一种微晶玻璃发热体的加工工艺制造技术

技术编号:15395923 阅读:124 留言:0更新日期:2017-05-19 07:10
本发明专利技术公开了一种微晶玻璃发热体的加工工艺,包括以下步骤:步骤一:阻金属电浆料发热盘印刷、烧结;(1)印刷:采用200-250目丝网印刷;(2)流平:室温流平,时间10-15min;(3)烘干:在110-150℃温度范围内,干燥10-15min;(4)烧结:隧道炉烧结或普通电阻炉烧结;步骤二:包封层的印刷烧结;(1)印刷:采用200目丝网印刷;(2)流平:室温流平,时间3-10min;(3)烘干:在110-150℃温度范围内,干燥10-15min;(4)烧结:隧道炉烧结或普通电阻炉烧结:本发明专利技术工艺简单,采用本生产工艺可使得到的成品表面无气孔或很少气孔,且表面平整,减少了磨平抛光工作量。

Processing technique of microcrystal glass heat generating body

The invention discloses a processing technology of glass ceramic heater, which comprises the following steps: step one: resistance metal electric heating plate, printing slurry sintering; (1) using 200-250 mesh printing: screen printing; (2) leveling leveling: room temperature, time of 10-15min; (3) drying at the temperature of 110-150 DEG C: within the range of dry 10-15min; (4) sintering sintering sintering furnace or ordinary tunnel furnace; step two: printing sintering package layer; (1) using 200 mesh printing: screen printing; (2) leveling leveling: room temperature, time of 3-10min; (3) drying: at 110-150 DEG C temperature range dry, 10-15min; (4) sintering sintering sintering furnace tunnel or ordinary furnace: the process is simple, the production process makes no pores or rarely stomatal finished surface is obtained, and the surface roughness, reduce polishing Workload\u3002

