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一种煤气在窑炉上的使用方法技术

技术编号:15110608 阅读:101 留言:0更新日期:2017-04-09 01:35
煤气在窑炉上的使用方法,涉及煤气的使用方法,开大煤气阀,煤气压力减少,氧化层上升;关小煤气阀,煤气压力增加,氧化层下降;确定煤气炉氧化层循环位置低,开大煤气阀,减少煤气压力,或提高饱和温度。氧化层下降过程,关小煤气阀,减少煤气使用量。调节饱和温度与煤气压力,制造氧化层循环,调节煤气使用量。氧化层上下循环的第一环节,氧化层上升过程,调节各烧嘴之间流量,或清理烧嘴内灰尘。调节煤气阀,提前于对应的煤气压力变化。窑炉两侧安装除渣显示灯。本发明专利技术的优点在于,煤气炉气化效率高,或波动小,快速升降或稳定窑炉温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及煤气的使用方法。
技术介绍
现有技术,没有开关窑炉煤气阀,煤气压力变化与氧化层的关系。一次改变煤气压力不大于20Pa,窑炉温度变化速度慢。开关窑炉煤气阀,时间不确定,降低窑炉温度,降低气化效率。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术的目的是提供一种煤气的使用方法。为了实现上述目的,本专利技术采取下述技术方案,包括:开大煤气阀,煤气压力每减少10Pa,氧化层上升15-28mm(本专利技术没有特别说明,氧化层指煤气炉正在发生氧化层化学反应的燃料层,消耗大部分氧气,氧化层长度60-120mm,煤气压力测量点在煤气炉煤气出口);关小煤气阀,煤气压力每增加10Pa,氧化层下降15-28mm;煤气炉增加空气流量,窑炉运行参数正常,窑炉升温效果差,是煤气炉氧化层循环位置低,煤气热值低,氧化层上下循环的第一个环节,氧化层上升60s内,开大煤气阀,减少煤气压力10-20Pa,氧化层上升20-50mm,或提高煤气炉饱和温度0.5-3℃,氧化层上升20-50mm,作用,升高氧化层循环位置至适当,或缩短与适当的氧化层循环位置的距离,(适当的氧化层循环位置,指气化效率最高对应的氧化层循环位置),提高气化效率,提高窑炉升温速度。氧化层上下循环的第二环节,单段炉氧化层下降6min后,两段炉氧化层下降10min后,包括氧化层上下循环的第三环节,第三环节是氧化层下降过程的后部,降低饱和温度0.5-3℃,氧化层下降20-50mm,还原层下降20-50mm,温度升高,提高水蒸汽分解率,2min之内;开大煤气阀,煤气压力减少10-20Pa,氧化层上升20-50mm,还原层上升20-50mm,温度降低,降低水蒸汽分解率;氧化层上升距离基本等于氧化层下降距离,作用,小幅度增加煤气使用量,增加水蒸汽分解量,减少或消除适当的氧化层循环位置上升,气化效率稳定,窑炉温度稳定变化氧化层上下循环的第二环节,单段炉氧化层下降6min后,两段炉氧化层下降10min后,包括氧化层上下循环的第三环节,氧化层下降过程的后部,关小煤气阀,煤气压力增加10-20Pa,氧化层下降20-50mm,还原层下降20-50mm,温度升高,提高水蒸汽分解率;下一个氧化层循环周期,氧化层上下循环的第一环节,氧化层上升60s内,提高饱和温度0.5-3℃,氧化层上升20-50mm,还原层上升20-50mm,温度降低,降低水蒸汽分解率;氧化层下降距离基本等于氧化层上升距离,作用,小幅度减少煤气使用量,增加水蒸汽分解量,减少或消除适当的氧化层循环位置下降,气化效率稳定,窑炉温度稳定变化。开大煤气阀,煤气压力减少30-60Pa,氧化层上升60-160mm,小于、等于氧化层长度,或大于氧化层长度60mm之内,还原层上升距离等于氧化层上升距离,1-4min,氧化层温度升至950-1250℃;降低饱和温度2-8℃,氧化层下降60-160mm,小于、等于氧化层长度,或大于氧化层长度60mm之内,还原层下降距离等于氧化层下降距离,开始还原层温度950-1250℃,提高水蒸汽分解率,单段炉9-11min,两段炉13-16min,饱和温度升高1-8℃;减少和消除蒸汽压力增长,单段炉2-5min,两段炉4-10min;氧化层上升距离等于氧化层下降距离,或氧化层上升距离小于氧化层下降距离30mm之内,作用,一次大幅度增加煤气使用量,增加水蒸汽分解量,减少蒸汽压力增长改变氧化层位置,窑炉升温多。提高饱和温度2-8℃,氧化层上升60-160mm,小于、等于氧化层长度,或大于氧化层长度60mm之内,还原层上升60-160mm,小于、等于氧化层长度,或大于氧化层长度60mm之内,还原层上升距离等于氧化层上升距离,1-4min,氧化层温度升至950-1250℃;关小煤气阀,煤气压力增加30-60Pa,氧化层下降60-160mm,小于、等于氧化层长度,或大于氧化层长度60mm之内,还原层下降距离等于氧化层下降距离,开始还原层温度950-1250℃,提高水蒸汽分解率,单段炉9-11min,两段炉13-16min,饱和温度降低1-8℃;单段炉2-5min,两段炉4-10min,水套注软化水;氧化层上升距离等于氧化层下降距离,或氧化层上升距离大于氧化层下降距离30mm之内,作用,一次大幅度减少煤气使用量,增加水蒸汽分解量,窑炉降温多。调节煤气阀,主管路煤气压力变化,提前于对应的煤气压力变化,时间是,主管路煤气压力变化由窑炉传递到煤气炉,确定开大煤气阀,或关小煤气阀,主管路煤气压力变化,提前于对应的煤气压力变化的时间,作用,开大煤气阀、关小煤气阀,煤气压力变化与相应的氧化层变化同步,稳定氧化层温度,煤气热值稳定,稳定气化效率,快速稳定的调节窑炉温度。氧化层上下循环的第一个环节,氧化层上升过程,调节各烧嘴之间流量,或清理烧嘴内灰尘;先开大煤气阀,后关小煤气阀,结束主管路煤气压力不变,煤气压力不变,作用,氧化层温度高、稳定,煤气热值高、稳定,窑炉温度稳定。窑炉两侧安装指示灯和仪表,指示灯亮显示除渣,仪表显示单段式煤气炉出口煤气温度,确定关小煤气阀、开大煤气阀,和停止调节煤气阀,对应的煤气炉出口煤气温度,作用,关小煤气阀、开大煤气阀,煤气压力变化,在氧化层上下循环的第一个环节,氧化层上升过程。专利技术效果:开关窑炉煤气阀,煤气炉气化效率高,或波动小,快速的升降或稳定窑炉温度。具体实施方式本专利技术所述的煤气在窑炉上的使用方法,包括下述步骤:开大煤气阀,煤气压力每减少10Pa,氧化层上升15-28mm;关小煤气阀,煤气压力每增加10Pa,氧化层下降15-28mm;煤气炉增加空气流量,窑炉运行参数正常,窑炉升温效果差距大,煤气炉氧化层循环位置低于适当位置的距离大,一次升高氧化层循环位置,不能升至适当的氧化层循环位置,需要2-3次,氧化层上下循环的第一个环节,氧化层开始上升同时开大煤气阀,减少煤气压力10-20Pa,氧化层上升20-50mm,或提高饱和温度0.5-3℃,饱和温度高,增量小,氧化层上升20-50mm,至氧化层循环位置适当,提高气化效率,提高窑炉升温速度,窑炉需要开大煤气阀(包括单个烧嘴),增加煤气使用量,开大煤气阀,减少煤气压力,升高氧化层循环位置,否则,如果窑炉不需要开大煤气阀,增加煤气使用量,提高饱和温度,升高氧化层循环位置,提高饱和温度,包括升高蒸汽压力。氧化层上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种煤气在窑炉上的使用方法,其特征是,包括:开大煤气阀,煤气压力每减少10Pa,氧化层上升15‑28mm;关小煤气阀,煤气压力每增加10Pa,氧化层下降15‑28mm;煤气炉增加空气流量,窑炉运行参数正常,窑炉升温效果差,是煤气炉氧化层循环位置低,氧化层上下循环的第一个环节,氧化层上升60s内,开大煤气阀,减少煤气压力10‑20Pa,或提高煤气炉饱和温度0.5‑3℃,氧化层上升20‑50mm。

