一种驱动电路制造技术

技术编号:15275606 阅读:77 留言:0更新日期:2017-05-04 19:06
本实用新型专利技术提供了一种驱动电路,包括IGBT、光电耦合器、电压转换单元、第一驱动单元和稳压单元,电压转换单元包括的第一电阻的第一端与第一正压电源连接,第一电阻的第二端分别与第一稳压管的负极和第一电容的第一端连接,且第一电阻的第二端与IGBT的源极连接,第一稳压管的正极和第一电容的第二端与地端连接;第一电阻的第二端通过稳压单元与IGBT的栅极连接,光电耦合器的驱动信号输出端通过第一驱动单元与IGBT的栅极连接;当光电耦合器的阳极与阴极的输入压差为负时,驱动信号输出端与输出侧供电负端连通,IGBT处于断开状态。解决了由于功率器件的驱动电路的辅助电源设计较为复杂导致的驱动电路的设计难度较大的问题。

Driving circuit

The utility model provides a drive circuit, including IGBT, a photoelectric coupler, a voltage conversion unit, a first driving unit and a voltage stabilizing unit, a first resistor voltage conversion unit includes a first end and a first positive pressure power connection, the second ends of the first resistor and the first end of the cathode of the first regulator tube and the first capacitor is connected. And is connected with the second end of the first resistor and IGBT source, second terminal of the first regulator tube cathode and the first capacitor and the first resistor connected; the second end of the gate voltage unit with IGBT through the connection, the driving signal output end of the photoelectric coupler through the first gate driving unit connected to IGBT; and when the anode cathode optocoupler input pressure is negative, the drive signal output terminal and the output side power supply negative end connectivity, IGBT is broken. It is difficult to solve the problem that the design of driving circuit is complicated due to the complex design of auxiliary power supply.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子
,尤其涉及一种驱动电路
技术介绍
对于传统的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等功率器件的驱动电路,驱动电路的正压供给和负压供给一般都是通过正压电源和负压电源进行实现,且正负电源都由辅助电源产生。这样,全部由辅助电源来实现驱动电路的电源供给,由于辅助电源设计较为复杂,尤其是在全桥电路等需要多个功率器件的场合,辅助电源设计尤其复杂,这在很大程度上增加了驱动电路的设计难度,并且增加了驱动电路的设计成本。
技术实现思路
本技术提供一种驱动电路,以解决现有的由于功率器件的驱动电路的辅助电源设计较为复杂导致的驱动电路的设计难度较大以及成本较高的问题。为了解决上述技术问题,本技术采用如下技术方案:本技术提供了一种驱动电路,包括:绝缘栅双极型晶体管IGBT;光电耦合器,所述光电耦合器的输出侧供电正端与第一正压电源连接,输出侧供电负端与地端连接;电压转换单元,所述电压转换单元包括第一电阻、第一稳压管和第一电容,所述第一电阻的第一端与第一正压电源连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第一稳压管的负极和第一电容的第一端连接,且所述第一电阻的第二端与IGBT的源极连接,所述第一稳压管的正极和所述第一电容的第二端与地端连接;稳压单元,所述稳压单元的第一端与所述第一电阻的第二端连接,所述稳压单元的第二端与所述IGBT的栅极连接;第一驱动单元,所述第一驱动单元的第一端与所述光电耦合器的驱动信号输出端连接,所述第一驱动单元的第二端与所述IGBT的栅极连接;当所述光电耦合器的阳极的输入电压大于所述光电耦合器的阴极的输入电压时,所述驱动信号输出端与所述输出侧供电正端连通,所述IGBT处于工作状态;当所述阳极的输入电压小于所述阴极的输入电压时,所述驱动信号输出端与所述输出侧供电负端连通,所述IGBT处于断开状态。