一种分立器件的封装方法及分立器件技术

本发明专利技术实施例公开了一种分立器件的封装方法及分立器件，用于解决现有分立器件的占用空间大，封装效率低的问题。本发明专利技术实施例方法包括：提供载体，并在载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；对表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘；在至少一个焊盘上焊接芯片形成分立器件模板；采用复合材料对所述分立器件模板进行塑封处理；在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接焊盘；对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路，封装出分立器件。

Packaging method of discrete device and discrete device

The embodiment of the invention discloses a packaging method of a discrete device and a discrete device, which is used for solving the problems of large occupied space and low encapsulation efficiency of the existing discrete devices. The embodiment of the invention includes providing a carrier, and cover the surface of the metal layer on at least one carrier; on the surface of the metal layer circuit pattern coverage resist film; non plating line pattern area on the surface of the metal layer, forming at least two pads; at least one welding pad the formation of chip discrete devices using composite template; plastic processing on the discrete device template; blind hole drilling in vertical direction of the at least two pads, and will deal with the blind blind hole metallization, which, if the chip pad welding, metal hole corresponding to the bottom of the chip welding and if no welding pads on the chip, metal hole corresponding to the bottom of the welding pad; the metallized through holes formed closed loop line graphics package, discrete devices.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及分立器件领域，具体涉及一种分立器件的封装方法及分立器件。
技术介绍
随着电子产品向小型化、集成化、普及化发展，对于电子产品内部所使用到的分立器件也随之小型化，分立器件指的是由二极管或者三极管等独立的元器件组成的具有一定功能的器件，分立器件被广泛应用到消费电子、计算机、显示屏等领域。分立器件包括：锗分分立器件、硅分分立器件、化合物分立器件等，锗分三极管、硅分三极管、化合物三极管等。目前分立器件采用传统封装方式，例如：通过打钱(英文全称：Wirebond，缩写：WB)方式将芯片(英文全称：Chip)封装成具有一定功能的分立器件。但是，对于某些分立器件所集成的小型化的电子产品，采用传统的打线方式封装出的分立器件，占用空间大，封装效率低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种分立器件的封装方法及分立器件，用于解决现有分立器件的占用空间大，封装效率低的问题。本专利技术第一方面提供一种分立器件的封装方法，包括：提供载体，并在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；对所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘；在至少一个焊盘上焊接芯片形成分立器件模板；采用复合材料对所述分立器件模板进行塑封处理；在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接焊盘；对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路，封装出分立器件。在一些可能的实现方式中，所述在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜包括：在所述表面金属层上涂覆抗蚀膜；经过曝光和显影步骤，将所述非线路图形区域的抗蚀膜去除，使保留的抗蚀膜覆盖所述线路图形区域。在一些可能的实现方式中，所述在至少一个焊盘上焊接芯片形成分立器件模板之前，所述封装方法还包括：去除所述线路图形区域的抗蚀膜。在一些可能的实现方式中，所述在至少一个焊盘上焊接芯片形成分立器件模板包括：在所述至少一个焊盘上放置芯片，并采用锡膏、镀锡、金属键合、导电胶粘接中的至少一种方式将所述芯片焊接在所述至少一个焊盘上，形成所述分立器件模板。在一些可能的实现方式中，所述在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔包括：采用激光盲孔的方式在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔。所述将所述盲孔处理成金属化盲孔包括：采用化学沉铜，电镀铜、溅射铜、导电铜胶中的至少一种方式将所述盲孔处理成所述金属化盲孔。在一些可能的实现方式中，所述对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路之后，所述封装方法还包括：将所述复合材料加入模具，并进行塑封处理，切割掉多余的复合材料。在一些可能的实现方式中，在至少一个焊盘上焊接目标电子元器件，其中，所述目标电子元器件包括电阻、电容中的至少一个。本专利技术第二方面提供一种分立器件的封装方法，包括：提供载体，在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；在所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少一个焊盘；将芯片层压于形成焊盘的所述载体之间形成分立器件模板，其中，所述芯片与所述焊盘焊接；采用复合材料对所述分立器件模板进行塑封处理，封装出分立器件。在一些可能的实现方式中，所述将芯片层压于形成焊盘的所述载体之间形成分立器件模板包括：在所述芯片的表面涂覆金属保护层，并将所述芯片与形成焊盘的所述载体进行层压，其中，所述金属保护层用于保护所述芯片在层压时不受损。在一些可能的实现方式中，所述将芯片层压于形成焊盘的所述载体之间形成分立器件模板之后，所述封装方法还包括：去除所述金属保护层。在一些可能的实现方式中，所述封装方法还包括：在至少一个焊盘上焊接目标电子元器件，其中，所述目标电子元器件包括电阻、电容中的至少一个。本专利技术第三方面提供一种分立器件的封装方法，包括：提供载体，在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；在所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少一个第一焊盘；在所述至少一个第一焊盘上焊接芯片形成分立器件模板；采用复合材料对所述分立器件模板进行塑封处理；在所述芯片上进行电镀，形成至少一个第二焊盘，封装出分立器件。在一些可能的实现方式中，所述封装方法还包括：在所述至少一个第一焊盘上焊接目标电子元器件，其中，所述目标电子元器件包括电阻、电容中的至少一个。在一些可能的实现方式中，所述在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜包括：在所述表面金属层上涂覆抗蚀膜；经过曝光和显影步骤，将所述非线路图形区域的抗蚀膜去除，使保留的抗蚀膜覆盖所述线路图形区域。在一些可能的实现方式中，在所述至少一个第一焊盘上焊接芯片形成分立器件模板之前，所述封装方法还包括：去除所述线路图形区域的抗蚀膜。在一些可能的实现方式中，所述在所述至少一个第一焊盘上焊接芯片形成分立器件模板包括：在所述至少一个第一焊盘上放置芯片，并采用锡膏、镀锡、金属键合、导电胶粘接中的至少一种方式将所述芯片焊接在所述至少一个第一焊盘上，形成所述分立器件模板。在一些可能的实现方式中，采用复合材料对所述分立器件模板进行塑封处理之后，所述封装方法还包括：将所述复合材料加入模具，并进行塑封处理，切割掉多余的复合材料。本专利技术第四方面提供一种分立器件的封装方法，包括：提供载体，并在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；对所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少一个第一焊盘；在所述至少一个第一焊盘上焊接芯片；在所述芯片上焊接第二焊盘形成分立器件模板；采用复合材料对所述分立器件模板进行塑封处理；在所述第二焊盘和至少一个第一焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔；对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路，封装出分立器件。在一些可能的实现方式中，所述在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜包括：在所述表面金属层上涂覆抗蚀膜；经过曝光和显影步骤，将所述非线路图形区域的抗蚀膜去除，使保留的抗蚀膜覆盖所述线路图形区域。在一些可能的实现方式中，所述在所述至少一个第一焊盘上焊接芯片之前，所述封装方法还包括：去除所述线路图形区域的抗蚀膜。在一些可能的实现方式中，所述在至少一个第一焊盘上焊接芯片包括：在所述至少一个第一焊盘上放置芯片，并采用锡膏、镀锡、金属键合、导电胶粘接中的至少一种方式将所述芯片焊接在所述至少一个第一焊盘上。在一些可能的实现方式中，所述在所述芯片上焊接第二焊盘包括：对所述芯片的目标区域进行电镀，形成第二焊盘。在一些可能的实现方式中，所述在所述第二焊盘的垂直方向上钻盲孔包括：采用激光盲孔的方式在所述第二焊盘的垂直方向上钻盲孔。所述将所述盲孔处理成金属化盲孔包括：采用化学沉铜，电镀铜、溅射铜、导电铜胶中的至少一种方式将所述盲孔处理成所述金属化盲孔。在一些可能的实现方式中，所述对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路之后，所述封装方法还包括：将所述复合材料加入模具，并进行塑封处理，切割掉多余的复合材料。在一些可能的实现方式中，所述封装方法还包括：在至少一个第一焊盘上焊接目标电子元器件，其中，所述目标电子元器件包括电阻、电容中的至少一个。本专利技术第五方面提供一种分立本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分立器件的封装方法，其特征在于，包括：提供载体，并在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；对所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘；在至少一个焊盘上焊接芯片形成分立器件模板；采用复合材料对所述分立器件模板进行塑封处理；在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接焊盘；对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路，封装出分立器件。

