一种复合高导电材料C的制备方法及其制备屏蔽材料的工艺方法技术

一种复合高导电材料C的制备方法及其制备屏蔽材料的工艺方法，属于电子材料领域，其工艺方法包括：先对产品进行氧化或喷砂处理，也可用一种化学溶剂对表面处理，后烘干；然后，将复合高导电材料C按照“双十字”方法喷涂，在80～140度预烘烤30分钟以上后再用150度烘烤30分钟。该工艺制得的屏蔽材料提高了镁合金的导电性能，屏蔽效率45dB以上，从而稳定产品性能和灵敏度；同时，屏蔽层可以作为接地极满足了电路板接地需求。

Method for preparing composite high conductive material C and its preparing process

Preparation method and shielding material process for composite material with high electrical conductivity of C, which belongs to the field of electronic materials, the process is: first oxidation or sandblasting of products, can also be used for surface treatment of a chemical solvent, and then drying; then, the composite material with high electrical conductivity in accordance with the \double cross C\ method of spraying, in 80 ~ 140 degrees above pre bake for 30 minutes and then 150 degrees bake for 30 minutes. Shielding materials prepared by this process to improve the conductive properties of magnesium alloy, more than 45dB and the shielding efficiency, stable product performance and sensitivity; at the same time, the shielding layer can be used as grounding grounding circuit board meet the demand.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基础功能材料的制备方法，尤其涉及一种镁合金屏蔽电磁波的工艺方法。
技术介绍
随着现代高新技术的发展，电磁波引起的电磁干扰(EMI)与电磁兼容(EMC)问题日益严重，在继噪音污染、空气污染、水污染之后，电磁波污染成为威胁人类健康的第四大公害。笔记本电脑、GPS、ADSL和移动电话等3C产品都会因高频电磁波干扰产生杂讯，影响通讯品质。另外，若人体长期暴露于强力电磁场下，则可能易患癌症病变，探索高效的电磁屏蔽材料，防止电磁波辐射污染以保护环境和人体健康，也成为当前国际上迫切需要解决的问题。屏蔽材料是电磁辐射防护的重要手段，现有的屏蔽材料主要是金属材料和复合材料。然而，这两类材料在某些方面均存在一定的局限性，如金属材料(Cu、Fe、Ni及其合金)密度较大；复合材料的力学性能和电磁屏蔽性能不够高且屏蔽稳定性较差。与上述两类材料相比，镁合金具有密度低、比强度高、导电和导磁性能良好、不需要做太多复杂的处理，便能获得较好的屏蔽性能以满足电子、通信、航空航天和国防军事等领域对轻量化、节能和抗辐射等的需求。因此，镁及镁合金是一种十分有潜力的屏蔽材料，发展高强、高屏蔽的镁合金是屏蔽材料开发的重要方向。