显示设备制造技术

本发明专利技术公开了一种显示设备，包括：一基板，设有一显示区及一非显示区，且该非显示区围绕该显示区设置；一第一薄膜晶体管单元，设于该显示区上；以及一第二薄膜晶体管单元，设于该非显示区上。其中，该第一薄膜晶体管单元的一第一半导体层具有一第一厚度；该第二晶体管单元的一第二半导体层具有一第二厚度；而该第一厚度小于该第二厚度。

Display device

The invention discloses a display device, which comprises a substrate, a display area and a non display area, and the non display area surrounding the display area; a first thin film transistor unit is arranged in the display area; and a second thin film transistor unit is arranged in the non display area. Among them, a first semiconductor layer of the first thin film transistor element having a first thickness; a second semiconductor layer of the second transistor element has a second thickness; and the thickness is less than the thickness of the first second.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种显示设备，尤指一种显示区与非显示区中的薄膜晶体管单元具有不同结构设计的显示设备。
技术介绍
随着显示器技术不断进步，所有的显示设备均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成薄型显示器，如液晶显示设备、有机发光二极管显示设备或无机发光二极管显示设备等。其中，薄型显示器可应用的领域相当多，举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等显示设备，大多数均使用该些显示设备。虽然液晶显示设备或有机发光二极管显示设备已为市面上常见的显示设备，特别是液晶显示设备的技术更是相当成熟，但随着显示设备不断发展且消费者对显示设备的显示质量要求日趋提高，各家厂商无不极力发展出具有更高显示质量的显示设备。其中，除了显示区上的薄膜晶体管结构外，非显示区中的栅极驱动电路区域所使用的薄膜晶体管单元结构，亦为影响显示设备整体效率的因素的一。有鉴于此，目前仍需针对显示区及非显示区的薄膜晶体管单元结构做改良，以更进一步提升显示设备的显示质量。
技术实现思路
本专利技术提供一显示设备，其中位于显示区的薄膜晶体管单元的半导体层具有至少一凹陷，而可提升此区的薄膜晶体管的负栅极应力(negativegatestress)表现，进而提升此区的薄膜晶体管特性。本专利技术的显示设备包括：一基板，设有一显示区及一非显示区，且该非显示区围绕该显示区设置；一第一薄膜晶体管单元，设于该显示区上；以及一第二薄膜晶体管单元，设于该非显示区上。其中，该第一薄膜晶体管单元包括：一第一栅极电极，设于该基板上；一第一绝缘层，设于该第一栅极电极上；一第一半导体层，设于该第一绝缘层上且与该第一栅极电极对应设置，包括一第一部份与第二部分，且该第一部分与该第二部分相距一预定距离；一第一源极及一第一漏极，分别设于该第一半导体层的该第一部分与该第二部分上。该第二薄膜晶体管单元包括：一第二栅极电极，设于该基板上；一第二绝缘层，设于该第二栅极电极上；一第二半导体层，设于该第二绝缘层上且与该第二栅极电极对应设置；以及一第二源极及一第二漏极，设于该第二半导体层上。其中，该第一半导体层具有一第一厚度，该第二半导体层具有一第二厚度，其中，该第一厚度小于该第二厚度。于本专利技术的显示设备中，该第一厚度与该第二厚度的差值可介于至之间，较佳介于至之间；或该第一厚度与该第二厚度的差值可为第一半导体层的厚度的10-100％。于本专利技术的显示设备中，第一半导体层及第二半导体层的材料可为相同或不同材料，且较佳均为金属氧化物(如：IGZO、AIZO、HIZO、ITZO、IGZTO、或IGTO)。于本专利技术的显示设备中，该第一半导体层的一表面包括一凹陷区域及一平坦区域，该第一半导体层在该凹陷区域具有该第一厚度，该第一半导体层在该平坦区域具有一第三厚度。其中，该第一厚度与该第三厚度的差值介于至之间；或该第一厚度与该第三厚度的差值为该第一半导体层的厚度的10-100％。于本专利技术的显示设备中，于一实施例中，该凹陷区域具有两个，且分别位于该第一部份及该第二部分上；于另一实施例中，该凹陷区域分布于该第一部分、该第二部分、与该第一部分与该第二部分之间的一第三部分上；于再一实施例中，凹陷区域设于部分该第一部分与该第二部分之间的一第三部分上；于更一实施例中，该凹陷区域设于整个该第一部分与该第二部分之间的一第三部分上。本专利技术的显示设备，位于显示区的第一薄膜晶体管单元的第一半导体层的第一厚度小于位于非显示区的第二薄膜晶体管单元的第二半导体层的第二厚度；特别是，于本专利技术的显示设备中，第一半导体层的表面包括一凹陷区域及一平坦区域，此凹陷区域所产生的膜内缺陷可提升第一薄膜晶体管的负栅极应力表现，进而提升第一薄膜晶体管特性。此外，由于非显示区的第二薄膜晶体管作为一栅极驱动电路，故位于此区的第二薄膜晶体管的第二半导体层则不具有凹陷区域，如此可提升第二薄膜晶体管的高电流应力(highcurrentstress)表现。附图说明图1A为本专利技术实施例1的显示设备的上视图。图1B为本专利技术实施例1的显示设备的剖面示意图。图2为本专利技术实施例1的显示设备的显示区上的第一薄膜晶体管单元的剖面示意图。图3为本专利技术实施例1的显示设备的显示区上的第一薄膜晶体管单元的上视图。图4为本专利技术实施例1的显示设备的非显示区上的第二薄膜晶体管单元的上视图。图5为本专利技术实施例1的显示设备的非显示区上的第二薄膜晶体管单元的剖面示意图。图6为本专利技术实施例1的显示设备的显示区及非显示区上的第一薄膜晶体管单元及第二薄膜晶体管单元的剖面示意图。图7A为本专利技术实施例1的第一薄膜晶体管单元的高电流应力测试结果图。图7B为本专利技术实施例1的第一薄膜晶体管单元的负栅极应力测试结果图。图7C为本专利技术实施例1的第一薄膜晶体管单元的负栅极应力加上背光应力的测试结果图。图8A为本专利技术实施例1的第二薄膜晶体管单元的高电流应力测试结果图。图8B为本专利技术实施例1的第二薄膜晶体管单元的负栅极应力测试结果图。图8C为本专利技术实施例1的第一薄膜晶体管单元的负栅极应力加上背光应力的测试结果图。图9为本专利技术实施例2的显示设备的显示区上的第一薄膜晶体管单元的上视图。图10为本专利技术实施例3的显示设备的显示区上的第一薄膜晶体管单元的上视图。图11为本专利技术实施例4的显示设备的显示区上的第一薄膜晶体管单元的上视图。图12A为本专利技术实施例5的显示设备的显示区上的第一薄膜晶体管单元的剖面示意图。图12B为本专利技术实施例5的显示设备的显示区上的第一薄膜晶体管单元的上视图。图13为本专利技术实施例6的显示设备的显示区上的第一薄膜晶体管单元的剖面示意图。【符号说明】11基板11a底面12线路13源极驱动电路14对侧基板15显示层2第一薄膜晶体管单元22第一栅极电极23第一绝缘层24第一半导体层24a，44a表面24b，24c边缘241，242凹陷区域243平坦区域251第一源极252第一漏极253，453通道区4第二薄膜晶体管单元42第二栅极电极43第二绝缘层44第二半导体层451第二源极452第二漏极AA显示区B非显示区D深度P1第一部份P2第二部分P3第三部分T1第一厚度T2第二厚度T3第三厚度具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟习此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术亦可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可针对不同观点与应用，在不悖离本创作的精神下进行各种修饰与变更。再者，说明书与请求项中所使用的序数例如”第一”、”第二”等的用词，以修饰请求项的元件，其本身并不意含及代表该请求元件有任何的前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。实施例1图1A为本实施例的显示设备的上视图，其中，本实施例的显示设备包括：一基板11，设有一显示区AA及一非显示区B，且非显示区B围绕显示区AA设置。本实施例的显示设备更包括源极驱动电路(DriveIC)13，与基板11的非显示区B上的线路12电性连接。此外，于本实施例的显示设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示设备，包括：一基板，设有一显示区及一非显示区，且该非显示区围绕该显示区设置；一第一薄膜晶体管单元，设于该显示区上，包括：一第一栅极电极，设于该基板上；一第一绝缘层，设于该第一栅极电极上；一第一半导体层，设于该第一绝缘层上且与该第一栅极电极对应设置，包括一第一部份与第二部分，且该第一部分与该第二部分相距一预定距离；一第一源极及一第一漏极，分别设于该第一半导体层的该第一部分与该第二部分上；以及一第二薄膜晶体管单元，设于该非显示区上，包括：一第二栅极电极，设于该基板上；一第二绝缘层，设于该第二栅极电极上；一第二半导体层，设于该第二绝缘层上且与该第二栅极电极对应设置；以及一第二源极及一第二漏极，设于该第二半导体层上；其中，该第一半导体层具有一第一厚度，该第二半导体层具有一第二厚度，其中，该第一厚度小于该第二厚度。

