浪涌保护电路以及使用该电路的电子装置制造方法及图纸

提供了一种浪涌保护电路，包括：双向电压抑制器；以及晶闸管型浪涌抑制单元，与该双向电压抑制器并联，该双向电压抑制器的第一端与该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端连接，该双向电压抑制器的第二端与该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端连接，其特征在于：该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端到第二端的方向上的转折电压或击穿电压大于该双向电压抑制器的第一端到第二端的方向上的嵌位电压；以及该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端到第一端的方向上的转折电压小于该双向电压抑制器的第二端到第一端的方向上的嵌位电压。还提供了一种具有上述浪涌保护电路的电子装置。

【技术实现步骤摘要】
浪涌保护电路以及使用该电路的电子装置
本专利技术涉及电路保护领域，特别是涉及一种浪涌保护电路以及一种使用该浪涌保护电路的电子装置。
技术介绍
电子装置经常会受到过电压的干扰。包括遭受雷击产生的过电压和供电系统的过电压。过电压会损坏设备，必须采取保护措施，将过电压降低到可接受的水平。为了保护电子装置，可以采用浪涌保护电路，图1示出了一种现有的具体浪涌保护电路，该浪涌保护电路中双向TSS(ThyristorSurgeSuppressor，晶闸管电涌抑制器)和单向TVS(TransientVoltageSuppressor，瞬态电压抑制器)串联，其中该双向TSS与电源正极连接，该单向TVS的负极与该双向TSS连接，该单向TVS的正极与电源负极连接。这样，在所述电源的端口受到正极到负极的浪涌冲击时双向TSS和单向TVS导通，以分流浪涌电流，并且所述单向TVS将所述单向TVS两端的浪涌电压箝位到箝位电压，该双向TSS和单向TVS在所述电源的端口受到负极到正极的浪涌冲击时导通，以分流浪涌电流。然而，以上的浪涌保护电路存在以下缺点：在直流电源口，遭受不同极性(正或负)的雷击时，电路的防雷性能有较大差异。当遭受从电源负极到电源正极的雷击时，浪涌保护电路两端的残压较高，与被保护电路连接使用时，进入被保护电路的电流较大，容易损坏被保护电路。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种浪涌保护电路，以解决现有的保护模块在遭受从电源负极到电源正极的雷击时，模块两端的残压较高，进入被保护电路的电流较大，容易损坏被保护电路的问题。为实现以上目的，本专利技术提供一种浪涌保护电路，包括：双向电压抑制器；以及晶闸管型浪涌抑制单元，与该双向电压抑制器并联，该双向电压抑制器的第一端与该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端连接，该双向电压抑制器的第二端与该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端连接，其特征在于：该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端到第二端的方向上的转折电压或击穿电压大于该双向电压抑制器的第一端到第二端的方向上的嵌位电压；以及该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端到第一端的方向上的转折电压小于该双向电压抑制器的第二端到第一端的方向上的嵌位电压。在某些实施例中，晶闸管型浪涌抑制单元为非对称晶闸管型浪涌抑制单元。优选地，该非对称晶闸管型浪涌抑制单元为单向导通反向截止晶闸管型浪涌抑制单元。优选地，该非对称晶闸管型浪涌抑制单元为双向不对称晶闸管浪涌抑制器，该双向不对称晶闸管浪涌抑制器的第一端到第二端的方向上的转折电压大于该双向不对称晶闸管浪涌抑制器的第二端到第一端的方向上的转折电压。优选地，该非对称晶闸管型浪涌抑制单元包括单向二极管和晶闸管浪涌抑制器，该单向二极管与该晶闸管浪涌抑制器串联后与该双向电压抑制器并联，其中该单向二极管的阴极与该双向电压抑制器的第一端连接，或者该单向二极管的阳极与该双向电压抑制器的第二端连接。在某些实施例中，该双向电压抑制器为双向TVS、双向不对称TVS、压敏电阻或双向稳压管。在某些实施例中，该双向不对称TVS的第一端到第二端方向上的嵌位电压小于该双向不对称TVS的第二端到第一端方向上的嵌位电压。在某些实施例中，该浪涌保护电路还包括脱扣装置，该脱扣装置与该双向电压抑制器和该晶闸管型浪涌抑制单元中的一者串联后与该双向电压抑制器和该晶闸管型浪涌抑制单元中的另一者并联。在某些实施例中，该浪涌保护电路还包括两个脱扣装置，一个脱扣装置与该双向电压抑制器串联形成第一支路，另一个脱扣装置与和该晶闸管型浪涌抑制单元串联形成第二支路，该第一支路与该第二支路并联。在某些实施例中，还包括单向二极管，该单向二极管与该双向电压抑制器串联后与该晶闸管型浪涌抑制单元并联，其中该单向二极管的阳极与该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端连接，或者该单向二极管的阴极与该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端连接。本专利技术还提供一种电子装置，包括：主体电路，具有输入端；以及如所述的浪涌保护电路，与该主体电路并联并与该主体电路的输入端连接。本专利技术的浪涌保护电路中，双向电压抑制器和晶闸管型浪涌抑制单元并联，该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端到第二端的方向上的转折电压或击穿电压大于该双向电压抑制器的第一端到第二端的方向上的嵌位电压；以及该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端到第一端的方向上的转折电压小于该双向电压抑制器的第二端到第一端的方向上的嵌位电压。当浪涌保护电路受到从双向电压抑制器的第一端到第二端的浪涌时，双向电压抑制器导通，以分流浪涌电流，并且将双向电压抑制器两端的浪涌电压箝位到箝位电压。当浪涌保护电路受到从晶闸管型浪涌抑制单元的第二端到第一端的浪涌时，晶闸管型浪涌抑制单元导通，以分流浪涌电流，并且晶闸管型浪涌抑制单元将其两端的浪涌电压抑制到通态电压。以上的浪涌保护电路能够降低其两端的残压，进而能够显著减小后级电路的分流，提升浪涌的防护能力。因此，能够有效地保护电子装置免受浪涌电流的损害。附图说明图1是现有的浪涌保护电路的示意图；图2是本专利技术的实施例的浪涌保护电路的示意图；图3A是非对称晶闸管型浪涌抑制单元为单向导通反向截止TSS的实施例的示意图；图3B是单向导通反向截止TSS的V-I曲线。图3C是非对称晶闸管型浪涌抑制单元为双向不对称TSS的实施例的示意图；图3D是双向不对称TSS的V-I曲线。图3E是非对称晶闸管型浪涌抑制单元的另一种实施例的示意图图4A-4D是双向电压抑制器的不同实施例的示意图；图4E是双向不对称TVS的V-I曲线；图5A-5C是本专利技术的实施例的浪涌保护电路包括脱扣器件的示意图；以及图6是本专利技术的另一实施例的浪涌保护电路的示意图；图7是本专利技术的实施例的电子装置的示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。需要说明的是，在附图或说明书描述中，相似或相同的特征都使用相同的标号。参见图2，本专利技术的某些实施例的浪涌保护电路，包括：双向电压抑制器202和晶闸管型浪涌抑制单元208，双向电压抑制器202与晶闸管型浪涌抑制单元208并联。该双向电压抑制器202的第一端204与该晶闸管型浪涌抑制单元208的第一端210连接，该双向电压抑制器202的第二端206与该晶闸管型浪涌抑制单元208的第二端212连接。该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端210到第二端212的方向上的转折电压或击穿电压大于该双向电压抑制器的第一端204到第二端206的方向上的嵌位电压；以及该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端212到第一端210的方向上的转折电压小于该双向电压抑制器的第二端206到第一端204的方向上的嵌位电压。本实施例的浪涌保护电路中，双向电压抑制器和晶闸管型浪涌抑制单元并联，该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端到第二端的方向上的转折电压或击穿电压大于该双向电压抑制器的第一端到第二端的方向上的嵌位电压；以及该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端到第一端的方向上的转折电压小于该双向电压抑制器的第二端到第一端的方向上的嵌位电压。当浪涌保护电路受到从双向电压抑制器的第一端到第二端的浪涌时，双向电压抑制器导通，以分流浪涌电流，并且将双向电压抑制器两端的浪涌电压箝位到箝位电压。当浪涌保护电路受到从晶闸管型浪本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浪涌保护电路，包括：双向电压抑制器；以及晶闸管型浪涌抑制单元，与该双向电压抑制器并联，该双向电压抑制器的第一端与该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端连接，该双向电压抑制器的第二端与该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端连接，其特征在于：该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端到第二端的方向上的转折电压或击穿电压大于该双向电压抑制器的第一端到第二端的方向上的嵌位电压；以及该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端到第一端的方向上的转折电压小于该双向电压抑制器的第二端到第一端的方向上的嵌位电压。

