一种触控基板和触控显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种触控基板和触控显示装置，该触控基板包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的触控层，所述触控层在所述触控基板的触控区域为一完整的膜层，所述触控层包括触控电极的图形和绝缘图形。本实用新型专利技术中，包括触控电极的图形的触控层在触控基板的触控区域为一完整的膜层，因而触控电极的图形没有坡度角，不会对外界光线形成反射，提高了具有该触控基板的触控显示装置的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种触控基板和触控显示装置
本技术涉及触控
，尤其涉及一种触控基板和触控显示装置。
技术介绍
随着平板智能手机和平板电脑的快速发展，触摸屏技术发展迅速。现有的触摸屏技术主要有电阻式、电容式和红外光学式。电阻式通过按压使两层电极导通确定触摸点；电容式通过人体触摸后电容变化确定触摸点；红外光学式是通过手指阻挡红外光线接收确定触摸点。由于反应灵敏，电容式触摸屏广泛应用于移动应用产品。市场上主流的电容式触摸屏分为：OGS(OneGlassSolution)、On-CellTouch和In-CellTouch。OGS是在液晶面板表面贴合一张具有触摸功能的玻璃；On-CellTouch是将触摸功能制作在彩膜基板(CF)表面；In-CellTouch是将触摸功能制作在cell内部。考虑轻薄化和成本因素，On-CellTouch和In-CellTouch是以后触摸技术的发展方向。请参考图1，图1是现有技术中的一种On-CellTouch触摸屏的结构示意图。该触摸屏包括阵列基板11和彩膜基板31，阵列基板11和彩膜基板31通过封框胶21对合连接，其中，触控电极的图形4a设置于彩膜基板31上，触控电极的图形4a通常由ITO薄膜层通过构图工艺(包括曝光、显影和刻蚀等工艺)形成。由于触控电极的图形4a存在一定坡度角，坡度角的部位会对外界的光线形成反射，可形成明显的反射光条纹，影响显示效果。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种触控基板和触控显示装置，用于解决现有的On-CellTouch触摸屏中触控电极的图形存在坡度角，会对外界的光线形成反射，可形成明显的反射光条纹，影响显示效果的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种触控基板，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的触控层，所述触控层在所述触控基板的触控区域为一完整的膜层，所述触控层包括触控电极的图形和绝缘图形。优选地，所述触控电极的图形和绝缘图形由同一透明半导体薄膜层形成，所述触控电极的图形由所述透明半导体薄膜层的一部分通过导体化处理形成，所述绝缘图形由所述透明半导体薄膜层的一部分通过绝缘化处理形成。优选地，所述透明半导体薄膜层由透明金属氧化物半导体材料形成。优选地，所述透明金属氧化物半导体材料为InGaZnO、InGaO、ITZO或AlZnO。优选地，由所述透明半导体薄膜层通过导体化处理形成的导体材料中，氧原子的含量为15％～30％，由所述透明半导体薄膜层通过绝缘化处理形成的绝缘材料中，氧原子的含量为70％～85％。优选地，所述触控电极的图形的电导率为大于103(Ωcm)-1，所述绝缘图形的电导率小于10-10(Ωcm)-1。优选地，所述触控基板为彩膜基板，所述衬底基板为所述彩膜基板的衬底基板。优选地，所述触控电极的图形和所述绝缘图像设置于所述衬底基板的出光侧。优选地，所述触控层还包括半导体图形。本技术还提供一种触控显示装置，包括上述触控基板。本技术的上述技术方案的有益效果如下：包括触控电极的图形的触控层在触控基板的触控区域为一完整的膜层，因而触控电极的图形没有坡度角，不会对外界光线形成反射，提高了具有该触控基板的触控显示装置的显示效果。附图说明图1为现有技术中的一种On-CellTouch触摸屏的结构示意图；图2为本技术一实施例的触控基板的剖视图；图3A为本技术一实施例的触控基板的俯视图；图3B为本技术的另一实施例的触控基板的俯视图；图4为本技术一实施例的触控显示装置的结构示意图；图5A-图5H为本技术一实施例的触控基板的制作方法示意图；图6A-图6H为本技术另一实施例的触控基板的制作方法示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。