阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板包括：衬底基板；栅极线，设置在衬底基板上且沿第一方向延伸；数据线，设置在衬底基板上且沿第二方向延伸；栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区；有机膜，设置在栅极线与数据线上以及像素区内；以及像素电极，设置在有机膜上且在像素区内，其中，位于数据线正上方的有机膜具有第一厚度，位于像素电极正下方的有机膜具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。采用该阵列基板既可以降低功耗，也可以提高像素的开口率以及避免像素电极的搭接不良，从而达到改善画面显示的目的。

Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Array substrate, manufacturing method thereof and display device. The array substrate comprises a substrate; a gate line arranged on a substrate and extends along the first direction; the data line set, extending along the second direction of the substrate and the substrate; a gate line and a data line crossing each other to define a pixel region; organic film is formed over the gate line and the data line and a pixel area; and a pixel electrode disposed on the organic film and in the pixel area, wherein, the data line is just above the organic film having a first thickness, organic film is located just below the pixel electrode second has a first thickness greater than second thickness thickness. The adoption of the array substrate can not only reduce power consumption, but also increase the aperture ratio of the pixel and avoid the poor bonding of the pixel electrode so as to improve the display of the picture.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术至少一个实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
随着液晶显示行业的发展，有机膜技术已被广泛的应用于液晶显示面板产品中。有机膜技术的应用，可以明显减小公共电极和像素电极分别与数据线之间的寄生电容，从而可以降低功耗。
技术实现思路
本专利技术的至少一实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置。采用该阵列基板既可以降低功耗，也可以提高像素的开口率以及避免像素电极的搭接不良，从而达到改善画面显示的目的。本专利技术的至少一实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板；栅极线，设置在衬底基板上且沿第一方向延伸；数据线，设置在衬底基板上且沿第二方向延伸；栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区；有机膜，设置在栅极线与数据线上以及像素区内；以及像素电极，设置在有机膜上且在像素区内，其中，位于数据线正上方的有机膜具有第一厚度，位于像素电极正下方的有机膜具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。例如，在本专利技术的一个实施例中，阵列基板还包括：位于像素区内的薄膜晶体管，薄膜晶体管位于有机膜与衬底基板之间，像素电极通过有机膜中的过孔连接到薄膜晶体管的漏极，薄膜晶体管正上方的有机膜的厚度等于第一厚度。例如，在本专利技术的一个实施例中，栅极线正上方的有机膜的厚度等于第一厚度。例如，在本专利技术的一个实施例中，第二厚度与第一厚度的比例不小于0.5。例如，在本专利技术的一个实施例中，像素区还设置有公共电极，公共电极设置在有机膜远离衬底基板的一侧，且在垂直于衬底基板的方向上，公共电极与数据线和栅极线的至少之一有交叠。例如，在本专利技术的一个实施例中，公共电极设置在像素电极远离衬底基板的一侧或设置在像素电极与有机膜之间。例如，在本专利技术的一个实施例中，公共电极为透明导电电极。本专利技术的至少一实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成沿第一方向延伸的栅极线以及沿第二方向延伸的数据线，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区；在栅极线和数据线上以及像素区形成有机膜；以及在有机膜上形成像素电极，像素电极位于像素区内，其中，位于数据线正上方的有机膜具有第一厚度，位于像素电极正下方的有机膜具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。例如，在本专利技术的一个实施例中，还包括：在像素区形成薄膜晶体管，且薄膜晶体管形成于有机膜与衬底基板之间，像素电极通过有机膜中的过孔连接到薄膜晶体管的漏极，薄膜晶体管正上方的有机膜的厚度等于第一厚度。例如，在本专利技术的一个实施例中，有机膜采用半色调掩模工艺形成。例如，在本专利技术的一个实施例中，还包括：在像素区形成公共电极，其中，公共电极形成在有机膜远离衬底基板的一侧，且在垂直于衬底基板的方向上，公共电极与数据线和栅极线的至少之一有交叠。