【技术实现步骤摘要】
一种微晶玻璃发热体的加工工艺
本专利技术涉及一种发热体的加工工艺,具体是一种微晶玻璃发热体的加工工艺。
技术介绍
微晶玻璃(CRYSTOEandNEOPARIES)又称微晶玉石或陶瓷玻璃。是综合玻璃,是一种外国刚刚开发的新型的建筑材料,它的学名叫做玻璃水晶。微晶玻璃和我们常见的玻璃看起来大不相同。它具有玻璃和陶瓷的双重特性,普通玻璃内部的原子排列是没有规则的,这也是玻璃易碎的原因之一。而微晶玻璃象陶瓷一样,由晶体组成,也就是说,它的原子排列是有规律的。所以,微晶玻璃比陶瓷的亮度高,比玻璃韧性强。微晶玻璃是综合玻璃、石材技术发展起来的一种新型建材。因其可用矿石、工业尾矿、冶金矿渣、粉煤灰、煤矸石等作为主要生产原料,且生产过程中无污染,产品本身无放射性污染,故又被称为环保产品或绿色材料。微晶玻璃发热体具有耐腐蚀、耐高温、寿命长、高效节能、温度均匀、导热性能良好、热补偿速度快等优点,而且不含铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯、多溴二苯醚等有害物质,符合欧盟RoHS等环保要求,微晶玻璃元件是将电热体与陶瓷经过高温烧结,固着在一起制成的一种发热元件,能根据本体温度的高低调节电阻大小,从而能将温度恒定在设定值,不会过热,具有节能、安全、寿命长等特点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种微晶玻璃发热体的加工工艺。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种微晶玻璃发热体的加工工艺,包括以下步骤:步骤一:阻金属电浆料发热盘印刷、烧结;(1)印刷:采用200-250目丝网印刷;(2)流平:室温流平,时间10-15min;(3)烘干:在110-150℃温度范围内,干燥10-15min;(4)烧结:隧道炉烧结:烧结温度550℃-600℃,峰值时间10分钟,周期30-40分钟;普通电阻炉烧结:1)室温150℃,保温10分钟;2)150℃-550℃至600℃之间,升温速度每分钟8℃-12℃,到达550℃-600℃后保温10分钟;3)打开炉门,温度降至500℃以下,即可拿出降温;步骤二:包封层的印刷烧结;(1)印刷:采用200目丝网印刷;(2)流平:室温流平,时间3-10min;(3)烘干:在110-150℃温度范围内,干燥10-15min;(4)烧结:隧道炉烧结:烧结温度600℃,峰值时间10分钟,周期30-40分钟;普通电阻炉烧结:1)室温150℃,保温10分钟;2)150℃-600℃,升温速度每分钟8℃-12℃左右,到达600℃后保温10分钟;3)打开炉门,温度降至500℃以下,即可拿出降温。作为本专利技术进一步的方案:步骤一中室温流平的时间为13min。作为本专利技术再进一步的方案:步骤二中室温流平的时间为7min。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:工艺简单,采用本生产工艺可使得到的成品表面无气孔或很少气孔,且表面平整,减少了磨平抛光工作量。附图说明图1为微晶玻璃发热体的加工工艺实施例一中步骤一隧道炉烧结的温度时间示意图。图2为微晶玻璃发热体的加工工艺实施例一中步骤二隧道炉烧结的温度时间示意图。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。实施例一请参阅图1-2,一种微晶玻璃发热体的加工工艺,包括以下步骤:步骤一:阻金属电浆料发热盘印刷、烧结;(1)印刷:采用200-250目丝网印刷;(2)流平:室温流平,时间10-15min;(3)烘干:在110-150℃温度范围内,干燥10-15min(链式隧道炉烧结可免该程序);(4)隧道炉烧结:烧结温度550℃-600℃,峰值时间10分钟,周期30-40分钟;步骤二:包封层的印刷烧结;(1)印刷:采用200目丝网印刷;(2)流平:室温流平,时间3-10min;(3)烘干:在110-150℃温度范围内,干燥10-15min;(4)隧道炉烧结:烧结温度600℃,峰值时间10分钟,周期30-40分钟。实施例二一种微晶玻璃发热体的加工工艺,包括以下步骤:步骤一:阻金属电浆料发热盘印刷、烧结;(1)印刷:采用200-250目丝网印刷;(2)流平:室温流平,时间10-15min;(3)烘干:在110-150℃温度范围内,干燥10-15min(链式隧道炉烧结可免该程序);(4)普通电阻炉烧结:1)室温150℃,保温10分钟;2)150℃-550℃至600℃之间,升温速度每分钟10℃,到达550℃-600℃后保温10分钟;3)打开炉门,温度降至500℃以下,即可拿出降温;步骤二:包封层的印刷烧结;(1)印刷:采用200目丝网印刷;(2)流平:室温流平,时间3-10min;(3)烘干:在110-150℃温度范围内,干燥10-15min;(4)普通电阻炉烧结:1)室温150℃,保温10分钟;2)150℃-600℃,升温速度每分钟10℃,到达600℃后保温10分钟;3)打开炉门,温度降至500℃以下,即可拿出降温。本工艺同样适用于中温烧结型陶瓷发热体和高硼玻璃发热体。上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明,但是本专利并不限于上述实施方式,在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本专利宗旨的前提下做出各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微晶玻璃发热体的加工工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:阻金属电浆料发热盘印刷、烧结;(1)印刷:采用200‑250目丝网印刷;(2)流平:室温流平,时间10‑15min;(3)烘干:在110‑150℃温度范围内,干燥10‑15min;(4)烧结:隧道炉烧结:烧结温度550℃‑600℃,峰值时间10分钟,周期30‑40分钟;普通电阻炉烧结:1)室温150℃,保温10分钟;2)150℃‑550℃至600℃之间,升温速度每分钟8℃‑12℃,到达550℃‑600℃后保温10分钟;3)打开炉门,温度降至500℃以下,即可拿出降温;步骤二:包封层的印刷烧结;(1)印刷:采用200目丝网印刷;(2)流平:室温流平,时间3‑10min;(3)烘干:在110‑150℃温度范围内,干燥10‑15min;(4)烧结:隧道炉烧结:烧结温度600℃,峰值时间10分钟,周期30‑40分钟;普通电阻炉烧结:1)室温150℃,保温10分钟;2)150℃‑600℃,升温速度每分钟8℃‑12℃左右,到达600℃后保温10分钟;3)打开炉门,温度降至500℃以下,即可拿出降温。

【技术特征摘要】
1.一种微晶玻璃发热体的加工工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:阻金属电浆料发热盘印刷、烧结;(1)印刷:采用200-250目丝网印刷;(2)流平:室温流平,时间10-15min;(3)烘干:在110-150℃温度范围内,干燥10-15min;(4)烧结:隧道炉烧结:烧结温度550℃-600℃,峰值时间10分钟,周期30-40分钟;普通电阻炉烧结:1)室温150℃,保温10分钟;2)150℃-550℃至600℃之间,升温速度每分钟8℃-12℃,到达550℃-600℃后保温10分钟;3)打开炉门,温度降至500℃以下,即可拿出降温;步骤二:包封层的印刷烧结;(1)印刷:采...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴启华
申请(专利权)人:中山市乾元高科电子有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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