The invention discloses a preparation method of an aluminum antimony material, which is used for solving the technical problems of the low resistivity of the prepared aluminum alloy material. The technical scheme is high pure aluminum with high purity antimony as raw material, remove the oxide layer on the surface of the aluminum by chemical etching method, and then the raw materials according to a certain configuration Moerbi placed on the boron nitride crucible, the boron nitride crucible is placed in the quartz crucible, vacuum pumping, sealing, using temperature oscillation at furnace of synthesis, and finally the growth in crystal growth furnace using Bridgman method. Due to high chemical stability of boron nitride and aluminum, the reaction rate is very slow, and AlSb belong to III-V compounds, nitrogen and boron element has no active donor and acceptor level in AlSb crystal, no impurities deteriorate the resistivity of aluminum antimonide material resistivity by the background of the 105. Cm increased to 109. Cm. The hole mobility of 382cm2V-1S-1 Holzer.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料领域,特别涉及一种锑化铝材料的制备方法。
技术介绍
锑化铝(以下简称AlSb)作为一种III-V族化合物半导体材料,一方面其原子序数为13/51,另一方面在室温时禁带宽度为1.62eV,同时其电子与空穴的理论迁移率分别达到1100cm2·v-1·s-1及700cm2·v-1·s-1,而且作为间接带隙半导体,其理论载流子寿命达到10-3s,满足原子序数高、禁带宽度大、载流子迁移率与寿命积大等制备室温半导体核辐射探测器的理论要求,有望作为下一代室温半导体核辐射探测器材料,在国土安全,医疗诊断,无损探伤,环境保护,天文观测等领域具有广阔的应用前景。文献1“KutnyVE,RybkaAV,AbyzovAS,etal.AlSbsingle-crystalgrownbyHPBM[J].NuclearInstrumentsandMethodsinPhysicsResearchSectionA:Accelerators,Spectrometers,DetectorsandAssociatedEquipment,2001,458(1):448-454.”公开了一种AlSb晶体的制备方法。该方法将原材料放置于坩埚中,然后向合成炉中冲入40atm的惰性气体,将原料加热到1150℃,保温3小时,然后在6小时内降温到50℃,然后采用高压布里奇曼法进行生长,具体的生长条件例如生长速率等未给出详细介绍。上述公开的方法在具体实施例中采用了多种坩 ...
【技术保护点】
一种锑化铝材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一、采用纯度为99.999%的铝原料,在HF:H2O2=1:2~1:3的溶液中腐蚀30~60秒,腐蚀完毕后清洗,氮气吹干;步骤二、经过处理的铝原料与纯度为99.9999%的锑原料按1:1.05~1:1.1配比,并掺杂30~130ppm的纯度为99.99999%的碲单质,将锑原料和碲单质一同转入洁净干燥的氮化硼坩埚中,再将氮化硼坩埚置于洁净干燥的石英安瓿中,对石英安瓿抽真空,真空度达5~8×10‑5Pa时封管;步骤三、将石英安瓿放置于高温合料炉中,升温至500~600℃,保温22~24小时,然后以每小时5~10℃的速率升温至680~700℃,然后升温到锑化铝熔点以上15~65℃,进行温度震荡,10~20小时后断电炉冷,合料完成;步骤四、将合料完成后的石英安瓿放置于ACRT‑B型晶体生长设备中,设定高温区目标温度为1080~1100℃,低温区目标温度为900~940℃,升温时间为12~24小时;到达目标温度后,在锑化铝熔点以上40~60℃进行12~24小时的过热,最后将坩埚底部温度降至高于温度锑化铝熔点以上2~5℃,坩埚以每小时2~5m ...
【技术特征摘要】
1.一种锑化铝材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一、采用纯度为99.999%的铝原料,在HF:H2O2=1:2~1:3的溶液中腐蚀30~60
秒,腐蚀完毕后清洗,氮气吹干;
步骤二、经过处理的铝原料与纯度为99.9999%的锑原料按1:1.05~1:1.1配比,并
掺杂30~130ppm的纯度为99.99999%的碲单质,将锑原料和碲单质一同转入洁净干
燥的氮化硼坩埚中,再将氮化硼坩埚置于洁净干燥的石英安瓿中,对石英安瓿抽真空,
真空度达5~8×10-5Pa时封管;
步骤三、将石英安瓿放置于高温合料炉中,升温至500~600℃,保温22~24小
时,然后以每小时5~10℃的速...
【专利技术属性】
技术研发人员:王涛,殷子昂,赵清华,代书俊,王维,陈炳奇,李洁,介万奇,
申请(专利权)人:西北工业大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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