride slurry spraying device has the advantages of simple structure, convenient operation, can effectively allocate the bottom and the side of the silicon nitride coating in spraying polycrystalline, crucible, crucible crack phenomenon and solve the sticky seeding effect is not stable, reduce the wafer defects, effectively improve the stability and efficiency of silicon wafer.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置
本技术涉及一种喷涂装置,尤其涉及一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置,属于光伏发电与新能源科技

技术介绍
在快速发展的光伏行业,晶体硅电池凭借其高效率和稳定性占据了绝大部分的份额,其中多晶硅电池以其低成本、高效率、低光衰等优势,具有较高的性价比和竞争优势,因而成为当前市场上占据份额最大的光伏电池。多晶硅主要采用定向凝固的方式制造,即将硅料装在石英坩埚内,在真空炉内用电阻加热的方式将硅料融化,然后从底部冷却,硅液从坩埚底部开始向上逐渐凝固,最后得到多晶硅锭。晶体缺陷主要是由铸锭中的热应力导致的,细小而均匀的多晶晶粒,能够降低硅锭应力,减少缺陷产生。多晶硅晶粒细小圆润均匀,必须在长晶初期形成大量的晶粒,主要有两种方式实现,一种是半溶工艺,一种是全熔工艺,半熔工艺需要使用石英棒测量籽晶高度,增加了人力成本,操作安全性大大降低,成本也较高,采用合适的全溶工艺也可达到半熔的效果,在操作方便性、安全性、成本上具有优势。全溶工艺即在坩埚底部均匀铺洒一定目数的高纯石英砂、硅颗粒、碳化硅等形核物质,以达到引晶目的。坩埚在使用时需要制备氮化硅涂层作为脱模剂,目前主要使用热喷涂方法制备涂层,全溶工艺高效坩埚因底部有一定目数的形核物质,喷涂氮化硅涂层厚度对形核物质的引晶作用影响较大,氮化硅喷涂薄会导致坩埚底部粘埚,形成裂纹,氮化硅喷涂厚会导致引晶效果差,晶粒效果差,目前使用的喷涂方法,员工操作时因为走枪速度及流量的差异导致底部氮化硅喷涂厚度不同,影响引晶效果,导致硅锭晶粒的不稳定性,对硅片效率影响较大。故需要一种新的技术方案,以解决上述问题。专
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服现有技术之缺陷,提供一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置,该喷涂装置可以有效的控制坩埚底部和侧部的喷涂量,解决影响粘埚裂纹及引晶效果不稳定的现象,降低硅片的缺陷,有效的提高并稳定硅片效率。本技术所述技术问题是由以下技术方案实现的。一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置,该喷涂装置包括压缩空气进气总管道;所述压缩空气进气总管道通过第一减压阀与气枪压缩空气管道连接;所述气枪压缩空气管道第六控制阀门与吹扫气枪连接;所述压缩空气进气总管道通过喷枪压缩空气管道与喷枪连接;所述喷枪压缩空气管道设置第二减压阀、第二控制阀门、A搅动泵、B搅动泵、第5控制阀门;所述A搅动泵、B搅动泵与喷枪压缩空气管道之间分别设置第3控制阀门;第4控制阀门;所述喷枪压缩空气管道设置在固定支架上;所述A搅动泵、B搅动泵下方分别设置A烧杯、B烧杯,并且A搅拌桨、B搅拌桨分别插入A烧杯、B烧杯中;所述A烧杯通过A浆液输送管道与三通转换球阀连接,所述A浆液输送管道上设置有A回流管道通入A烧杯中;所述B烧杯通过B浆液输送管道与三通转换球阀连接,所述B浆液输送管道上设置有B回流管道通入B烧杯中;所述三通转换球阀连接喷枪;所述A浆液输送管道、B浆液输送管道均通过双路蠕动泵。进步一步的,上述一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置,该喷涂装置还包括喷涂小车;所述双路蠕动泵、固定支架、A烧杯、B烧杯位于喷涂小车之上。本技术所述的一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置结构简单、操作方便,在喷涂多晶高效坩埚时能有效分配底部和侧部氮化硅喷涂量,解决影响粘埚裂纹及引晶效果不稳定的现象,降低了硅片的缺陷,有效的提高并稳定了硅片效率。附图说明图1本技术所述的多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置示意图。具体实施方式下面结合具体实施方式以及附图对本技术作进一步详细说明。如图1所示,图中各标号分别为:1.压缩空气进气总管道;2.气枪压缩空气管道;3-1.第二减压阀;3-2.第一减压阀;4-1.A搅拌桨;4-2.B搅拌桨;5-1.第一控制阀门;5-2.第二控制阀门;5-3.第三控制阀门;5-4.第四控制阀门;5-5.第五控制阀门;5-6.第六控制阀门;6.吹扫气枪;7.双路蠕动泵;8.喷涂小车;9.A搅动泵;10.B搅动泵;11.固定支架;12.A烧杯;13.B烧杯;14.A回流管道;15.B回流管道;16.A浆液输送管道;17.B浆液输送管道;18.三通转换球阀;19.喷枪压缩空气管道;20.喷枪。本技术所述的多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置,该喷涂装置包括压缩空气进气总管道1;所述压缩空气进气总管道1通过第一减压阀3-2与气枪压缩空气管道2连接;所述气枪压缩空气管道2第六控制阀门5-6与吹扫气枪6连接;所述压缩空气进气总管道1通过喷枪压缩空气管道19与喷枪20连接;所述喷枪压缩空气管道19设置第二减压阀3-1、第二控制阀门5-2、A搅动泵9、B搅动泵10、第五控制阀门5-5;所述A搅动泵9、B搅动泵10与喷枪压缩空气管道19之间分别设置第三控制阀门5-3;第四控制阀门5-4;所述喷枪压缩空气管道19设置在固定支架11上;所述A搅动泵9、B搅动泵10下方分别设置A烧杯12、B烧杯13,并且A搅拌桨4-1、B搅拌桨4-2分别插入A烧杯12、B烧杯13中;所述A烧杯12通过A浆液输送管道16与三通转换球阀18连接,所述A浆液输送管道16上设置有A回流管道14通入A烧杯12中;所述B烧杯13通过B浆液输送管道17与三通转换球阀18连接,所述B浆液输送管道17上设置有B回流管道15通入B烧杯13中;所述三通转换球阀18连接喷枪20;所述A浆液输送管道16、B浆液输送管道17均通过双路蠕动泵7。进一步的,上述多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置,该喷涂装置还包括喷涂小车8;所述双路蠕动泵7、固定支架11、A烧杯12、B烧杯13位于喷涂小车8之上。本技术所述的多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置,双路蠕动泵7为高精度双路蠕动泵,使用的A浆液输送管道16、B浆液输送管道17为橡胶软管,双路蠕动泵7工作时,A浆液输送管道16、B浆液输送管道17内形成负压,氮化硅浆液随之流动;坩埚底部氮化硅喷涂浆液量和侧部喷涂浆液量分别用A烧杯12、B烧杯13称量,A浆液输送管道16、B浆液输送管道17进料端分别放入盛放底部氮化硅浆液和侧部氮化硅浆液的A烧杯12、B烧杯13中,出料端连接在喷枪20上,A浆液输送管道16、B浆液输送管道17汇集在一起,通过三通转换球阀18引出一条管道连接喷枪20,A浆液输送管道16、B浆液输送管道17分别有A回流管道14、B回流管道15,分别连入盛放底部和侧部氮化硅浆液的A烧杯12、B烧杯13中;喷涂坩埚底部时,通过三通转换球阀18调节至输送底部氮化硅浆液的A浆液输送管道16工作,而输送坩埚侧部浆液的B浆液输送管道17通过B回流管道15流至盛放侧部浆液的B烧杯13中。当喷涂坩埚侧部时,调节三通转换球阀18,输送侧部氮化硅浆液的B浆液输送管道17工作,输送坩埚底部浆液的A浆液输送管道16通过A回流管道14流至盛放底部浆液的A烧杯12中。如此操作本技术所述的多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置,喷涂底部和侧部的浆液量分别控制,可有效分别控制喷涂在坩埚底部和侧部氮化硅的厚度,解决了各员工因手法的差异导致坩埚底部氮化硅喷涂量存在的较大误差现象,解决了晶花的不稳定性,提升了硅片的效率。以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术,使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术,并不用于限制本技术,凡在本技术的精神和原本文档来自技高网
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一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置