为解决现有的On-CellTouch触摸屏中触控电极的图形存在坡度角，会对外界的光线形成反射，可形成明显的反射光条纹，影响显示效果的问题，本技术实施例提供一种触控基板，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的触控层，所述触控层在所述触控基板的触控区域为一完整的膜层，所述触控层包括触控电极的图形和绝缘图形。由于包括触控电极的图形的触控层在触控基板的触控区域为一完整的膜层，因而触控电极的图形没有坡度角，不会对外界光线形成反射，提高了具有该触控基板的触控显示装置的显示效果。在本技术的一些实施例中，触控层仅包括触控电极的图形和绝缘图形，即导电图形和绝缘图形，当然，在本技术的其他一些实施例中，触控层还可以包括其他图形，例如半导体图形，举例来说，触控电极的图形和绝缘图形之间还包括半导体图形。请参考图2，图2为本技术一实施例的触控基板的剖视图，该触控基板包括：衬底基板311以及设置于所述衬底基板311上的触控层，所述触控层在所述触控基板的触控区域为一完整的膜层，所述触控层仅包括触控电极的图形41和绝缘图形42。本技术实施例中，触控电极的图形41和绝缘图形42位于同一层，且在触控基板的触控区域形成一完整的膜层，即两者之间的图形无间隙连接，因而触控电极的图形41不会产生坡度角，不会对外界光线形成反射，提高了具有该触控基板的触控显示装置的显示效果。请参考图3A，图3为本技术的一实施例的触控基板的俯视图，图3A所述的实施例中，触控基板为互容式触控基板，触控层仅包括触控电极的图形和绝缘图形，触控电极的图形包括触控驱动电极的图形411和触控感应电极的图形412，从图3A中可以看出，触控驱动电极的图形411、触控感应电极的图形412和绝缘图形42位于同一层，且三者在触控基板的触控区域形成一完整的膜层。当然，在本技术的其他一些实施例中，触控基板也可以是自容式触控基板。优选地，本技术实施例中，所述触控电极的图形41和绝缘图形42由同一透明半导体薄膜层形成，所述触控电极的图形41由所述透明半导体薄膜层的一部分通过导体化处理形成，所述绝缘图形42由所述透明半导体薄膜层的一部分通过绝缘化处理形成。当所述触控层的图形仅包括触控电极的图形和绝缘图形时，透明半导体薄膜层一部分变为触控电极的图形，另一部分变为绝缘图形。也就是说，在形成触控电极的图形41时，不需要进行曝光、显影和刻蚀等构图工艺，只需要先形成一整层的透明半导体薄膜层，然后将透明半导体薄膜层的需要形成触控电极的图形的部分，进行导体化处理转换为导体材料，其他部分的透明半导体薄膜层进行绝缘化处理，转换为绝缘材料。形成的触控电极的图形41和绝缘图形42组合在一起仍是一完整的膜层结构。当所述触控层的图形包括触控电极的图形、绝缘图形和半导体图形时，透明半导体薄膜层一部分变为触控电极的图形，一部分变为绝缘图形，一部分保持不变成为半导体图形。优选地，所述透明半导体薄膜层由透明金属氧化物半导体材料形成。所述透明金属氧化物半导体材料可以为InGaZnO、InGaO、ITZO或AlZnO等。优选地，由所述透明半导体薄膜层通过导体化处理形成的导体材料中，氧原子的含量为15本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控基板，其特征在于，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的触控层，所述触控层在所述触控基板的触控区域为一完整的膜层，所述触控层包括触控电极的图形和绝缘图形。

【技术特征摘要】
1.一种触控基板，其特征在于，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的触控层，所述触控层在所述触控基板的触控区域为一完整的膜层，所述触控层包括触控电极的图形和绝缘图形。2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述触控电极的图形和绝缘图形由同一透明半导体薄膜层形成，所述触控电极的图形由所述透明半导体薄膜层的一部分通过导体化处理形成，所述绝缘图形由所述透明半导体薄膜层的一部分通过绝缘化处理形成。3.根据权利要求2所述的触控基板，其特征在于，所述透明半导体薄膜层由透明金属氧化物半导体材料形成。4.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，所述透明金属氧化物半导体材料为InGaZnO、InGaO、ITZO或AlZnO。5.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，由所述透明半...

【专利技术属性】
技术研发人员：王盛，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34