【技术特征摘要】
1.一种分立器件的封装方法，其特征在于，包括：提供载体，并在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；对所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少两个焊盘；在至少一个焊盘上焊接芯片形成分立器件模板；采用复合材料对所述分立器件模板进行塑封处理；在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔，其中，若焊盘上焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接芯片，若焊盘上没有焊接芯片，则对应的金属化盲孔的底部焊接焊盘；对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路，封装出分立器件。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜包括：在所述表面金属层上涂覆抗蚀膜；经过曝光和显影步骤，将所述非线路图形区域的抗蚀膜去除，使保留的抗蚀膜覆盖所述线路图形区域。3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在至少一个焊盘上焊接芯片形成分立器件模板包括：在所述至少一个焊盘上放置芯片，并采用锡膏、镀锡、金属键合、导电胶粘接中的至少一种方式将所述芯片焊接在所述至少一个焊盘上，形成所述分立器件模板。4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔包括：采用激光盲孔的方式在所述至少两个焊盘的垂直方向上钻盲孔。所述将所述盲孔处理成金属化盲孔包括：采用化学沉铜，电镀铜、溅射铜、导电铜胶中的至少一种方式将所述盲孔处理成所述金属化盲孔。5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路之后，所述封装方法还包括：将所述复合材料加入模具，并进行塑封处理，切割掉多余的复合材料。6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：在至少一个焊盘上焊接目标电子元器件，其中，所述目标电子元器件包括电阻、电容中的至少一个。7.一种分立器件的封装方法，其特征在于，包括：提供载体，在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；在所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少一个焊盘；将芯片层压于形成焊盘的所述载体之间形成分立器件模板，其中，所述芯片与所述焊盘焊接；采用复合材料对所述分立器件模板进行塑封处理，封装出分立器件。8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述将芯片层压于形成焊盘的所述载体之间形成分立器件模板包括：在所述芯片的表面涂覆金属保护层，并将所述芯片与形成焊盘的所述载体进行层压，其中，所述金属保护层用于保护所述芯片在层压时不受损。9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述将芯片层压于形成焊盘的所述载体之间形成分立器件模板之后，所述封装方法还包括：去除所述金属保护层。10...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄冕，
申请(专利权)人：深圳中科四合科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44