一种高压灭弧快锁连接器制造技术

技术编号:15512857 阅读:152 留言:0更新日期:2017-06-04 05:20
本发明专利技术公开了一种高压灭弧快锁连接器,包括上基座、下基座、挡块、磁铁及接触件;所述上基座为半壳体,所述下基座为半壳体,其内设有第二插槽及方形的凹穴,所述挡块为“U”形的块状体;所述磁铁为两件,分别设于下基座的凹穴内,且磁铁的 N极、S极的指向与第二插槽的轴线方向垂直,接触件为两件,分别设于下基座的第二插槽内,挡块为两件,挡块设于磁铁的上方,所述上基座与下基座扣装。本发明专利技术采用在连接器接触件附近设置磁铁的方式,在磁场的作用下,化解和削弱了连接器对接时接触件所产生的电弧,克服了高电压、低电流连接器使用的瓶颈。具有结构简单、灭弧效果好的优点。

High voltage arc extinguishing quick locking connector

The invention discloses a high-voltage arc quick lock connector includes an upper base, a lower base and a magnet block, and a contact part; the upper base for the half shell, the lower base for the half shell, the recess is arranged in the slot and second square, the block to block U \shape; the magnet is two pieces, are respectively arranged in the recess of the lower base, N and magnet pole and S pole point axis and second vertical slots, contact two, second slots are respectively arranged on the lower base, block two, block at the top the magnet, the upper base and the lower base is buckled. The invention adopts the contact piece arranged near the magnet in the connector in the magnetic field, resolve and weaken the connector contact arc caused, overcomes the bottleneck of high voltage and low current connector use. The utility model has the advantages of simple structure and good arc extinguishing effect.

【技术实现步骤摘要】
一种高压灭弧快锁连接器
本专利技术涉及电连接器
的高压应用,尤其是一种高压灭弧快锁连接器。
技术介绍
现有技术在通讯领域应用的连接器大多为低电压、大电流的方式来传输大功率;在大电流的情况下,降低连接器的温升是个很重要的问题,在使用过程中由于大电流引起的温度过高现象导致功率传输的效率大大折扣,同时大电流的使用所带来的温度过高也给连接器的安全使用带来了隐患;在这样的情况下,要满足同等功率的传输要求,也可采用高电压和低电流来实现,就可以化解大电流传输所带来的不良影响;然而在高电压传输的情况下又会出现另外的问题,那就是高电压连接器接触件在对接时所产生的电弧,如何化解和削弱该电弧,将是突破高电压、低电流连接器推广的瓶颈。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足而提供的一种高压灭弧快锁连接器,本专利技术采用在连接器接触件附近设置磁铁的方式,在磁场的作用下,化解和削弱了连接器对接时接触件所产生的电弧,克服了高电压、低电流连接器使用的瓶颈。具有结构简单、灭弧效果好的优点。实现本专利技术目的的具体技术方案是:一种高压灭弧快锁连接器,其特点包括上基座、下基座、挡块、磁铁及接触件;所述上基座为半壳体,其内并排设有两道第一插槽,第一插槽的一端设有挡块限位块,沿半壳体的扣合边上设有凹槽,所述下基座为半壳体,其内并排设有两道第二插槽,第二插槽的一端设有方形的凹穴,沿半壳体的扣合边上设有凸筋,所述挡块为“U”形的块状体、“U”形块的轴向设有方孔,所述磁铁为标有N极与S极的矩形块,所述接触件为一端设有插口、另一端设有接线端子的导体;所述磁铁为两件,分别设于下基座的凹穴内,且磁铁的N极、S极的指向与第二插槽的轴线方向垂直,接触件为两件,分别设于下基座的第二插槽内,且接触件的插口位于磁铁的上方,挡块为两件,挡块设于磁铁的上方,且挡块的“U”形凹口与接触件的插口端吻合,上基座与下基座扣装,上基座扣合边上的凹槽与下基座的凸筋咬合,上基座内的第一插槽与下基座内的第二插槽吻合,第一插槽内的挡块限位块与挡块触及。本专利技术采用在连接器接触件附近设置磁铁的方式,在磁场的作用下,化解和削弱了连接器对接时接触件所产生的电弧,克服了高电压、低电流连接器使用的瓶颈。具有结构简单、灭弧效果好的优点。附图说明图1为本专利技术的结构示意图;图2为本专利技术上基座结构示意图;图3为本专利技术下基座结构示意图;图4为本专利技术接触件结构示意图;图5为本专利技术挡块结构示意图;图6为磁铁灭弧的结构示意图;图7为本专利技术的使用状态示意图。具体实施方式参阅图1,本专利技术包括上基座1、下基座2、挡块3、磁铁4及接触件5;参阅图1、图2、图3、图4、图5,所述上基座1为半壳体,其内并排设有两道第一插槽11,第一插槽11的一端设有挡块限位块12,沿半壳体的扣合边上设有凹槽13,所述下基座2为半壳体,其内并排设有两道第二插槽21,第二插槽21的一端设有方形的凹穴22,沿半壳体的扣合边上设有凸筋23,所述挡块3为“U”形的块状体、“U”形块的轴向设有方孔31,所述磁铁4为标有N极与S极的矩形块,所述接触件5为一端设有插口51、另一端设有接线端子52的导体;参阅图1、图2、图3、图4、图5,所述磁铁4为两件,分别设于下基座2的凹穴22内,且磁铁4的N极、S极的指向与第二插槽21的轴线方向垂直,接触件5为两件,分别设于下基座2的第二插槽21内,且接触件5的插口51位于磁铁4的上方,挡块3为两件,挡块3设于磁铁4的上方,且挡块3的“U”形凹口与接触件5的插口51端吻合,上基座1与下基座2扣装,上基座1扣合边上的凹槽13与下基座2的凸筋23咬合,上基座1内的第一插槽11与下基座2内的第二插槽21吻合,第一插槽11内的挡块限位块12与挡块3触及。实施例以下结合附图对本专利技术做进一步详细说明:参阅图1、图2、图3、图6、图7,本专利技术在下基座2第二插槽21的一端设置了方形的凹穴22,将磁铁4固定于下基座2的凹穴22内,限定了磁铁4在凹穴22内的水平移动,且使磁铁4的N极、S极的指向与第二插槽21的轴线方向垂直;在磁铁4的上方设置了挡块3,限定了磁铁4在凹穴22内的垂直移动;同时,挡块3的“U”形凹口与接触件5的插口51端吻合,当上基座1与下基座2扣装时,上基座1扣合边上的凹槽13与下基座2的凸筋23咬合,上基座1内的第一插槽11与下基座2内的第二插槽21吻合,第一插槽11内的挡块限位块12与挡块3触及,将挡块3的位移限定。参阅图1、图6、图7,将本专利技术接触件5的接线端子52与用电设备的导线连接,当插头上的对接接触件与本专利技术插接时,插头上的对接接触件穿入挡块3的方孔31与接触件5的插口51插接,此时,插头上的对接接触件与本专利技术接触件5之间电流导通,由于放置在接触件5下方的磁铁4构成灭弧结构,该导通过程处于两块磁铁4所形成的磁场环境中,插头上的对接接触件与本专利技术接触件5之间实施带电插拔时,所产生的电弧在磁场的作用下被改变方向并削弱,从而实现插拔时灭弧的目的。本文档来自技高网...
一种高压灭弧快锁连接器

