具导角反射结构的发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提出一具导角反射结构的发光装置及其制造方法。该发光装置包含一LED芯片、一荧光结构及一反射结构。荧光结构设置于LED芯片上，荧光结构的侧面呈现倾斜，荧光结构的底面位于LED芯片的上表面上；反射结构包覆LED芯片的侧面及荧光结构的侧面而呈现倾斜导角。本发明专利技术另提出一制造方法，其可制造上述的发光装置。藉此，具有导角反射结构的发光装置能增加发光效率、改变发光角度、改善空间光均匀性，且以小的封装尺寸达到小发散角。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种发光装置及其制造方法，特别关于一种具导角反射结构的发光装置及其制造方法。
技术介绍
LED(发光二极管)芯片普遍地被使用来提供照明或指示用的光源，而LED芯片通常会置于一封装结构中，亦或会被一荧光材料包覆或覆盖，以成为一发光装置。发光装置可经由适当的设计方案来获得良好的发光效率及特定的发光角度，例如传统具有高经济效益的支架型(PLCC)LED封装，通过反射杯的设计可增加其发光效率，并达到特定的发光角度，但支架型LED封装却有其先天限制，例如：光在荧光胶内的行进路径差异大而造成空间光均匀性差并产生黄晕、出光面积远大于LED芯片面积而造成特定方向单位面积光强度(intensity)低、出光面积大而造成二次光学透镜不易设计、热阻大而造成散热不易。因此，利用LED覆晶芯片(flipchip)进行芯片级(chipscale)封装以制作小尺寸发光装置而趋近理想点光源可有效解决上述问题，又因小尺寸芯片级封装可进一步降低生产成本，故此趋势已成为业界努力的目标。但是当发光装置的尺寸越益缩小时，原本可应用于大尺寸的方案，将变得难以适用于小尺寸的发光装置中。在现行的小尺寸发光装置中，因现有工艺技术的限制，其反射结构垂直地覆盖荧光结构的侧面，这种架构造成在荧光材料内部射入反射结构的光将因临界角的限制而大部分被反射回荧光材料或LED芯片中，不易被导向荧光结构的顶面以被汲取出发光装置之外，因而造成较多光能量损耗于发光装置内部，因此其发光效率仍可进一步提升。此外，目前的小尺寸发光装置尚无有效的方案用以调整发光角度。有鉴于此，提供一种可改善发光装置的发光效率、提升空间光均匀性、缩小发散角度、发光面积趋近理想点光源、降低热阻或可调整发光角度的技术方案，乃为此业界待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种发光装置及其制造方法，其能改善发光装置的发光效率及空间光均匀性以避免黄晕的产生，或调整其发光角度，同时具有小发光面积及低热阻。本专利技术的另一目的在于提供一种发光装置及其制造方法，其能使小尺寸的发光装置有良好的发光效率及/或空间光均匀性以避免黄晕的产生，或调整其发光角度。为达上述目的，本专利技术所揭露的一种发光装置包含一LED芯片、一荧光结构及一反射结构。该LED芯片具有一上表面、相对于该上表面的一下表面、一侧面以及一电极组，该侧面形成于该上表面与该下表面之间，该电极组设置于该下表面上；该荧光结构设置于LED芯片上，其具有一顶面、相对于该顶面的一底面及形成于该顶面与该底面之间的一侧面，其中该顶面大于该底面，使该侧面相对于该顶面与该底面呈现一倾斜状，该底面位于该LED芯片的该上表面上；该反射结构包覆该LED芯片的侧面及该荧光结构的侧面。为达上述目的，本专利技术所揭露的一种发光装置包含一LED芯片、一透明结构及一反射结构。该LED芯片具有一上表面、相对于该上表面的一下表面、一侧面以及一电极组，该侧面形成于该上表面与该下表面之间，该电极组设置于该下表面上；该透明结构设置于LED芯片上，其具有一顶面、相对于该顶面的一底面及形成于该顶面与该底面之间的一侧面，该顶面的尺寸大于或等于该底面的尺寸，该底面位于该LED芯片的该上表面上；该反射结构包覆该LED芯片的侧面及该透明结构的侧面，其中，该反射结构的一高度不小于该LED芯片的一长度的0.1倍，且不大于该LED芯片的该长度的5倍。