【技术特征摘要】
1.一种浪涌保护电路，包括：双向电压抑制器；以及晶闸管型浪涌抑制单元，与该双向电压抑制器并联，该双向电压抑制器的第一端与该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端连接，该双向电压抑制器的第二端与该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端连接，其特征在于：该晶闸管型浪涌抑制单元的第一端到第二端的方向上的转折电压或击穿电压大于该双向电压抑制器的第一端到第二端的方向上的嵌位电压；以及该晶闸管型浪涌抑制单元的第二端到第一端的方向上的转折电压小于该双向电压抑制器的第二端到第一端的方向上的嵌位电压。2.如权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，该晶闸管型浪涌抑制单元为非对称晶闸管型浪涌抑制单元。3.如权利要求2所述的浪涌保护电路，其特征在于，该非对称晶闸管型浪涌抑制单元为单向导通反向截止晶闸管浪涌抑制器。4.如权利要求2所述的浪涌保护电路，其特征在于，该非对称晶闸管型浪涌抑制单元为双向不对称晶闸管浪涌抑制器，该双向不对称晶闸管浪涌抑制器的第一端到第二端的方向上的转折电压大于该双向不对称晶闸管浪涌抑制器的第二端到第一端的方向上的转折电压。5.如权利要求2所述的浪涌保护电路，其特征在于，该非对称晶闸管型浪涌抑制单元包括单向二极管和晶闸管浪涌抑制器，该单向二极管与该晶闸管浪涌抑制器串联后与该双向电压抑制器并联，其中该单向二极管的阴极与该双向电压抑制器的第一端连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡锦波，陈国源，骆生辉，李明，
申请(专利权)人：东莞市阿甘半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44