粘合片、粘合片的利用方法及精密电子设备技术

本发明专利技术提供即使使用有机硅系剥离衬垫也能抑制从粘合剂层产生硅氧烷气体的粘合片、粘合片的利用方法及精密电子设备。本发明专利技术的粘合片具备：粘合剂层，其包含丙烯酸系聚合物；和剥离衬垫，其具有由有机硅系剥离剂形成的剥离层，所述剥离层以层叠的形式粘附于所述粘合剂层，所述丙烯酸系聚合物含有至少1种具有碳数1～18的直链或支链状的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体单元，在所述剥离衬垫被剥离了的状态下于120℃加热10分钟后由所述粘合剂层产生的每单位面积的硅氧烷气体的量小于20.0ng/cm2。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及粘合片、粘合片的利用方法及精密电子设备。
技术介绍
已知减少了硅氧烷气体的产生量的粘合片(例如专利文献1～3)。这样的粘合片优选在精密电子设备(例如硬盘驱动器等)、涂装等厌恶硅氧烷气体的用途中使用。前述粘合片中，作为用于保护粘合剂层的剥离衬垫，利用用非有机硅系剥离剂进行了剥离处理的剥离衬垫。利用用有机硅系剥离剂而不是非有机硅系剥离剂进行了剥离处理的剥离衬垫时，存在作为硅氧烷气体的产生源的有机硅成分从所述剥离衬垫向粘合剂层大量转移的问题。因此，在厌恶硅氧烷气体的用途中，如上所述，作为剥离衬垫，必须利用用非有机硅系剥离剂进行了剥离处理的剥离衬垫。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-162874号公报专利文献2：日本特开2014-148646号公报专利文献3：日本特开2009-74060号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，用非有机硅系剥离剂进行了剥离处理的剥离衬垫与用有机硅系剥离剂进行了剥离处理的剥离衬垫相比，通用性不高，因而成为导致粘合片的成本增加的一个原因。此外，非有机硅系的剥离衬垫与有机硅系的剥离衬垫相比耐热性低，因此，根据加热条件的不同，在非有机硅系的剥离衬垫粘附于粘合剂层的状态下不能对粘合片进行加热。本专利技术的课题在于解决目前存在的前述各种问题，实现以下的目的。即，本专利技术的目的在于，提供一种即使使用具有有机硅系剥离处理层的剥离衬垫也能抑制从粘合剂层产生硅氧烷气体的粘合片。此外，本专利技术的目的还在于，提供一种对硬盘驱动器等精密电子设备利用上述粘合片的粘合片的利用方法。此外，本专利技术的目的还在于，提供一种具有上述粘合片的硬盘驱动器等精密电子设备。用于解决问题的方案本专利技术人等为了实现前述目的进行了深入研究，结果发现，在具备包含丙烯酸系聚合物的粘合剂层、和具有由有机硅系剥离剂形成的剥离层且剥离层以层叠的形式粘附于粘合剂层的剥离衬垫的粘合片中，丙烯酸系聚合物作为单体单元含有具有作为极性基团的酸性基团的极性单体是粘合剂层从剥离层夺去有机硅进行吸附并产生硅氧烷气体的原因。本专利技术是基于前述见解做出的专利技术，本专利技术人等发现，如下的粘合片能够实现上述目的，从而完成了本专利技术，所述粘合片为具备粘合剂层和剥离衬垫的粘合片，所述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，所述剥离衬垫具有由有机硅系剥离剂形成的剥离层，并且前述剥离层剥离层以层叠的形式粘附于前述粘合剂层，前述丙烯酸系聚合物含有至少1种具有碳数1～18的直链或支链状的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体单元，在前述剥离衬垫被剥离了的状态下于120℃下加热10分钟后由前述粘合剂层产生的每单位面积的硅氧烷气体的量小于20.0ng/cm2。前述粘合片中，优选的是，在前述剥离衬垫被剥离了的状态下于120℃下加热10分钟后由前述粘合剂层产生的每单位面积的排气(其中不包括前述硅氧烷气体)的量小于500ng/cm2。前述粘合片中，优选的是，前述剥离层由换算成聚二甲基硅氧烷为每单位面积0.15g/m2以下的有机硅系剥离剂形成。前述粘合片中，优选的是，将前述剥离衬垫从前述粘合剂层剥离时，从前述剥离层向前述粘合剂层转移的有机硅的量换算成聚二甲基硅氧烷为每单位面积0.005g/m2以下。前述粘合片中，优选的是，将前述剥离衬垫从前述粘合剂层剥离时，从前述剥离层向前述粘合剂层转移的有机硅的比率换算成聚二甲基硅氧烷为小于30质量％。前述粘合片中，优选的是，前述丙烯酸系聚合物含有至少1种含极性基团单体作为单体单元，并且，前述含极性基团单体仅包含非酸性极性单体，所述非酸性极性单体不包含酸性基团作为所述极性基团。前述粘合片中，优选的是，前述非酸性极性单体的以单体单元计的含有率(质量％)相对于构成前述丙烯酸系聚合物的单体单元总量(100质量％)为3质量％以上。前述粘合片中，优选的是，前述(甲基)丙烯酸烷基酯具有碳数4～18的直链或支链状的烷基。前述粘合片中，优选的是，前述粘合剂层的180°剥离粘合力为10N/20mm以上。前述粘合片优选用于精密电子设备。此外，本专利技术的粘合片的利用方法为对精密电子设备利用前述粘合片的粘合片的利用方法，其包括如下的工序：将前述剥离衬垫从前述粘合剂层剥离的剥离工序；和将前述粘合剂层粘附于构成精密电子设备的构件的粘附工序。此外，本专利技术的精密电子设备具备前述粘合片。专利技术的效果根据本专利技术，能够解决目前存在的前述各种问题，能够提供即使使用具有有机硅系剥离处理层的剥离衬垫也能抑制从粘合剂层产生硅氧烷气体的粘合片。此外，根据本专利技术，能够提供对硬盘驱动器等精密电子设备利用上述粘合片的粘合片的利用方法。此外，根据本专利技术，能够提供具有上述粘合片的硬盘驱动器等精密电子设备。附图说明图1是具备1个粘合剂层的双面粘合型的粘合片的示意图。图2是在基材的双面分别形成有粘合剂层的双面粘合型的粘合片的示意图。图3是在基材的单面形成有粘合剂层的单面粘合型的粘合带的示意图。附图标记说明1，1A，1B…粘合片、2…粘合剂层、3…基材、4…剥离衬垫、41…由有机硅系剥离剂形成的剥离层、42…支撑基材具体实施方式本实施方式的粘合片具备：粘合剂层，其包含丙烯酸系聚合物；和剥离衬垫，其具有由有机硅系剥离剂形成的剥离层及用于支撑剥离层的支撑基材，剥离层以层叠的形式粘附于粘合剂层。需要说明的是，通常，“粘合片”也以“粘合带”、“粘合薄膜”等不同的名称称呼，本说明书中，将其统一称为“粘合片”。此外，有时将粘合片中的粘合剂层的表面称为“粘合面”。粘合片可以是片材的双面为粘合面的双面粘合型，也可以是仅片材的单面为粘合面的单面粘合型。作为双面粘合型的粘合片，可以为不具备基材(支撑体)的所谓的无基材粘合片，也可以为具备基材的所谓的带基材粘合片。作为无基材粘合片，例如可以列举出如图1所示在粘合剂层2的双面粘附有剥离衬垫4的粘合片1。相对于此，作为带基材粘合片，例如可以列举出如图2所示在基材3的双面分别形成有粘合剂层2、并且在各粘合剂层2的单面粘附有剥离衬垫4的粘合片1A。此外，作为单面粘合型的粘合片，例如可以列举出如图3所示在基材3的单面形成有粘合剂层2、在该粘合剂层2的单面粘附有剥离衬垫4的粘合片1B。这些粘合片1、1A、1B在使用前的状态下，粘合剂层2的粘合面2a被剥离衬垫4覆盖。剥离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘合片，其特征在于，具备：粘合剂层，其包含丙烯酸系聚合物；和剥离衬垫，其具有由有机硅系剥离剂形成的剥离层，所述剥离层以层叠的形式粘附于所述粘合剂层，所述丙烯酸系聚合物含有至少1种具有碳数1～18的直链或支链状的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体单元，在所述剥离衬垫被剥离了的状态下于120℃加热10分钟后由所述粘合剂层产生的每单位面积的硅氧烷气体的量小于20.0ng/cm2。

