一种减少BBO晶体包络的特殊生长工艺制造技术

本发明专利技术采用炉丝沿炉管竖直方向缠绕，炉管面积的四分之一不绕炉丝的旋转炉生长BBO晶体，晶体开始生长至结束全过程，坩埚不动，炉子旋转，转速2.5转/min，得到包络明显减少的BBO晶体。

Special growth process for reducing BBO crystal envelope

The invention adopts the furnace furnace tube in vertical direction along the wire winding, the crystal growth of BBO rotary furnace tube 1/4 of the area is not around the furnace wire, crystal growth began to the end of the whole process, the crucible does not move, the rotation speed of 2.5 /min, BBO significantly reduced the crystal envelope.

【技术实现步骤摘要】
一种减少BBO晶体包络的特殊生长工艺
本专利技术涉及晶体生长领域，特别涉及一种减少BBO晶体包络的生长工艺。
技术介绍
低温相偏硼酸钡β-BaB2O4是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。虽然该晶体具有优异的性能，但是实际晶体生长想要得到大尺寸优质的晶体毛坯并不容易，晶体中存在一些质量问题：主要有中间包络、气泡、生长纹等。
技术实现思路
本专利技术的目的是探究一种减少BBO晶体包络的特殊生长工艺，本专利技术通过如下方式实现：S1将晶体生长用的旋转炉炉丝沿炉管竖直方向缠绕，炉管面积的四分之一不绕炉丝；S2将绕好炉丝的炉管置于熔盐炉中，开始升温至1100℃，恒温24h，于饱和温度以上10℃下籽晶，坩埚保持不动，炉子开始旋转，转速2.5转/min，晶体转速4转/min，当晶体生长快至坩埚壁时，停止晶转，开始以1℃/天的速率降温，180天后停止生长，采用转炉，取出晶体，退火至室温，得到高质量BBO晶体。附图说明图1旋转炉示意图；图2炉丝缠绕示意图。具体实施方式实施例一：称取一定量的碳酸钡、硼酸和氟化钠，满足BaB2O4:NaF=2:1（摩尔比）于原料桶中混匀。将混好的料于1000℃的硅碳棒炉中熔解至反应完全。将熔好的料倒入铂金坩锅置于旋转炉中，升温至980℃，恒温18h，炉子开始以4r/min旋转，而后在饱和温度以上10℃下。将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢的下至熔液表面，4r/min转动，半小时之后降7℃，晶体开始生长，直至晶体快至坩埚壁停止籽晶杆旋转，以1℃/天降温，降温180天，晶体生长结束，采用转炉，取出晶体，退火至室温。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少BBO晶体包络的特殊生长工艺，其特征在于，所述工艺包括：S1将晶体生长用的旋转炉炉丝沿炉管竖直方向缠绕，炉管面积的四分之一不绕炉丝；S2将绕好炉丝的炉管置于熔盐炉中，开始升温至1100℃，恒温24h，于饱和温度以上10℃下籽晶，坩埚保持不动，炉子开始旋转，转速2.5转/min，晶体转速4转/min，当晶体生长快至坩埚壁时，停止晶转，开始以1℃/天的速率降温，180天后停止生长，采用转炉，取出晶体，退火至室温。

【技术特征摘要】
1.一种减少BBO晶体包络的特殊生长工艺，其特征在于，所述工艺包括：S1将晶体生长用的旋转炉炉丝沿炉管竖直方向缠绕，炉管面积的四分之一不绕炉丝；S2将绕好炉丝的炉管置于熔盐炉中，开始升温至1100℃，恒温24h，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昌运，
申请(专利权)人：福建福晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35