为达上述目的，本专利技术所揭露的一种发光装置的制造方法，包含：形成具有一倒锥形侧面的一荧光结构；将该荧光结构设置于一LED芯片上，以形成一发光结构；以及将该发光结构的侧面进行包覆，以形成一具有倒锥形内侧面的反射结构。藉此，本专利技术的发光装置及其制造方法能至少提供以下的有益效果：具有导角的反射结构能使LED芯片的光线更易被汲取至发光装置外，可增加发光效率及/或光均匀性；此外，该荧光结构可略大于LED芯片，故所构成的发光装置能具有小尺寸的外观。另一方面，具有倾斜侧面的荧光结构除了可容易地制作外，倾斜侧面的倾斜角度亦可调整，进而控制发光角度。为让上述目的、技术特征及优点能更明显易懂，下文是以较佳的实施例配合所附图式进行详细说明。附图说明图1为依据本专利技术的第一较佳实施例的发光装置的示意图。图2为依据本专利技术的第二较佳实施例的发光装置的示意图。图3为依据本专利技术的第三较佳实施例的发光装置的示意图。图4为依据本专利技术的第四较佳实施例的发光装置的示意图。图5为依据本专利技术的第五较佳实施例的发光装置的示意图。图6为依据本专利技术的第六较佳实施例的发光装置的示意图。图7为依据本专利技术的第七较佳实施例的发光装置的示意图。图8为依据本专利技术的第八较佳实施例的发光装置的示意图。图9为依据本专利技术的第九较佳实施例的发光装置的示意图。图10为依据本专利技术的第十较佳实施例的发光装置的示意图。图11A至图11D为依据本专利技术的较佳实施例的发光装置的制造方法的形成荧光薄膜的步骤示意图。图12A至图12C为依据本专利技术的较佳实施例的发光装置的制造方法的形成另一荧光薄膜的步骤示意图。图13A及图13B为发光装置内的光线传递示意图及对比图(荧光结构的荧光层未显示)。图14及图15为依据本专利技术的较佳实施例的发光装置的制造方法的形成又一荧光薄膜的步骤示意图。图16A至图16F为依据本专利技术的较佳实施例的发光装置的制造方法的冲切荧光薄膜的步骤示意图。图17为依据本专利技术的较佳实施例的发光装置的制造方法的切割荧光薄膜的步骤示意图。图18A及图18B为依据本专利技术的较佳实施例的发光装置的制造方法的形成发光结构的步骤示意图。图19为依据本专利技术的较佳实施例的发光装置的制造方法的形成反射结构的步骤示意图。图20为依据本专利技术的较佳实施例的发光装置的制造方法的移除辅助材的步骤示意图。图21为依据本专利技术的较佳实施例的发光装置的制造方法的切割反射结构的步骤示意图。图22A、图22B、图22D及图22E为依据本专利技术的第十一较佳实施例的发光装置的示意图，其中图22D及图22E更显示发光装置内的光线传递示意图，而图22C则显示发光装置具有均匀分布的荧光材料时的光线传递示意图。附图标号1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H、1I、1J、1K发光装置10LED芯片11上表面12下表面13侧面14电极组20荧光结构20’透明结构200荧光薄膜201荧光层201’荧光层202透光层203透镜阵列层21顶面22底面23侧面、倾斜侧面23’垂直侧面30反射结构31内侧面32内导角、内侧斜面33顶面34底面35外侧面40基板50、50’、50”辅助材60冲切刀具61刀刃70锯轮或双角铣刀71刀刃L光X向上倾斜量T厚度W长度H高度具体实施方式请参阅图1所示，其为依据本专利技术的第一较佳实施例的发光装置的示意图。该发光装置1A可包含一LED芯片10、一荧光结构20及一反射结构30，而该多个元件的
技术实现思路