然而，根据本专利技术的前期研究发现，高强度镁合金的屏蔽效能不高，这是由于添加较多的合金元素会影响镁合金的导电性能，从而降低其屏蔽性能。因此，改善高强度镁合金的电磁屏蔽性能十分重要。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，本专利技术提高了镁合金的导电性能，屏蔽效率45dB以上，从而稳定产品性能和灵敏度；同时，屏蔽层可以作为接地极满足了电路板接地需求。本专利技术提供一种复合高导电材料C的制备方法，其特征在于：包括步骤一、铜微纳米粒子A制备；步骤二、利用铜微纳米粒子A制备合成核壳结构微纳米银铜复合粒子B；步骤三、利用有机硅树脂或双酚A型环氧树脂E-51与固化剂、催化剂对所述核壳结构微纳米银铜复合粒子B行抗氧化、抗电迁移的改性处理得到复合高导电材料C。其中，优选方案为：所述铜微纳米粒子A因其表面含有羟基，利用含特殊官能团的有机物将纳米银颗粒包覆在微纳米铜颗粒上，从而制备出有所述核壳结构微纳米银铜复合粒子B。其中，优选方案为：步骤一中：在球磨机搅拌容器里加入铜粉、乙醇、硬脂酸，高速研磨30分钟，得到微纳米级铜粒子A。其中，优选方案为：步骤二中，对微纳米级铜粒子A进行抗氧化、抗电迁移处理，在水中加入5％的银保护剂配置成溶液，将微纳米银铜颗粒浸泡在溶液，用冷风吹干后再用60度温度烘干，制备出有高导电、抗氧化、抗电迁移的核壳结构微纳米银铜复合粒子B。其中，优选方案为：步骤二中，在容器中放入水、硬脂酸、亚硫酸钠、甲基四胺、乙二胺四乙酸，机械搅拌均匀后，缓慢滴加硝酸银溶液，反应结束后，离心分离并洗涤，得到香槟色的微纳米粒径的导电粒子；加入所需量的纯水入容器中，并加热至60度；将配置的保护剂摇均匀后，按5％比例将保护剂缓慢倒入容器中，彻底搅拌均匀；用10％稀硫酸调整ph值至2.5，再将得到的银铜微纳米粒子A加入溶液中；离心分离洗涤、甩干，60度烘烤10小时，得到香槟色核壳结构微纳米银铜复合粒子B。其中，优选方案为：步骤三中，将结构微纳米银铜复合粒子B填充到有机硅树脂中，制备一种具有高导电性、超疏水性、良好耐热性和热机械性能的导电屏蔽材料C。其中，优选方案为：步骤三中，将有机硅树脂或双酚A型环氧树脂E-51与固化剂、催化剂和微纳米核壳结构复合导电粒子混合，常温下搅拌混合均匀，加入消泡剂，分散机搅拌数分钟，然后室温反应12小时后得到高性能复合微纳米核壳结构的复合高导电材料C。本专利技术还提供一种提升镁合金屏蔽电磁波的制备方法，先对产品进行氧化或喷砂处理，也可用一种化学溶剂对表面处理，然后烘干；然后，将复合高导电材料C按照“双十字”方法喷涂，在80～140度预烘烤30分钟以上后再用150度烘烤30分钟。其中，优选方案为：利用复合高导电材料C单“十字”其表面进行二次喷涂，要求喷涂均匀，膜厚控制在4～8um之间然后进行150度30分钟的烘干。本专利技术中的制备方法对镁合金外表面或内表面进行喷涂复合高导电材料C后，提高了镁合金的导电性能，屏蔽效率45dB以上，满足了其对内对外型号的屏蔽，稳定产品性能和灵敏度，屏蔽层可以作为接地极满足了电路板接地需求，该涂层同时具有防银迁移的功效。具体实施方式现对本专利技术的较佳实施例作详细说明。本专利技术提供一种复合高导电材料C的制备方法，包括步骤一、铜微纳米粒子A制备；步骤二、利用铜微纳米粒子A制备合成核壳结构微纳米银铜复合粒子B；步骤三、利用有机硅树脂或双酚A型环氧树脂E-51与固化剂、催化剂对所述核壳结构微纳米银铜复合粒子B行抗氧化、抗电迁移的改性处理得到复合高导电材料C。更加具体的说，在球磨机搅拌容器里加入铜粉、乙醇、硬脂酸，高速研磨30分钟，得到微纳米级铜粒子A，所述铜微纳米粒子A因其表面含有羟基，利用含特殊官能团的有机物将纳米银颗粒包覆在微纳米铜颗粒上，从而制备出有所述核壳结构微纳米银铜复合粒子B。