可选地,所述第一正压电源的输出电压为15V,所述第一稳压管的稳压值为2.4V。可选地,所述驱动电路还包括第二正压电源和第二驱动单元,所述第二驱动单元包括第二电阻、第二电容和第三电阻,所述第二电阻的第一端与所述第二正压电源连接,所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端和第三电阻的第一端连接,且所述第二电阻的第二端与所述阳极连接,所述第二电容的第二端和第三电阻的第二端与所述阴极连接,且所述阴极与一驱动信号输入端连接;其中,当所述驱动信号输入端输入的驱动电压为零时,所述阳极的输入电压大于所述阴极的输入电压;当所述驱动信号输入端输入的驱动电压为所述第二正压电源的输出电压时,所述阳极的输入电压小于所述阴极的输入电压。可选地,所述第二正压电源的输出电压为5V。可选地,所述第一驱动单元包括第四电阻、第五电阻和二极管,所述第四电阻的第一端和所述第五电阻的第一端与所述驱动信号输出端连接,所述第四电阻的第二端与二极管的负极连接,所述二极管的正极和所述第五电阻的第二端与所述IGBT的栅极连接。可选地,所述稳压单元包括第六电阻、第三电容、第二稳压管和第三稳压管,所述第六电阻的第一端、所述第三电容的第一端和所述第二稳压管的负极均与所述第一电阻的第二端连接,所述第二稳压管的正极与所述第三稳压管的正极连接,所述第三稳压管的负极、所述第三电容的第二端和所述第六电阻的第二端均与所述IGBT的栅极连接。可选地,所述驱动电路还包括第四电容,所述第一正压电源通过所述第四电容与地端连接。本技术的有益效果是:本技术提供的驱动电路,光电耦合器的输出侧供电正端与第一正压电源连接,输出侧供电负端与地端连接;电压转换单元中的第一电阻的第一端与第一正压电源连接,第一电阻的第二端分别与第一稳压管的负极和第一电容的第一端连接,且第一电阻的第二端与IGBT的源极连接,第一稳压管的正极和第一电容的第二端与地端连接;此外,第一电阻的第二端通过稳压单元与IGBT的栅极连接,光电耦合器的驱动信号输出端通过第一驱动单元与IGBT的栅极连接。这样,当光电耦合器的阳极的输入电压大于光电耦合器的阴极的输入电压时,光电耦合器内部的阳极与阴极之间的二极管导通,此时光电耦合器的驱动信号输出端与输出侧供电正端连通,即驱动信号输出端的输出电压与第一正压电源的输出电压相近或相等,此时IGBT的栅极处的电压与第一正压电源的输出电压相近或相等,又由于电压转换单元中第一稳压管的稳压作用,使得IGBT的源极处的电压为第一稳压管的稳压电压,此时IGBT的栅极电压高于源极电压,从而使得IGBT处于工作状态;此外,当光电耦合器的阳极的输入电压小于阴极的输入电压时,光电耦合器的驱动信号输出端与输出侧供电负端连通,即驱动信号输出端的输出电压为零,此时IGBT的栅极处的电压为零,但由于此时与第一稳压管并联的第一电容的电压不会发生突变,从而使得IGBT的源极处的电压还是第一稳压管的稳压电压,此时IGBT的源极和栅极之间的压差为负,从而使得IGBT处于断开状态。这样,本技术中的驱动电路,通过第一电阻、第一电容和第一稳压管组成的电压转换单元以及对光电耦合器的阳极和阴极的输入电压的控制,可以使得IGBT的栅极与源极之间能够产生正压和负压,避免了负压电源的辅助电源设计,节约了驱动电路的设计成本,解决了现有的由于功率器件的驱动电路的辅助电源设计较为复杂导致的驱动电路的设计难度较大以及成本较高的问题。附图说明图1表示本技术的实施例中驱动电路的电路示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本技术公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本技术公开的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。如图1所示,为本技术的驱动电路的电路示意图。该驱动电路包括:绝缘栅双极型晶体管IGBT1;光电耦合器2,光电耦合器的输出侧供电正端VCC与第一正压电源3连接,输出侧供电负端GND与地端4连接;电压转换单元5,电压转换单元5包括第一电阻51、第一稳压管52和第一电容53,第一电阻51的第一端与第一正压电源3连接,第一电阻51的第二端分别与第一稳压管52的负极和第一电容53的第一端连接,且第一电阻51的第二端与IGBT1的源极S连接,第一稳压管52的正极和第一电容53的第二端与地端4连接;稳压单元6,稳压单元6的第一端与第一电阻51的第二端连接,稳压单元6的第二端与IGBT1的栅极G连接;第一驱动单元7,第一驱动单元7的第一端与光电耦合器2的驱动信号输出端VO连接,第一驱动单元7的第二端与IGBT1的栅极G连接;当光电耦合器2的阳极ANODE的输入电压大于光电耦合器2的阴极CATHODE的输入电压时,驱动信号输出端VO与输出侧供电正端VCC连通,IGBT1处于工作状态;当阳极ANODE的输入电压小于阴极CATHODE的输入电压时,驱动信号输出端VO与输出侧供电负端GND连通,IGBT1处于断开状态。在本实施例中,第一正压电源与电压转换单元中的第一电阻的第一端连接,第一电阻的第二端分别与第一稳压管的负极和第一电容的第一端连接,且第一电阻的第二端与IGBT的源极S连接,第一稳压管的正极和第一电容的第二端与本文档来自技高网...
一种驱动电路