将依序说明如下。该LED芯片10可为一覆晶型态的芯片，而外观上可具有一上表面11、一下表面12、一侧面13及一电极组14。该上表面11与下表面12为相对且相反地设置，而侧面13形成于上表面11与下表面12之间，且连接上表面11与下表面12。电极组14设置于下表面12上，且可具有两个以上的电极。电能(图未示)可通过电极组14供应至LE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包含：一LED芯片，具有一上表面、相对于该上表面的一下表面、一侧面以及一电极组，该侧面形成于该上表面与该下表面之间，该电极组设置于该下表面上；一荧光结构，设置于LED芯片上，其具有一顶面、相对于该顶面的一底面及形成于该顶面与该底面之间的一侧面，其中该顶面大于该底面，使该侧面相对于该顶面与该底面呈现一倾斜状，该底面位于该LED芯片的该上表面上；以及一反射结构，包覆该LED芯片的侧面及该荧光结构的侧面。

【技术特征摘要】
2015.10.05 TW 1041327111.一种发光装置，其特征在于，包含：一LED芯片，具有一上表面、相对于该上表面的一下表面、一侧面以及一电极组，该侧面形成于该上表面与该下表面之间，该电极组设置于该下表面上；一荧光结构，设置于LED芯片上，其具有一顶面、相对于该顶面的一底面及形成于该顶面与该底面之间的一侧面，其中该顶面大于该底面，使该侧面相对于该顶面与该底面呈现一倾斜状，该底面位于该LED芯片的该上表面上；以及一反射结构，包覆该LED芯片的侧面及该荧光结构的侧面。2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该荧光结构的底面粘贴至该LED芯片的上表面，且该荧光结构的底面不小于该LED芯片的上表面。3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该反射结构是由包含一反射性树脂的一材料所制成或由包含一可透光树脂的另一材料所制成，该可透光树脂包含反射性微粒。4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该反射性树脂为聚邻苯二甲酰胺、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯或环氧树脂；该可透光树脂为硅胶；该反射性微粒为二氧化钛、氮化硼、二氧化硅或三氧化二铝。5.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该可透光树脂为一低反射系数硅胶且包含反射性微粒。6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该反射结构具有与该LED芯片的该侧面相贴合的一内侧面以及与该荧光结构的该倾斜侧面相贴合的一内侧斜面。7.如权利要求1-6中任一权利要求所述的发光装置，其特征在于，该荧光结构为一单层荧光结构。8.如权利要求1-6中任一权利要求所述的发光装置，其特征在于，该荧光结构包括一荧光层及至少一透光层，该至少一透光层形成于该荧光层之上。9.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该至少一透光层的折射系数小于该荧光层的折射系数。10.如权利要求1-6中任一权利要求所述的发光装置，其特征在于，该荧光结构包括一荧光层及一透镜阵列层，该透镜阵列层形成于该荧光层上。11.如权利要求1-6中任一权利要求所述的发光装置，其特征在于，该荧光结构包括一荧光层及一透光层，该透光层形成于该荧光层之下。12.如权利要求1-6中任一权利要求所述的发光装置，其特征在于，该反射结构的一底面向上倾斜。13.如权利要求1-6中任一权利要求所述的发光装置，其特征在于，沿着该荧光结构的顶面的一法线方向，该荧光结构的顶面遮蔽该反射结构。14.如权利要求1-6中任一权利要求所述的发光装置，其特征在于，该荧光结构的顶面高于该反射结构的一顶面，而该荧光结构的侧面部分地露出于该反射结构。15.如权利要求1-6中任一权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰，王琮玺，
申请(专利权)人：行家光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71