其中，在步骤二中，在容器中放入水、硬脂酸、亚硫酸钠、甲基四胺、乙二胺四乙酸，机械搅拌均匀后，缓慢滴加硝酸银溶液，反应结束后，离心分离并洗涤，得到香槟色的微纳米粒径的导电粒子；加入所需量的纯水入容器中，并加热至60度；将配置的保护剂摇均匀后，按5％比例将保护剂缓慢倒入容器中，彻底搅拌均匀；用10％稀硫酸调整ph值至2.5，再将得到的银铜微纳米粒子A加入溶液中；离心分离洗涤、甩干，60度烘烤10小时，得到香槟色核壳结构微纳米银铜复合粒子B；最后将结构微纳米银铜复合粒子B填充到有机硅树脂中，制备一种具有高导电性、超疏水性、良好耐热性和热机械性能的导电屏蔽材料C。更加详细的描述为：将有机硅树脂或双酚A型环氧树脂E-51与固化剂、催化剂和微纳米核壳结构复合导电粒子混合，常温下搅拌混合均匀，加入消泡剂，分散机搅拌数分钟，然后室温反应12小时后得到高性能复合微纳米核壳结构的复合高导电材料C。本专利技术还提供一种提升镁合金屏蔽电磁波的制备方法，先对产品进行氧化或喷砂处理，也可用一种化学溶剂对表面处理，然后烘干；然后；将复合高导电材料C按照“双十字”方法喷涂，在80～140度预烘烤30分钟以上后再用150度烘烤30分钟。其中，优选方案为：再用复合高导电材料C单“十字”其表面进行二次喷涂，要求喷涂均匀，膜厚控制在4～8um之间然后进行150度30分钟的烘干。表1涂覆复合高导电材料C的镁铝合金与现有技术镁铝合金的性能对比表从表1中，不难看出，本专利技术制得的镁铝合金屏蔽材料和现有技术相比较，本专利技术制得的屏蔽材料的导电阻抗、附着力、涂层硬度、涂层抗冲击等性能都比现有技术的屏蔽材料稳定。本专利技术中的制备方法对镁合金外表面或内表面进行喷涂复合高导电材料C后，提高了镁合金的导电性能，屏蔽效率45dB以上，满足了其对内对外型号的屏蔽，稳定产品性能和灵敏度，屏蔽层可以作为接地极满足了电路板接地需求，该涂层同时具有防银迁移的功效。以上所述者，仅为本专利技术最佳实施例而已，并非用于限制本专利技术的范围，凡依本专利技术申请专利范围所作的等效变化或修饰，皆为本专利技术所涵。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合高导电材料C的制备方法，其特征在于：包括步骤一、铜微纳米粒子A制备；步骤二、利用铜微纳米粒子A制备合成核壳结构微纳米银铜复合粒子B；步骤三、利用有机硅树脂或双酚A型环氧树脂E‑51与固化剂、催化剂对所述核壳结构微纳米银铜复合粒子B行抗氧化、抗电迁移的改性处理得到复合高导电材料C。

【技术特征摘要】
1.一种复合高导电材料C的制备方法，其特征在于：包括步骤一、铜微纳米粒子A制备；步骤二、利用铜微纳米粒子A制备合成核壳结构微纳米银铜复合粒子B；步骤三、利用有机硅树脂或双酚A型环氧树脂E-51与固化剂、催化剂对所述核壳结构微纳米银铜复合粒子B行抗氧化、抗电迁移的改性处理得到复合高导电材料C。2.根据权利要求1所述的复合高导电材料C的制备方法，其特征在于：所述铜微纳米粒子A因其表面含有羟基，利用含特殊官能团的有机物将纳米银颗粒包覆在微纳米铜颗粒上，从而制备出所述核壳结构微纳米银铜复合粒子B。3.根据权利要求2所述的复合高导电材料C的制备方法，其特征在于：步骤一：在球磨机搅拌容器里加入铜粉、乙醇、硬脂酸，高速研磨30分钟，得到微纳米级铜粒子A。4.根据权利要求1所述的复合高导电材料C的制备方法，其特征在于：步骤二中，对微纳米级铜粒子A进行抗氧化、抗电迁移处理，在水中加入5％的银保护剂配置成溶液，微纳米银铜颗粒浸泡在溶液，用冷风吹干后再用60度温度烘干，制备出有高导电、抗氧化、抗电迁移的核壳结构微纳米银铜复合粒子B。5.权利要求利1或4所述的复合高导电材料C的制备方法，其特征在于：步骤二中，在容器中放入水、硬脂酸、亚硫酸钠、甲基四胺、乙二胺四乙酸，机械搅拌均匀后，缓慢滴加硝酸银溶液，反应结束后，离心分离并洗涤，得到香槟色的微纳米粒径的导电粒子；加入所需量的纯水入容...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚洪芳，何汝伦，
申请(专利权)人：深圳市夏特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44