【技术实现步骤摘要】
具有稳定波瓣宽度和共模抑制特性的宽带差分多偶极子天线
本技术涉及差分宽带基站天线
,具体涉及一种具有稳定波瓣宽度和共模抑制特性的宽带差分多偶极子天线。
技术介绍
随着电信技术的不断发展,不同的无线通信系统的工作频段各不相同,比如2G工作在1710–1920MHZ频段,3G工作在1880–2170MHZ频段,而4G却在2300–2400MHZ、2570–2690MHZ频段。为了同时满足不同通信系统的需求,基站天线须同时覆盖1710–2690MHZ频段。此外,无信通信系统对射频器件的小型化、高集成度需求也越来越强烈。当前,射频电路大都采用差分技术来传输信号,大部分的射频前端器件都可以直接集成到收发器芯片上。然而作为射频前端电路的重要器件,大多数天线却被设计成单端口器件,不能直接与差分器件集成,而需要额外采用巴伦把差分天线转换为单端口信号再馈入天线。巴伦的使用一方面增加了独立器件的数量,从而增加了负荷,另一方面会造成损耗,使天线的性能降低。采用差分馈电的天线将天线由单端口形式改为双端口形式,直接把差分信号馈进天线的两个端口,从而不需要另加巴伦。差分天线可以直接与差分电路集成,不需要使用巴伦,而且还天然具有共模抑制的特性,这样既提高了天线性能,又减轻了负荷。2013年,Qing-XinChu,YuLuo在“IEEETRANSACTIONSONANTENNASANDPROPAGATION”发表题为“ABroadbandUnidirectionalMulti-DipoleAntennaWithVeryStableBeamwidth”的文章中,使用传统的单端口天线 ...
【技术保护点】
一种具有稳定波瓣宽度和共模抑制特性的宽带差分多偶极子天线,其特征在于,包括第三介质基板(1c)、位于所述第三介质基板(1c)下方的接地板(5)、以及位于所述第三介质基板(1c)与所述接地板(5)之间的第一同轴线(3a)和第二同轴线(3b)以及用于支撑所述第三介质基板(1c)的第一支撑板(4a)和第二支撑板(4b)、位于所述第三介质基板(1c)上方左右两侧的对称倾斜设置的第一介质基板(1a)和第二介质基板(1b);所述第一介质基板(1a)的下侧面设置有第一共面带状线(7a)、第一长偶极子(8a)以及第一短偶极子(9a),所述第二介质基板(1b)的下侧面设置有第二共面带状线(7b)、第二长偶极子(8b)以及第二短偶极子(9b);所述第三介质基板(1c)的下侧面设置有第三共面带状线(7c)、第一金属板(12a)、第二金属板(12b),所述第三介质基板(1c)的上侧面设置有微带线(11);其中,所述第一长偶极子(8a)、所述第二长偶极子(8b)、所述第一短偶极子(9a)、所述第二短偶极子(9b)构成的多偶极子天线,用于完成天线信号的发射或接收;而所述第三共面带状线(7c)左右两端分别与所述第一 ...
【技术特征摘要】
1.一种具有稳定波瓣宽度和共模抑制特性的宽带差分多偶极子天线,其特征在于,包括第三介质基板(1c)、位于所述第三介质基板(1c)下方的接地板(5)、以及位于所述第三介质基板(1c)与所述接地板(5)之间的第一同轴线(3a)和第二同轴线(3b)以及用于支撑所述第三介质基板(1c)的第一支撑板(4a)和第二支撑板(4b)、位于所述第三介质基板(1c)上方左右两侧的对称倾斜设置的第一介质基板(1a)和第二介质基板(1b);所述第一介质基板(1a)的下侧面设置有第一共面带状线(7a)、第一长偶极子(8a)以及第一短偶极子(9a),所述第二介质基板(1b)的下侧面设置有第二共面带状线(7b)、第二长偶极子(8b)以及第二短偶极子(9b);所述第三介质基板(1c)的下侧面设置有第三共面带状线(7c)、第一金属板(12a)、第二金属板(12b),所述第三介质基板(1c)的上侧面设置有微带线(11);其中,所述第一长偶极子(8a)、所述第二长偶极子(8b)、所述第一短偶极子(9a)、所述第二短偶极子(9b)构成的多偶极子天线,用于完成天线信号的发射或接收;而所述第三共面带状线(7c)左右两端分别与所述第一共面带状线(7a)、所述第二共面带状线(7b)相连,同时,所述第一共面带状线(7a)、所述第二共面带状线(7b)、所述第三共面带状线(7c)以及所述第一同轴线(3a)、所述第二同轴线(3b)、所述第一金属板(12a)、所述第二金属板(12b)组成所述宽带差分多偶极子天线的馈电部分,用于完成天线的馈电功能。2.根据权利要求1所述的具有稳定波瓣宽度和共模抑制特性的宽带差分多偶极子天线,其特征在于,所述第一介质基板(1a)和所述第二介质基板(1b)与所述第三介质基板(1c)的倾斜角度分别为正、负54度。3.根据权利要求1或2所述的具有稳定波瓣宽度和共模抑制特性的宽带差分多偶极子天线,其特征在于,所述第一同轴线(3a)和所述第二同轴线(3b)均包括内导体和外导体,所述接地板(5)与所述第一同轴线(3a)以及所述第二同轴线(3b)连接的位置开设有第一端口(6a)和第二端口(6b),所述第一同轴线(3a)和所述第二同轴线(3b)底端的内导体分别通过所述第一端口(6a)和所述第二端口(6b)穿过所述接地板(5);所述第三介质基板(1c)与所述第一同轴线(3a)以及所述第二同轴线(3b)连接的位置开设有第一通孔(10a)...
【专利技术属性】
技术研发人员:孔永丹,肖兴慰,罗宇,褚庆昕,
申请(专利权)人:华南理工大学,
类型:新型
国别省市:广东,44
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