The invention discloses a current mode current minimum circuit includes a first current mirror for converting a first input current to the first current sink; second current mirror for second input current is converted to second current sink; operation unit, according to the first and the second current sink current sink size operation the results and output to the current sink; output unit for the unit the computation results to the current source output in the form of the invention realizes a simple structure, low power consumption and small chip area current mode current minimum circuit.
【技术实现步骤摘要】
一种电流模电流最小值电路
本专利技术涉及一种电路,特别是涉及一种电流模电流最小值电路。
技术介绍
目前,电流模电流最小值电路在测量和控制领域有广泛应用。图1为传统的电流最小值电路的电路示意图。其中NMOS管MN1和MN2、PMOS管MP1、MP2和MP3分别构成电流宿电流镜和电流源电流镜,NMOS管MN3、PMOS管MP4和MP5均用作开关,电阻R1的功能是将流过其中的电流转换为电压。NMOS管MN4~MN6、PMOS管MP6~MP10以及电阻R2构成与上述完全相同的电路对输入电流I2进行处理。NMOS管MN7和MN8构成电流宿电流镜,PMOS管MP11和MP12构成电流源电流镜。比较器CMP完成对两个输入电压进行比较并输出相应逻辑值的功能。反相器INV对其输入的逻辑电压进行取反。该电路的原理如下:输入电流I1通过两组电流镜MN1和MN2、MP1~MP3镜像之后分别从PMOS管MP2和MP3的漏极输出两路等值电流,其中通过PMOS管MP2漏极输出的一路电流流过电阻R1后在其上产生压降I1*R1,该电压输入比较器CMP的同相输入端与输入电流I2经同样处理后产生的电压进行比较。另一路通过PMOS管MP3漏极输出的电流与输入电流I2经同样处理后产生的镜像电流进行求和。当I1>I2时,比较器CMP的两个输入值I1*R1>I2*R2,比较器CMP输出逻辑1,反相器INV输出逻辑0,因此NMOS开关管MN3和PMOS开关管MP4导通,而PMOS开关管MP5关断,使得NMOS管电流镜MN1、MN2关闭,输入电流I1被阻断,PMOS管电流镜MP1、MP2、MP ...
【技术保护点】
一种电流模电流最小值电路,包括:第一电流镜,用于将第一输入电流转换为第一电流宿;第二电流镜,用于将第二输入电流转换为第二电流宿;运算单元,用于根据该第一电流宿与该第二电流宿的大小产生一运算结果并以电流宿形式输出;输出单元,用于将该运算单元产生的运算结果以电流源的形式输出。
【技术特征摘要】
1.一种电流模电流最小值电路,包括:第一电流镜,用于将第一输入电流转换为第一电流宿;第二电流镜,用于将第二输入电流转换为第二电流宿;运算单元,用于根据该第一电流宿与该第二电流宿的大小产生一运算结果并以电流宿形式输出;输出单元,用于将该运算单元产生的运算结果以电流源的形式输出。2.如权利要求1所述的一种电流模电流最小值电路,其特征在于:所述输出单元输出的电流大小为所述第一输入电流与第二输入电流中的较小者。3.如权利要求2所述的一种电流模电流最小值电路,其特征在于:该第一电流镜包括第一NMOS管、第三NMOS管,该第一NMOS管、第三NMOS管源极接地,该第一NMOS管的栅漏相连后接该第一输入电流,并连接至该第三NMOS管的栅极,该第三NMOS管漏极接该运算单元。4.如权利要求3所述的一种电流模电流最小值电路,其特征在于:该第二电流镜包括第二NMOS管、第四NMOS管,该第二NMOS管、第四NMOS管源极接地,该第二NMOS管的栅漏相连后接该第二输入电流,并连接至该第四NMOS管的栅极,该第四NMOS管漏极接该运算单元。5.如权利要求4所述的一种电流模电流最小值电路,其特征在于:该运算单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管,该第一PMOS管的栅漏相连连接至第二PMOS管、第三PMO...
【专利技术属性】
技术研发人员:秦义寿,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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