【技术特征摘要】
2015.07.08 CN 20151039539161.一种煤气在窑炉上的使用方法,其特征是,包括:
开大煤气阀,煤气压力每减少10Pa,氧化层上升15-28mm;
关小煤气阀,煤气压力每增加10Pa,氧化层下降15-28mm;
煤气炉增加空气流量,窑炉运行参数正常,窑炉升温效果差,是
煤气炉氧化层循环位置低,氧化层上下循环的第一个环节,氧化层上
升60s内,开大煤气阀,减少煤气压力10-20Pa,或提高煤气炉饱和
温度0.5-3℃,氧化层上升20-50mm。
2.如权利要求1所述的煤气在窑炉上的使用方法,其特征在于:
氧化层上下循环的第二环节,单段炉氧化层下降6min后,两段炉氧
化层下降10min后,包括氧化层上下循环的第三环节,氧化层下降过
程的后部,降低饱和温度0.5-3℃,氧化层下降20-50mm,2min之内;
开大煤气阀,煤气压力减少10-20Pa;氧化层下降距离基本等于氧化
层上升距离。
3.如权利要求1所述的煤气在窑炉上的使用方法,其特征在于:
氧化层上下循环的第二环节,单段炉氧化层下降6min后,两段炉氧
化层下降10min后,包括氧化层上下循环的第三环节,氧化层下降过
程的后部,关小煤气阀,煤气压力增加10-20Pa;下一个氧化层循环
周期,氧化层上下循环的第一环节,氧化层上升60s内,提高饱和温
度0.5-3℃,氧化层上升20-50mm;氧化层下降距离基本等于氧化层
上升距离。
4.如权利要求1所述的煤气在窑炉上的使用方法,其特征在于:
开大煤气阀,煤气压力减少30-60Pa,氧化层上升60-160mm,小于、...

【专利技术属性】
技术研发人员:王万利
申请(专利权)人:王万利
类型:发明
国别省市:山东;37

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