显示装置及其电容结构制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种显示装置及其电容结构。一种电容结构，所述电容结构位于基板上，其中，所述电容结构包括第一极板、平坦化介电膜层以及第二极板，所述第一极板位于所述基板上，所述平坦化介电膜层形成于所述第一极板上，且所述平坦化介电膜层的远离所述第一极板的表面与所述基板的靠近所述第一极板的表面平行；所述第二极板位于所述平坦化介电膜层上。上述显示装置及其电容结构，能够降低电容击穿或短路几率。

Display device and capacitance structure thereof

The utility model relates to a display device and a capacitance structure thereof. A capacitor structure, the capacitor structure is positioned on the substrate, wherein the capacitor structure includes a first electrode, a dielectric film layer and the second flat plate, the first electrode on the substrate, the planarized dielectric film formed on the first electrode on the surface near the first plate and the flat surface away from the first plate of the dielectric layer and the substrate in parallel; the second plates in the planarized dielectric layer. The display device and the capacitor structure thereof can reduce the breakdown or short-circuit probability of the capacitor.

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其电容结构
本技术涉及显示器
，特别是涉及一种显示装置及其电容结构。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，电容结构为常见的无源器件，通常采用MIM(Metal-Insulator-Metal)结构实现。一般地，如图1所示，电容结构20设置在基板10上，电容结构20包括第一电容极板21、电容介电层22以及第二电容极板23。第一电容极板21形成于基板10上，电容介电层22位于第一电容极板21上，第二电容极板23形成于电容介电层22上。再参考图1，由于第一电容极板21采用干刻的方式形成，从而第一电容极板21的边缘有坡度，从而在第一电容极板21的整个表面上沉积电容介电层22后，仍然存在坡度。由于成膜阶梯覆盖率问题，坡度处的膜厚相比于平台处的膜厚要偏薄且膜质也相对较差，从而使得电容在该处容易出现击穿或短路。
技术实现思路
基于此，有必要针对如何降低电容击穿或短路几率的问题，提供一种显示装置及其电容结构。一种电容结构，所述电容结构位于基板上，其中，所述电容结构包括：第一极板，所述第一极板位于所述基板上；平坦化介电膜层，所述平坦化介电膜层形成于所述第一极板上，且所述平坦化介电膜层的远离所述第一极板的表面与所述基板的靠近所述第一极板的表面平行；以及第二极板，所述第二极板位于所述平坦化介电膜层上。上述电容结构，第一极板位于基板上，平坦化介电膜层形成于第一极板上，且平坦化介电膜层的远离第一极板的表面与基板的靠近第一极板的表面平行，再在平坦化介电膜层上形成第二极板，从而使得第一极板的边缘的坡度处也被完全覆盖，且在一定的程度上增加了该处的厚度，进而降低电容击穿或短路几率。在其中一个实施例中，所述平坦化介电膜层的成膜均匀度小于等于10％。在其中一个实施例中，所述平坦化介电膜层的最大厚度为所述第一极板的厚度的两倍及以上，其中，所述平坦化介电膜层的最小厚度为所述平坦化介电膜层的远离所述第一极板的表面与所述基板的靠近所述第一极板的表面之间的最小距离。在其中一个实施例中，所述平坦化介电膜层包括依次层叠的第一平坦化介电膜层和第二平坦化介电膜层。在其中一个实施例中，所述第一平坦化介电膜层为氮化硅膜层和/或氧化硅膜层，所述第二平坦化介电膜层为氮化硅膜层和/或氧化硅膜层。在其中一个实施例中，所述第二极板的厚度大于等于所述第一极板的厚度。在其中一个实施例中，所述第一极板为半导体沟道层，所述第二极板为栅极金属层。一种显示装置，包括上述电容结构。上述显示装置，不易被击穿或短路。附图说明图1为通常的电容结构的结构示意图；图2为一实施例的电容结构的结构示意图图；图3为一实施例的MOS三极管的结构示意图。具体实施方式如图2所示，一实施例的电容结构100包括第一极板110、平坦化介电膜层120以及第二极板130。电容结构100位于基板200上。基板200可以为玻璃基板或聚酰亚胺基板等。第一极板110、平坦化介电膜层120以及第二极板130依次层叠。在本实施例中，第一极板110为第一电容极板，第一极板110位于基板200上。