【技术保护点】
一种驱动电路,其特征在于,包括:绝缘栅双极型晶体管IGBT;光电耦合器,所述光电耦合器的输出侧供电正端与第一正压电源连接,输出侧供电负端与地端连接;电压转换单元,所述电压转换单元包括第一电阻、第一稳压管和第一电容,所述第一电阻的第一端与第一正压电源连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第一稳压管的负极和第一电容的第一端连接,且所述第一电阻的第二端与IGBT的源极连接,所述第一稳压管的正极和所述第一电容的第二端与地端连接;稳压单元,所述稳压单元的第一端与所述第一电阻的第二端连接,所述稳压单元的第二端与所述IGBT的栅极连接;第一驱动单元,所述第一驱动单元的第一端与所述光电耦合器的驱动信号输出端连接,所述第一驱动单元的第二端与所述IGBT的栅极连接;当所述光电耦合器的阳极的输入电压大于所述光电耦合器的阴极的输入电压时,所述驱动信号输出端与所述输出侧供电正端连通,所述IGBT处于工作状态;当所述阳极的输入电压小于所述阴极的输入电压时,所述驱动信号输出端与所述输出侧供电负端连通,所述IGBT处于断开状态。

【技术特征摘要】
1.一种驱动电路,其特征在于,包括:绝缘栅双极型晶体管IGBT;光电耦合器,所述光电耦合器的输出侧供电正端与第一正压电源连接,输出侧供电负端与地端连接;电压转换单元,所述电压转换单元包括第一电阻、第一稳压管和第一电容,所述第一电阻的第一端与第一正压电源连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第一稳压管的负极和第一电容的第一端连接,且所述第一电阻的第二端与IGBT的源极连接,所述第一稳压管的正极和所述第一电容的第二端与地端连接;稳压单元,所述稳压单元的第一端与所述第一电阻的第二端连接,所述稳压单元的第二端与所述IGBT的栅极连接;第一驱动单元,所述第一驱动单元的第一端与所述光电耦合器的驱动信号输出端连接,所述第一驱动单元的第二端与所述IGBT的栅极连接;当所述光电耦合器的阳极的输入电压大于所述光电耦合器的阴极的输入电压时,所述驱动信号输出端与所述输出侧供电正端连通,所述IGBT处于工作状态;当所述阳极的输入电压小于所述阴极的输入电压时,所述驱动信号输出端与所述输出侧供电负端连通,所述IGBT处于断开状态。2.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述第一正压电源的输出电压为15V,所述第一稳压管的稳压值为2.4V。3.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述驱动电路还包括第二正压电源和第二驱动单元,所述第二驱动单元包括第二电阻、第二电容和第三电阻,所述第二电阻的第一端与所述第二正压电...

【专利技术属性】
技术研发人员:庄启超阎交生李志猛鲁卫申
申请(专利权)人:北京新能源汽车股份有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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