【技术实现步骤摘要】
应用量子点色彩转换的发光装置及其制造方法
本专利技术有关一种芯片级封装发光装置及其制造方法,特别关于一种应用绿色量子点材料及红色荧光粉的芯片级封装发光装置及其制造方法。
技术介绍
量子点(quantumdot,QD)材料为一尺寸为纳米等级的半导体晶体材料,其粒径尺寸通常介于1纳米至50纳米,在受到高能阶的光线照射后,由于量子局限效应(Quantumconfinementeffect),量子点材料可将部分入射光线转换成另一较低能阶的可见光线,故量子点材料可作为一光致发光材料。透过改变量子点材料的粒径、形状或材料组成,可使得量子点材料发出不同波长的可见光线,即改变其发光频谱(spectrum)。相较于传统荧光材料,例如钇铝石榴石(YAG)荧光粉、氮化物(Nitride)或氮氧化物(Oxynitride)荧光粉等,量子点材料的发光频谱具有明显较窄的半高宽(FullWidthatHalfMaximum,FWHM),因此,使用量子点材料搭配LED芯片构成一LED发光装置以作为显示器的背光光源时,可改进显示器的色彩纯度。相较于有机发光二极管(OLED)显示器所能达到70%BT.2020的色域范围(ColorGamut),应用量子点材料的显示器在色彩表现上可具有高达90%BT.2020的色域范围;此外,相较于属有机材料的OLED,其使用寿命较短,而量子点材料属无机材料,使用寿命相对较长。另一方面,应用量子点材料的发光装置可直接取代现有液晶显示器的背光光源,仅透过光致发光材料的改变即可明显增加液晶显示器的色域范围。量子点材料搭配LED芯片的发光装置虽然有上述的优势,但是实 ...
【技术保护点】
1.一种发光装置,包含:一覆晶式LED芯片,用以提供一第一光线,该第一光线为一蓝光、一深蓝光、一紫光或一紫外光;一光致发光结构,设置于该覆晶式LED芯片的一上表面上、且包括一第一光致发光层、一光透明隔离层、一第二光致发光层及一光透明湿气阻隔层,该光透明隔离层设置于该第一光致发光层上,该第二光致发光层设置于该光透明隔离层上,而该光透明湿气阻隔层设置于该第二光致发光层上,其中,该第一光致发光层包含一第一高分子材料及混合于该第一高分子材料中的一较低激发能阶的荧光材料,而该第二光致发光层包含一第二高分子材料及混合于该第二高分子材料中的一较高激发能阶的量子点材料;以及一湿气阻隔反射结构,覆盖该光致发光结构的一侧面及该覆晶式LED芯片的一立面,且不低于该覆晶式LED芯片的一电极面;其中,该第一光致发光层的该较低激发能阶的荧光材料用以将该第一光线的一部份转换为一较长波长的可见光,使得该未被转换的另一部份的该第一光线的光强度不大于该较高激发能阶的量子点材料所能承受的光强度。
【技术特征摘要】
1.一种发光装置,包含:一覆晶式LED芯片,用以提供一第一光线,该第一光线为一蓝光、一深蓝光、一紫光或一紫外光;一光致发光结构,设置于该覆晶式LED芯片的一上表面上、且包括一第一光致发光层、一光透明隔离层、一第二光致发光层及一光透明湿气阻隔层,该光透明隔离层设置于该第一光致发光层上,该第二光致发光层设置于该光透明隔离层上,而该光透明湿气阻隔层设置于该第二光致发光层上,其中,该第一光致发光层包含一第一高分子材料及混合于该第一高分子材料中的一较低激发能阶的荧光材料,而该第二光致发光层包含一第二高分子材料及混合于该第二高分子材料中的一较高激发能阶的量子点材料;以及一湿气阻隔反射结构,覆盖该光致发光结构的一侧面及该覆晶式LED芯片的一立面,且不低于该覆晶式LED芯片的一电极面;其中,该第一光致发光层的该较低激发能阶的荧光材料用以将该第一光线的一部份转换为一较长波长的可见光,使得该未被转换的另一部份的该第一光线的光强度不大于该较高激发能阶的量子点材料所能承受的光强度。2.如请求项1所述的发光装置,其中,该较低激发能阶的荧光材料包含一红色荧光材料,该较高激发能阶的量子点材料包含一绿色量子点材料。3.如请求项2所述的发光装置,其中,该绿色量子点材料所能承受的该第一光线的光强度不大于10W/cm2。4.如请求项2所述的发光装置,其中,该光致发光结构更包含一光透明导热层,该光透明导热层设置于该第二光致发光层与该光透明湿气阻隔层之间、及/或设置于该第二光致发光层与该光透明隔离层之间;其中,该光透明导热层的热传导率大于该光透明湿气阻隔层或该光透明隔离层的热传导率。5.如请求项4述的发光装置,其中,该光透明导热层包含一薄膜金属、一网格状金属、一透明导电氧化物或一石墨烯。6.如请求项2至5任一项所述的发光装置,其中,该光致发光结构更包含一光透明分隔层,该第一光致发光层设置于该光透明分隔层上。7.如请求项2至5任一项所述的发光装置,更包含一光导引结构,该光导引结构覆盖该覆晶式LED芯片的该立面,该光导引结构包含一倾斜侧面,该倾斜侧面相对于该覆晶式LED芯片的该立面为倾斜、且被该湿气阻隔反射结构覆盖。8.如请求项2至5任一项所述的发光装置,其中,该第一高分子材料为一热固化胶及该第二高分子材料为一紫外线固化胶。9.如请求项2至5任一项所述的发光装置,其中,该光透明隔离层及该光透明湿气阻隔层各包含一透明无机材料。10.如请求项2至5任一项所述的发光装置,其中,该光透明隔离层及该光透明湿气阻隔层各包含一高分子材料,其于厚度为1厘米时具有不大于20g/(m2day)的水气渗透率(WVTR)。11.如请求项2至5任一项所述的发光装置,其中,该湿气阻隔反射结构包含一第三高分子材料及混合于该第三高分材料中的一光散射性微粒。12.如请求项11的发光装置,其中,该第三高分子材料于厚度为1厘米时具有不大于20g/(m2day)的水气渗透率。13.如请求项2至5任一项所述的发光装置,其中,该湿气阻隔反射结构的热传导率不小于该光透明隔离层或该光透明湿气阻隔层的热传导率。14.如请求项2至5任一项所述的发光装置,其中,该第二光致发光层更包含一光散射性微粒,该光散射性微粒混合于该第二高分子材料中。15.如请求项2至5任一项所述的发光装置,其中,该红色荧光材料包含一氟化物荧光材料或一氮化物荧光材料。16.如请求项15所述的发光装置,其中,该氟化物荧光材料至少包含下列其中一者:(A)A2[MF6]:M4+,其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及其组合,M选自Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其组合;(B)...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈杰,
申请(专利权)人:行家光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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