【技术特征摘要】
2015.01.15 JP 2015-0057461.一种粘合片，其特征在于，具备：
粘合剂层，其包含丙烯酸系聚合物；和
剥离衬垫，其具有由有机硅系剥离剂形成的剥离层，所述剥离层以层叠
的形式粘附于所述粘合剂层，
所述丙烯酸系聚合物含有至少1种具有碳数1～18的直链或支链状的烷基
的(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体单元，
在所述剥离衬垫被剥离了的状态下于120℃加热10分钟后由所述粘合剂
层产生的每单位面积的硅氧烷气体的量小于20.0ng/cm2。
2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，在所述剥离衬垫被剥离了的状
态下于120℃下加热10分钟后由所述粘合剂层产生的每单位面积的排气(其
中，不包括所述硅氧烷气体)的量小于500ng/cm2。
3.根据权利要求1或2所述的粘合片，其中，所述剥离层由换算成聚二甲
基硅氧烷为每单位面积0.15g/m2以下的有机硅系剥离剂形成。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的粘合片，其中，从所述粘合剂层
剥离所述剥离衬垫时，从所述剥离层向所述粘合剂层转移的有机硅的量换算
成聚二甲基硅氧烷为每单位面积0.005g/m2以下。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的粘合片，其中，从所述粘合剂层
剥离所述剥离衬垫时...

【专利技术属性】
技术研发人员：古田宪司，寺田好夫，中尾航大，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP