The invention discloses a method for preparing graphene with copper based electrical contact materials, the copper based electrical contact materials including copper, tin oxide, dysprosium oxide, lanthanum oxide and copper coated graphene, the content of tin is 5 10wt% element content is 0.2 0.5wt% dy the content of elements, La 0.5 1wt%, 1.5 copper graphene 2.5wt% and unavoidable impurities, residual element copper and oxygen. The preparation of copper based electrical contact material, by optimizing the selection of improved material microstructure uniformity ratio of raw materials and processes, improve the electrical properties of the material, especially by doping rare earth elements to improve the hardness and wear resistance of copper materials, graphene improve the interfacial wettability between graphene and metal, is conducive to get a good interface, the composite electrical conductivity, thermal conductivity, arc erosion resistance is further improved, better meet the performance requirements of electrical contacts.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力设备制造领域,具体涉及一种具有石墨烯的铜基电触点材料的制备方法。
技术介绍
电接触元件是电器开关、仪器仪表等的接触元件,广泛应用于电力、电信系统即家电控制等设备。铜基电接触材料由于其接触电阻低、抗熔焊能力强、耐磨损性能良好、抗电侵蚀能力强等特点得到快速发展,其中银氧化锡电接触材料是近10年来发展很快的1种可替代有毒的银氧化镉的新型环保型电接触材料,具有热稳定性好、耐电弧侵蚀及抗熔焊性能,使用寿命长、使用电流范围广,因此能保证电器运行可靠性。目前,电触点材料大致可以划分成以下几类:铜基触点材料、钨基触点材料、铜基触点材料以及贵金属基弱电接点材料。其中,最具代表性的触点材料为Cu-W合金及Ag基触点材料(AgSnO2、AgCdO、Ag-W系等)两大类。由于W、Ag等均属于贵金属,资源储量有限,而且采用该类贵金属作为原料使得触点材料的成本过于昂贵,不利于推广应用。另外,现有的触点材料耐磨性能差而很难使用在滑动触点上。铜基触头材料由于价格低廉、导电、导热性能与银相近,近年来已部分代替铜基触头,减少贵金属银的损耗。但是,由于铜触头材料极易氧化,生成具有低电阻率的氧化铜和氧化亚铜,增大了触头元件的接触电阻,使其在使用过程中容易发热,导致触头材料的可靠性和使用寿命降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种具有石墨烯的铜基电触点材料的制备方法,该铜基电触点材料,具有优异的电性能和机械性能。为了实现上述目的,实现上述目的,本专利技术提供了一种具有石墨烯的铜基电触点材料的制备方法,该铜基电触点材料包 ...
【技术保护点】
一种具有石墨烯的铜基电触点材料的制备方法,该铜基电触点材料包括铜、锡的氧化物、镝的氧化物、镧的氧化物和镀铜石墨烯,其中锡元素的含量为5‑10wt%,镝的元素含量为0.2‑0.5wt%,镧的元素的含量为0.5‑1wt%,镀铜石墨烯1.5‑2.5wt%以及不可避免的杂质,余量元素为铜和氧;该方法包括如下步骤:(1)制备锡的氧化物溶胶凝胶法制备纳米SnO2粉末:将SnCl4·5H2O和TiCl4的醇水溶液加入聚乙二醇(PEG)分散剂,在恒温下进行搅拌,同时滴加氨水至pH为6.9‑7.2,经陈化、洗涤、烘干、研磨得到凝胶,其中SnCl4·5H2O和TiCl4的质量比为8.5∶1‑9∶1,醇水溶液中醇与水的体积比为2∶1; (2)制备镀铜石墨烯粉末采用直流磁控溅射法在石墨烯表面沉积金属银制成镀铜石墨烯,将纯度为99.99%的铜靶安装前先用细砂纸进行打磨,去除表面氧化膜,再用丙酮清洗,烘干,直流磁控溅射沉积前进行10分钟预溅射,采用挡板将靶材与石墨烯隔开,去除靶材表面的金属氧化物及其它杂质,保证后续石墨烯表面沉积铜膜的纯度,直流磁控溅射的工艺参数为:靶材是纯度为99.99%的铜靶,在真空度达到0. ...
【技术特征摘要】
1.一种具有石墨烯的铜基电触点材料的制备方法,该铜基电触点材料包括铜、锡的氧化物、镝的氧化物、镧的氧化物和镀铜石墨烯,其中锡元素的含量为5-10wt%,镝的元素含量为0.2-0.5wt%,镧的元素的含量为0.5-1wt%,镀铜石墨烯1.5-2.5wt%以及不可避免的杂质,余量元素为铜和氧;
该方法包括如下步骤:
(1)制备锡的氧化物
溶胶凝胶法制备纳米SnO2粉末:将SnCl4·5H2O和TiCl4的醇水溶液加入聚乙二醇(PEG)分散剂,在恒温下进行搅拌,同时滴加氨水至pH为6.9-7.2,经陈化、洗涤、烘干、研磨得到凝胶,其中SnCl4·5H2O和TiCl4的质量比为8.5∶1-9∶1,醇水溶液中醇与水的体积比为2∶1;
(2)制备镀铜石墨烯粉末
采用直流磁控溅射法在石墨烯表面沉积金属银制成镀铜石墨烯,将纯度为99.99%的铜靶安装前先用细砂纸进行打磨,去除表面氧化膜,再用丙酮清洗,烘干,直流磁控溅射沉积前进行10分钟预溅射,采用挡板将靶材与石墨烯隔开,去除靶材表面的金属氧化物及其它杂质,保证后续石墨烯表面沉积铜膜的纯度,直流磁控溅射的工艺参数为:靶材是纯度为99.99%的铜靶,在真空度达到0.1×10-3-1.0×10-3Pa时,通入纯度99.99%的氩气,工作气压1-1.5Pa,溅射功率150-200W,沉积时间为10-25min;
将镀铜石墨烯球磨成粉末:...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:苏州思创源博电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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