一种碳包覆硒化锡负极材料的制备方法技术

技术编号:19432669 阅读:239 留言:0更新日期:2018-11-14 12:08
本发明专利技术公开了一种碳包覆硒化锡负极材料的制备方法,本发明专利技术所采用的制备方法简单,实验重复性高、周期短,适合大规模生产制备的需要,在锂离子电池应用方面具有显著的科学意义;所述方法采用的硒化锡为纳米级纤维状,其单个纤维上布满均匀的贯通孔,有效地抑制硒化锡的体积膨胀收缩;本发明专利技术通过碳氮的复合,提高了活性物质的导电性,另外,氮掺杂的碳层与硒化锡之间的空腔为活性物质嵌/脱锂时体积的膨胀提供了有效空间,防止了硒化锡的粉化团聚。

【技术实现步骤摘要】
一种碳包覆硒化锡负极材料的制备方法
本专利技术涉及电池材料领域,具体涉及一种碳包覆硒化锡负极材料的制备方法。
技术介绍
近年来,国内新能源汽车行业发展迅速,电池种类丰富多样,市场对电池的需求和要求逐渐增加。其最关心的关键指标主要集中在五大方面:安全稳定性能、循环寿命、耐宽温性、充电速度和能量密度。当今,锂离子电池在社会发展中的作用越来越高。因此,开发高性能、绿色环保的电极材料成为锂离子电池的研究热点。目前锂离子电池负极材料以石墨化碳材料为主,但碳材料存在以下不足:(1)首次放电过程中生成SEI膜,造成不可逆容量损失,甚至引起碳电极内部结构变化和接触不良;(2)高温时因为保护层的分解,导致电池失效或引起安全性事故;(3)单位体积容量相对较低。由于金属、金属氧化物及其复合材料具有高的比容量,因此它们成为锂离子电池负极材料的替代品,具有较大的发展潜力。已有研究表明,纳米过度金属氧化具有较高的理论比容量,而且容量保持率高。尤其是锡基负极材料,因为锡基负极不仅具有较高的理论容量,而且很容易与第Ⅴ主族的元素和第Ⅵ主族的元素形成两相的合金化合物。近年来,对于SnSb、Sn3P4、SnO2、SnS2等锡的合金化合物的报道比较多,但是对于SnSe2的报道比较少。SnSe2为六方相的层状结构,层与层之间的结合比较弱,有利于锂离子的嵌入与脱出,作为负极材料具有较大的发展空间。但是要将SnSe2负极材料应用于实际中,其电化学性能还有待进一步提高。
技术实现思路
本专利技术提供一种碳包覆硒化锡负极材料的制备方法,本专利技术所采用的制备方法简单,实验重复性高、周期短,适合大规模生产制备的需要,在锂离子电池应用方面具有显著的科学意义;所述方法采用的硒化锡为纳米级纤维状,其单个纤维上布满均匀的贯通孔,有效地抑制硒化锡的体积膨胀收缩;本专利技术通过碳氮的复合,提高了活性物质的导电性,另外,氮掺杂的碳层与硒化锡之间的空腔为活性物质嵌/脱锂时体积的膨胀提供了有效空间,防止了硒化锡的粉化团聚。为了实现上述目的,本专利技术提供一种碳包覆硒化锡负极材料的制备方法,该方法包括如下步骤:(1)制备多孔硒化锡材料取氯化锡加入到去离子水中,搅拌至完全溶解形成溶液一;称取硒粉,加入到水合肼中,搅拌至完全溶解形成溶液二;然后将溶液二逐滴加入到溶液一中形成混合溶液三,并搅拌均匀;其中,锡离子与硒原子的摩尔比为1:(2-3);将上述混合液三转移至水热釜中,然后将水热釜置于水热反应仪于220-230℃反应,反应结束后随炉冷却至室温,然后用去离子水和无水乙醇分别洗涤、离心得到黑色的粉体,将分离得到的粉体烘干得到SnSe2纳米晶。将粉末状的氯化钾与SnSe2纳米晶以质量比10:(150-200)混合均匀,然后送入螺杆挤压机,设置螺杆挤出压机的温度为340-350℃,通过螺杆的旋转剪切、分散使氯化钾研磨形成晶粒并均匀分散于半熔融状态的SnSe2纳米晶;将到的SnSe2纳米晶趁热送入高温高压均质机,设置温度为450-460℃,高压气体为氮气,通过均质机高温高压,使掺杂锡形成喷射流进入高电压静电纺丝,得到径向SnSe2纳米线;将得到的径向SnSe2纳米线用去离子水清洗,除去残余的氯化钾,烘干、细化,得到多孔硒化锡;(2)制备氧化硅包覆硒化锡前