在基板200上形成金属层，再对该金属层进行干刻，得到第一极板110。采用干刻的方式得到的第一极板110的边缘有坡度。平坦化介电膜层120形成于第一极板110上，且平坦化介电膜层120的远离第一极板110的表面与基板200的靠近第一极板110的表面平行，从而平坦化介电膜层120的远离第一极板110的表面为平面，从而使得第一电极的边缘的坡度处也被完全覆盖，且在一定的程度上增加了坡度处的厚度，进而降低电容击穿或短路几率。此外，平坦化介电膜层120可以为氮化硅膜层、氧化硅膜层或氮化硅和氧化硅的掺杂膜层。需要说明的是，平坦化介电膜层120也可以由其他介电材料制成。平坦化介电膜层120的成膜均匀度小于等于10％，从而保证平坦化介电膜层120的表面的均匀度。其中，平坦化介电膜层120的均匀度指的是距离差值与平坦化介电膜层120的远离第一极板110的表面与基板200的靠近第一极板110的表面的最大距离的比值。距离差值为平坦化介电膜层120的远离第一极板110的表面与基板200的靠近第一极板110的表面的最大距离与平坦化介电膜层120的远离第一极板110的表面与基板200的靠近第一极板110的表面的最小距离之间的差值。需要说明的是，平坦化介电膜层120的成膜均匀性可以根据实际需要进行调整。平坦化介电膜层120的最大厚度为第一极板110的厚度的两倍及以上，从而保证平坦化介电膜层120的远离第一极板110的表面为平面。其中，平坦化介电膜层120的最大厚度为平坦化介电膜层120的远离第一极板110的表面与基板200的靠近第一极板110的表面之间的最大距离。其中，平坦化介电膜层120的最大厚度可以根据其成膜均匀度进行计算调整。在本实施例中，以平坦化介电膜层120为氮化硅层为例，平坦化介电膜层120通过以下方式形成：先通过成膜的方式在第一极板110上沉积氮化硅，形成初始氮化硅层，该初始氮化硅层的厚度需达到其表面平坦。其中，初始氮化硅层的厚度根据第一极板110的厚度和初始氮化硅层需要达到的均匀度确定。例如，当初始氮化硅层的均匀度为10％，则初始氮化硅的厚度为第一极板110的厚度的4.5倍。接着，对该初始氮化硅层进行蚀刻，使得电容区的膜厚达到所需膜厚，得到平坦化介电膜层120。在本实施中，蚀刻掉的厚度为第一极板110的厚度的三分之一。此外，需要说明的是，平坦化介电膜层120也可以包括第一平坦化介电膜层和第二平坦化介电膜层。其中，第一平坦化介电膜层为氮化硅膜层和/或氧化硅膜层，第二平坦化介电膜层也为氮化硅膜层和/或氧化硅膜层。第一平坦化介电膜层和第二平坦化介电膜层的材质可以相同，也可以不同。平坦化介电膜层120采用两层的结构，先沉积第一平坦化介电膜层，再通过第二平坦化介电膜层来保证平坦化介电膜层120的平坦化，从而通过两次沉积的方式得到平坦化介电膜层120。第二极板130形成于平坦化介电膜层120上，从而形成电容结构100。在本实施例中，第二极板130的厚度大于等于第一极板110的厚度，从而进一步降低电容击穿或短路几率。上述电容结构100，第一极板110位于基板200上，平坦化介电膜层120形成于第一极板110上，且平坦化介电膜层120的远离第一极板110的表面与基板200的靠近第一极板110的表面平行，再在平坦化介电膜层120上形成第二极板130，从而使得第一极板110的边缘的坡度处也被完全覆盖，且在一定的程度上增加了该处的厚度，进而降低电容击穿或短路几率需要说明的是，上述结构模型也适用于其他图形堆叠结构，如金属氧化物半导体(MetalOxideSemiconductor，MOS)三极管结构。从而改善其边缘场效应以及栅极介电层的漏电等。如图3所示，MOS三极管300位于基板400上，MOS三极管300包括依次层叠的半导体沟道层310、栅极介电层320以及栅极金属层330。其中，栅极介电层320的远离半导体沟道层310的表面与基板400的靠近半导体沟道层310的表面平行。一实施例的显示装置包括上述电容结构100，该显示装置不易被电击穿或短路。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容结构，所述电容结构位于基板上，其特征在于，所述电容结构包括：第一极板，所述第一极板位于所述基板上；平坦化介电膜层，所述平坦化介电膜层形成于所述第一极板上，且所述平坦化介电膜层的远离所述第一极板的表面与所述基板的靠近所述第一极板的表面平行；以及第二极板，所述第二极板位于所述平坦化介电膜层上。

【技术特征摘要】
1.一种电容结构，所述电容结构位于基板上，其特征在于，所述电容结构包括：第一极板，所述第一极板位于所述基板上；平坦化介电膜层，所述平坦化介电膜层形成于所述第一极板上，且所述平坦化介电膜层的远离所述第一极板的表面与所述基板的靠近所述第一极板的表面平行；以及第二极板，所述第二极板位于所述平坦化介电膜层上。2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述平坦化介电膜层的成膜均匀度小于等于10％。3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述平坦化介电膜层的最小厚度为所述第一极板的厚度的两倍以上，其中，所述平坦化介电膜层的最大厚度为所述平坦化介电膜层的远离所述第一极板的表...

【专利技术属性】
技术研发人员：荆冬冬，孟哲宇，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32