一种高通量CVD制备硅碳氧薄膜的装置制造方法及图纸
Device for preparing silicon carbon oxygen film by high throughput CVD
The invention belongs to the field of coating equipment development, in particular to a device for preparing silicon carbon oxygen film by high throughput CVD. On the basis of high flux CVD coating technology, the structure of CVD deposition reaction chamber is designed, and the gas (SiH) of different reaction precursor is utilized
【技术实现步骤摘要】
一种高通量CVD制备硅碳氧薄膜的装置
本专利技术属于镀膜设备开发领域，主要将高通量化学气相沉积(CVD)镀膜技术应用于硅碳氧薄膜的制备，在单次镀膜过程中，在同一衬底基片上实现不同成分硅碳氧薄膜材料的高通量制备，具体为一种高通量CVD制备硅碳氧薄膜的装置。
技术介绍
硅碳氧(SiCxOy)薄膜材料拥有碳化硅(SiC)和二氧化硅(SiO2)相似的特性，具有很好的热稳定性，具有很好的机械强度，具有宽的带隙，极好的光学性能。这些优良的特性使得硅碳氧(SiCxOy)薄膜材料在电子领域、光学领域具有极好的工业化应用价值。比如，Pilkington公司的K系列低辐射玻璃产品就采用SiCxOy薄膜材料作为透明导电氧化物膜层与玻璃之间的隔离层和消色层。其作用是要隔离玻璃中的钠离子溢出到透明导电氧化物膜层，同时抑制薄膜的色彩饱和度，使产品表现出中性色。作为三元化合物薄膜材料，硅碳氧的折射率系数会随着硅—碳—氧三种元素含量的变化而变化，即硅碳氧的折射率可调，因而SiCxOy氧化物薄膜材料具有SiO2及SiC所没有的优良光学特性。CVD镀膜技术是制备SiCxOy氧化物薄膜材料比较常规的方...
【技术保护点】
一种高通量CVD制备硅碳氧薄膜的装置，包括气源、管路、质量流量计MFC、控制阀门、CVD沉积反应室、废气焚烧炉和排空设备，其特征在于：气源包括反应气体和载气，反应气体分别是硅烷SiH
【技术特征摘要】
1.一种高通量CVD制备硅碳氧薄膜的装置，包括气源、管路、质量流量计MFC、控制阀门、CVD沉积反应室、废气焚烧炉和排空设备，其特征在于：气源包括反应气体和载气，反应气体分别是硅烷SiH4、乙烯C2H4和氧气O2，载气为氮气N2，其化学反应过程如下，反应温度为600-800℃的高温：三种反应气体在CVD沉积反应室内的流向分布而形成浓度比的梯度变化，从而在衬底基片上形成硅碳氧成分比梯度变化的SiCxOy薄膜组合材料；管路为气体的运输管道，用于连通MFC、控制阀门、CVD沉积反应室、废气焚烧炉和排空设备；MFC共计7个，用于控制气源的流量；MFC1控制O2流量，MFC2控制C2H4的流量，MFC3控制SiH4的流量，MFC4控制N2汇入O2的流量，MFC5控制N2汇入C2H4的流量，MFC6控制N2汇入SiH4的流量，MFC7控制N2作为吹扫气体的流量；控制阀门选用三通阀，共计4个，用于控制气体的流向；三通阀1用于控制O2和N2的混合气体流入CVD沉积反应室或直接进入焚烧炉，三通阀2用于控制C2H4和N2的混合气体流入CVD沉积反应室或直接进入焚烧炉，三通阀3用于控制SiH4和N2的混合气体流入CVD沉积反应室或直接进入焚烧炉，吹扫三通阀4用于控制N2流入CVD沉积反应室或直接进入焚烧炉。废气焚烧炉用于焚烧反应气体或反应废气，将其分解成水、CO2、SiO2等对环境无害的成分；排空设备用于将焚烧后的气体排入大气中，同时使得整个管道系统相对于大气压产生微弱的负压，以利于整个装置气流的输运。反应气体进入CVD沉积反应室，经过高温沉积反应形成硅碳氧成分梯度变化的薄膜材料；所述CVD沉积反应室用于高通量SiCxOy薄膜组合材料的化学反应...
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