驱体将60重量份的多孔硒化锡分散在150-180重量份的由乙二醇和水按体积比3:1构成的混合液中,超声搅拌10-60min,然后在搅拌条件下加入2-4重量份氨水和0.2-0.3重量份正硅酸四乙酯,继续搅拌8-14h,离心、洗涤,即获得氧化硅包覆硒化锡前驱体;(3)将获得的氧化硅包覆硒化锡前驱体分散在100重量份乙醇中,然后加入1-2重量份的高分子表面活性剂,搅拌20-30h,离心、洗涤;将洗涤后氧化硅包覆硒化锡前驱体分散于80重量份去离子水中,然后加入0.3-0.35重量份吡咯单体,超声45-50min,再在搅拌条件下逐滴加入50重量份浓度为20-25mmol/L的引发剂溶液,最后聚合反应4-12h,离心、洗涤、干燥;(4)将所述干燥后的产物置于惰性气体氛围中,以5℃-8℃/min的升温速率升温至570℃-630℃,退火1-3h,使聚吡咯碳化;将所述碳化后的产物放入碱性溶液中进行刻蚀,以去除SiO2,即得到碳包覆硒化锡负极材料。优选的,所述高分子表面活性剂为聚丙烯酸胺、羟乙基纤维素和聚氧乙烯类共聚物中的至少一种;所述引发剂为过硫酸铵、重铬酸钾和碘酸钾中的至少一种。本专利技术具有如下优点和显著效果:(1)述方法采用的硒化锡为纳米级纤维状,其单个纤维上布满均匀的贯通孔,有效地抑制硒化锡的体积膨胀收缩,在同等条件下,可嵌入更多地锂离子,提高电池的能量密度;(2)本专利技术通过碳氮的复合,提高了活性物质的导电性,另外,氮掺杂的碳层与硒化锡之间的空腔为活性物质嵌/脱锂时体积的膨胀提供了有效空间,防止了硒化锡的粉化团聚;(3)本专利技术所采用的制备方法简单,实验重复性高、周期短,适合大规模生产制备的需要,在锂离子电池应用方面具有显著的科学意义。具体实施方式实施例一取氯化锡加入到去离子水中,搅拌至完全溶解形成溶液一;称取硒粉,加入到水合肼中,搅拌至完全溶解形成溶液二;然后将溶液二逐滴加入到溶液一中形成混合溶液三,并搅拌均匀;其中,锡离子与硒原子的摩尔比为1:2;将上述混合液三转移至水热釜中,然后将水热釜置于水热反应仪于220℃反应,反应结束后随炉冷却至室温,然后用去离子水和无水乙醇分别洗涤、离心得到黑色的粉体,将分离得到的粉体烘干得到SnSe2纳米晶。将粉末状的氯化钾与SnSe2纳米晶以质量比10:150混合均匀,然后送入螺杆挤压机,设置螺杆挤出压机的温度为340℃,通过螺杆的旋转剪切、分散使氯化钾研磨形成晶粒并均匀分散于半熔融状态的SnSe2纳米晶。将到的SnSe2纳米晶趁热送入高温高压均质机,设置温度为450-460℃,高压气体为氮气,通过均质机高温高压,使掺杂锡形成喷射流进入高电压静电纺丝,得到径向SnSe2纳米线;将得到的径向SnSe2纳米线用去离子水清洗,除去残余的氯化钾,烘干、细化,得到多孔硒化锡。将60重量份的多孔硒化锡分散在150重量份的由乙二醇和水按体积比3:1构成的混合液中,超声搅拌10min,然后在搅拌条件下加入2-4重量份氨水和0.2重量份正硅酸四乙酯,继续搅拌8h,离心、洗涤,即获得氧化硅包覆硒化锡前驱体。将获得的氧化硅包覆硒化锡前驱体分散在100重量份乙醇中,然后加入1重量份的高分子表面活性剂,搅拌20h,离心、洗涤;将洗涤后氧化硅包覆硒化锡前驱体分散于80重量份去离子水中,然后加入0.3重量份吡咯单体,超声45min,再在搅拌条件下逐滴加入50重量份浓度为20mmol/L的引发剂溶液,最后聚合反应4h,离心、洗涤、干燥;将所述干燥后的产物置于惰性气体氛围中,以5℃/min的升温速率升温至570℃,退火1h,使聚吡咯碳化;将所述碳化后的产物放入碱性溶液中进行刻蚀,以去除SiO2,即得到碳包覆硒化锡负极材料。其中,所述高分子表面活性剂为聚丙烯酸胺、羟乙基纤维素和聚氧乙烯类共聚物中的至少一种;所述引发剂为过硫酸铵、重铬酸钾和碘酸钾中的至少一种。