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，包括：一基板，设有一显示区及一非显示区，且该非显示区围绕该显示区设置；一第一薄膜晶体管单元，设于该显示区上，包括：一第一栅极电极，设于该基板上；一第一绝缘层，设于该第一栅极电极上；一第一半导体层，设于该第一绝缘层上且与该第一栅极电极对应设置，包括一第一部份与第二部分，且该第一部分与该第二部分相距一预定距离；一第一源极及一第一漏极，分别设于该第一半导体层的该第一部分与该第二部分上；以及一第二薄膜晶体管单元，设于该非显示区上，包括：一第二栅极电极，设于该基板上；一第二绝缘层，设于该第二栅极电极上；一第二半导体层，设于该第二绝缘层上且与该第二栅极电极对应设置；以及一第二源极及一第二漏极，设于该第二半导体层上；其中，该第一半导体层具有一第一厚度，该第二半导体层具有一第二厚度，其中，该第一厚度小于该第二厚度。2.如权利要求1所述的显示设备，其中该第一厚度与该第二厚度的差值介于至之间。3.如权利要求2所述的显示设备，其中该第一厚度与该第二厚度的差值介于至之间。4.如权利要求1所述的显示设备，其中该第一厚度与该第二厚度的差值为该第一半导体层的厚度的10-100％。5.如权利要求1所述的显示设备，其中该第一半导体层的材料为金属氧化物。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冠锋，吴湲琳，叶守圃，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71