例如，在本专利技术的一个实施例中，公共电极形成在像素电极远离衬底基板的一侧或形成在像素电极与有机膜之间。本专利技术的至少一实施例提供一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的任一种阵列基板。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1a为一种阵列基板的剖面示意图；图1b为图1a示出的阵列基板的剖面示意图；图1c为图1b示出的阵列基板的像素电极断裂示意图；图2a为本专利技术一实施例提供的阵列基板的平面示意图；图2b为图2a示出的阵列基板沿AB方向的剖面示意图；图2c为图2a示出的阵列基板沿CD方向的剖面示意图；图2d为图2a示出的阵列基板沿CD方向的剖面示意图；图3为本专利技术一实施例提供的阵列基板的制作方法示意图。附图标记：10-衬底基板；11-数据线；12-钝化层；20-像素区；21-像素电极；210-裂痕；22-薄膜晶体管；221-漏极；222-源极；223-有源层；224-栅极绝缘层；225-栅极；23-公共电极；30-有机膜；31-过孔；100-衬底基板；101-栅极线；102-数据线；103-钝化层；110-像素区；111-像素电极；112-薄膜晶体管；1121-漏极；1122-源极；1123-有源层；1124-栅极绝缘层；1125-栅极；113-公共电极；120-有机膜；121-过孔。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本专利技术使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。在研究中，本申请的专利技术人发现：在液晶显示装置中应用有机膜技术会带来一些不良，例如，由于设置的有机膜厚度较大，从而导致有机膜的过孔较大，进而影响了像素的开口率；另外，有机膜厚度较大也会导致有机膜的过孔较深，从而引起像素电极在过孔中的搭接不良，导致产生像素暗点。图1a为一种阵列基板的剖面示意图，如图1a所示，该阵列基板包括数据线11、由数据线11和栅极线(图1a未示出)彼此交叉以限定的像素区20、设置在数据线11与栅极线上以及像素区20内的有机膜30以及设置在有机膜30上以及像素区20内的像素电极21。一般显示区中的有机膜的厚度一致，即设置在数据线11正上方的有机膜30的厚度与设置在像素区20的有机膜30的厚度是相同的。需要说明的是，数据线的厚度相对于有机膜的厚度较小，这里可以不考虑数据线的厚度。图1a示意性的示出有机膜在显示区的各位置厚度一致，有机膜远离数据线的上表面示意为平面，但实际工艺中，有机膜远离数据线的上表面不完全是平面，有机膜在覆盖数据线的位置有起伏。同理，后续提到的薄膜晶体管正上方的有机膜即为像素区内的有机膜，该有机膜远离薄膜晶体管的上表面也示意为平面。图1b为图1a示出的阵列基板的剖面示意图，如图1b所示，该阵列基板还包括衬底基板10。设置在衬底基板10上的像素区20还包括公共电极23以及薄膜晶体管22。该薄膜晶体管22包括与像素电极21电连接的漏极221，与数据线11电连接的源极222，与栅极线电连接的栅极225，以及有源层223和栅极绝缘层224。图1b以阵列基板为高级超维场转换技术(ADS)中的阵列基板为例进行描述，即像素电极21设置在公共电极23远离衬底基板10的一侧，且像素电极21与公共电极23之间设置有钝化层12。如图1b所示，由于有机膜30的厚度较大，即有机膜30沿图中所示的X方向的尺寸较大，使得有机膜30的过孔31的孔径较大，从而降低了像素的开口率。图1c为图1b示出的阵列基板的像素电极断裂示意图，如图1c所示，由于有机膜30的厚度较大，使得过孔31沿X方向的深度较深，导致像素电极21在过孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板；栅极线，设置在所述衬底基板上且沿第一方向延伸；数据线，设置在所述衬底基板上且沿第二方向延伸；所述栅极线和所述数据线彼此交叉以限定像素区；有机膜，设置在所述栅极线与所述数据线上以及所述像素区内；以及像素电极，设置在所述有机膜上且在所述像素区内，其中，位于所述数据线正上方的所述有机膜具有第一厚度，位于所述像素电极正下方的所述有机膜具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板；栅极线，设置在所述衬底基板上且沿第一方向延伸；数据线，设置在所述衬底基板上且沿第二方向延伸；所述栅极线和所述数据线彼此交叉以限定像素区；有机膜，设置在所述栅极线与所述数据线上以及所述像素区内；以及像素电极，设置在所述有机膜上且在所述像素区内，其中，位于所述数据线正上方的所述有机膜具有第一厚度，位于所述像素电极正下方的所述有机膜具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括，位于所述像素区内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述有机膜与所述衬底基板之间，所述像素电极通过所述有机膜中的过孔连接到所述薄膜晶体管的漏极，所述薄膜晶体管正上方的所述有机膜的厚度等于所述第一厚度。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述栅极线正上方的所述有机膜的厚度等于所述第一厚度。4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其中，所述第二厚度与所述第一厚度的比例不小于0.5。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述像素区还设置有公共电极，所述公共电极设置在所述有机膜远离所述衬底基板的一侧，且在垂直于所述衬底基板的方向上，所述公共电极与所述数据线和所述栅极线的至少之一有交叠。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述公共电极设置在所述像素电极远离所述衬底基板的一侧或设置在所述像素电极与所述有机膜之间。7.根据权利要求5或6所述的阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈传宝，尹小斌，马俊才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11