【技术保护点】
一种高压灭弧快锁连接器,其特征在于它包括上基座(1)、下基座(2)、挡块(3)、磁铁(4)及接触件(5);所述上基座(1)为半壳体,其内并排设有两道第一插槽(11),第一插槽(11)的一端设有挡块限位块(12),沿半壳体的扣合边上设有凹槽(13),所述下基座(2)为半壳体,其内并排设有两道第二插槽(21),第二插槽(21)的一端设有方形的凹穴(22),沿半壳体的扣合边上设有凸筋(23),所述挡块(3)为“U”形的块状体、“U”形块的轴向设有方孔(31),所述磁铁(4)为标有N极与S极的矩形块,所述接触件(5)为一端设有插口(51)、另一端设有接线端子(52)的导体;所述磁铁(4)为两件,分别设于下基座(2)的凹穴(22)内,且磁铁(4)的 N极、S极的指向与第二插槽(21)的轴线方向垂直,接触件(5)为两件,分别设于下基座(2)的第二插槽(21)内,且接触件(5)的插口(51)位于磁铁(4)的上方,挡块(3)为两件,挡块(3)设于磁铁(4)的上方,且挡块(3)的“U”形凹口与接触件(5)的插口(51)端吻合,上基座(1)与下基座(2)扣装,上基座(1)扣合边上的凹槽(13)与下基座(2)的凸筋(23)咬合,上基座(1)内的第一插槽(11)与下基座(2)内的第二插槽(21)吻合,第一插槽(11)内的挡块限位块(12)与挡块(3)触及。...

【技术特征摘要】
1.一种高压灭弧快锁连接器,其特征在于它包括上基座(1)、下基座(2)、挡块(3)、磁铁(4)及接触件(5);所述上基座(1)为半壳体,其内并排设有两道第一插槽(11),第一插槽(11)的一端设有挡块限位块(12),沿半壳体的扣合边上设有凹槽(13),所述下基座(2)为半壳体,其内并排设有两道第二插槽(21),第二插槽(21)的一端设有方形的凹穴(22),沿半壳体的扣合边上设有凸筋(23),所述挡块(3)为“U”形的块状体、“U”形块的轴向设有方孔(31),所述磁铁(4)为标有N极与S极的矩形块,所述接触件(5)为一端设有插口(51)、另一端设有接线端子(52)的导体;...

【专利技术属性】
技术研发人员:张海旭张杰王宏吉
申请(专利权)人:上海航天科工电器研究院有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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