【技术保护点】
一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置,其特征在于,该喷涂装置包括压缩空气进气总管道(1);所述压缩空气进气总管道(1)通过第一减压阀(3‑2)与气枪压缩空气管道(2)连接;所述气枪压缩空气管道(2)第六控制阀门(5‑6)与吹扫气枪(6)连接;所述压缩空气进气总管道(1)通过喷枪压缩空气管道(19)与喷枪(20)连接;所述喷枪压缩空气管道(19)设置第二减压阀(3‑1)、第二控制阀门(5‑2)、A搅动泵(9)、B搅动泵(10)、第五控制阀门(5‑5);所述A搅动泵(9)、B搅动泵(10)与喷枪压缩空气管道(19)之间分别设置第三控制阀门(5‑3);第四控制阀门(5‑4);所述喷枪压缩空气管道(19)设置在固定支架(11)上;所述A搅动泵(9)、B搅动泵(10)下方分别设置A烧杯(12)、B烧杯(13),并且A搅拌桨(4‑1)、 B搅拌桨(4‑2)分别插入A烧杯(12)、B烧杯(13)中;所述A烧杯(12)通过A浆液输送管道(16)与三通转换球阀(18)连接,所述A浆液输送管道(16)上设置有A回流管道(14)通入A烧杯(12)中;所述B烧杯(13)通过B浆液输送管道(17)与三通转换球阀(18)连接,所述B浆液输送管道(17)上设置有B回流管道(15)通入B烧杯(13)中;所述三通转换球阀(18)连接喷枪(20);所述A浆液输送管道(16)、B浆液输送管道(17)均通过双路蠕动泵(7)。...

【技术特征摘要】
1.一种多晶坩埚氮化硅浆料喷涂装置,其特征在于,该喷涂装置包括压缩空气进气总管道(1);所述压缩空气进气总管道(1)通过第一减压阀(3-2)与气枪压缩空气管道(2)连接;所述气枪压缩空气管道(2)第六控制阀门(5-6)与吹扫气枪(6)连接;所述压缩空气进气总管道(1)通过喷枪压缩空气管道(19)与喷枪(20)连接;所述喷枪压缩空气管道(19)设置第二减压阀(3-1)、第二控制阀门(5-2)、A搅动泵(9)、B搅动泵(10)、第五控制阀门(5-5);所述A搅动泵(9)、B搅动泵(10)与喷枪压缩空气管道(19)之间分别设置第三控制阀门(5-3);第四控制阀门(5-4);所述喷枪压缩空气管道(19)设置在固定支架(11)上;所述A搅动泵(9)、B搅动泵(10)下方分别设置A烧杯(12)、B烧...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱松涛冯立学杨定勇
申请(专利权)人:河北凌樱新能源科技有限公司
类型:新型
国别省市:河北,13

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