实施例二取氯化锡加入到去离子水中,搅拌至完全溶解形成溶液一;称取硒粉,加入到水合肼中,搅拌至完全溶解形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳包覆硒化锡负极材料的制备方法,该方法包括如下步骤:(1)制备多孔硒化锡材料取氯化锡加入到去离子水中,搅拌至完全溶解形成溶液一;称取硒粉,加入到水合肼中,搅拌至完全溶解形成溶液二;然后将溶液二逐滴加入到溶液一中形成混合溶液三,并搅拌均匀;其中,锡离子与硒原子的摩尔比为1:(2‑3);将上述混合液三转移至水热釜中,然后将水热釜置于水热反应仪于220‑230℃反应,反应结束后随炉冷却至室温,然后用去离子水和无水乙醇分别洗涤、离心得到黑色的粉体,将分离得到的粉体烘干得到SnSe2纳米晶;将粉末状的氯化钾与SnSe2纳米晶以质量比10:(150‑200)混合均匀,然后送入螺杆挤压机,设置螺杆挤出压机的温度为340‑350℃,通过螺杆的旋转剪切、分散使氯化钾研磨形成晶粒并均匀分散于半熔融状态的SnSe2纳米晶;将到的SnSe2纳米晶趁热送入高温高压均质机,设置温度为450‑460℃,高压气体为氮气,通过均质机高温高压,使掺杂锡形成喷射流进入高电压静电纺丝,得到径向SnSe2纳米线;将得到的径向SnSe2纳米线用去离子水清洗,除去残余的氯化钾,烘干、细化,得到多孔硒化锡;(2)制备氧化硅包覆硒化锡前驱体将60重量份的多孔硒化锡分散在150‑180重量份的由乙二醇和水按体积比3:1构成的混合液中,超声搅拌10‑60min,然后在搅拌条件下加入2‑4重量份氨水和0.2‑0.3重量份正硅酸四乙酯,继续搅拌8‑14h,离心、洗涤,即获得氧化硅包覆硒化锡前驱体;(3)将获得的氧化硅包覆硒化锡前驱体分散在100重量份乙醇中,然后加入1‑2重量份的高分子表面活性剂,搅拌20‑30h,离心、洗涤;将洗涤后氧化硅包覆硒化锡前驱体分散于80重量份去离子水中,然后加入0.3‑0.35重量份吡咯单体,超声45‑50min,再在搅拌条件下逐滴加入50重量份浓度为20‑25mmol/L的引发剂溶液,最后聚合反应4‑12h,离心、洗涤、干燥;(4)将所述干燥后的产物置于惰性气体氛围中,以5℃‑8℃/min的升温速率升温至570℃‑630℃,退火1‑3h,使聚吡咯碳化;将所述碳化后的产物放入碱性溶液中进行刻蚀,以去除SiO2,即得到碳包覆硒化锡负极材料。...

【技术特征摘要】
1.一种碳包覆硒化锡负极材料的制备方法,该方法包括如下步骤:(1)制备多孔硒化锡材料取氯化锡加入到去离子水中,搅拌至完全溶解形成溶液一;称取硒粉,加入到水合肼中,搅拌至完全溶解形成溶液二;然后将溶液二逐滴加入到溶液一中形成混合溶液三,并搅拌均匀;其中,锡离子与硒原子的摩尔比为1:(2-3);将上述混合液三转移至水热釜中,然后将水热釜置于水热反应仪于220-230℃反应,反应结束后随炉冷却至室温,然后用去离子水和无水乙醇分别洗涤、离心得到黑色的粉体,将分离得到的粉体烘干得到SnSe2纳米晶;将粉末状的氯化钾与SnSe2纳米晶以质量比10:(150-200)混合均匀,然后送入螺杆挤压机,设置螺杆挤出压机的温度为340-350℃,通过螺杆的旋转剪切、分散使氯化钾研磨形成晶粒并均匀分散于半熔融状态的SnSe2纳米晶;将到的SnSe2纳米晶趁热送入高温高压均质机,设置温度为450-460℃,高压气体为氮气,通过均质机高温高压,使掺杂锡形成喷射流进入高电压静电纺丝,得到径向SnSe2纳米线;将得到的径向SnSe2纳米线用去离子水清洗,除去残余的氯化钾,烘干、细化,得到多孔硒化锡;(2)制备氧化硅包覆硒化锡前...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:苏州思创源博电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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