【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及采用光调制元件阵列等来形成图案的曝光装置,尤其涉及焦点检测。
技术介绍
在无掩模曝光装置中,一边使搭载有基板的载台沿扫描方向移动,一边通过DMD(DigitalMicro-mirrorDevice:数字微镜设备)等光调制元件阵列向基板投影图案光。在此,对以呈二维状排列的光调制元件(微镜等)进行控制,使得与载置在载台的基板上的投影区(曝光区)的位置对应地投影图案光。为了使图案光的焦点位置对准涂布或贴合有感光材料的基板上表面,在曝光前进行焦点调整。例如,在焦点调整时,一边使对焦透镜在光轴上移动,一边通过DMD对接近投影光学系统的分辨极限的周期的线与间隙图案(L/S图案)的光进行投影。在投影光学系统的下方设有CCD照相机,当CCD照相机接收图案光时,通过图像处理计算线与间隙图案的对比度关联值。然后,将峰值检测位置确定为对焦位置来调整基板位置(参照专利文献1)。曝光装置的光学系统的焦点位置有时随时间发生变化。因此,即便进行一次焦点调整,焦点位置也有可能偏离对焦位置。特别是,近年来伴随图案的微细化而处于焦深变浅的趋势,因此容易从对焦位置偏离。因此,通过观察用照相机对投影到虚设基板上的光束进行观察,设定对比度达到最大的对焦透镜的位置,并且进行结合随时间的变化来调整该位置处的基板与光学系统之间的距离(基准距离)的校准动作(参照专利文献2)。另一方面,在曝光装置中,由于光源寿命而导致输出下降时,无法得到所需 ...
【技术保护点】
一种曝光装置,其特征在于,具备:光调制元件阵列,其由多个光调制元件呈矩阵状排列而成;扫描部,其使由所述光调制元件阵列形成的曝光区相对于被描绘体沿着主扫描方向相对移动;曝光控制部,其根据与所述曝光区的相对位置对应的图案数据,对所述多个光调制元件进行控制;成像光学系统,其使来自所述光调制元件阵列的图案光在所述被描绘体的描绘面上成像;遮光部,其沿着所述描绘面形成了至少1个缝隙;测光部,其接收透过所述缝隙的光;以及对焦检测部,其根据所述测光部的输出,检测对焦状态,在所述曝光区在所述遮光部上相对移动的期间,所述曝光控制部投影线与间隙图案光,所述对焦检测部根据通过线与间隙图案光的投影而检测到的波形光量的振幅和处于对焦范围时的基准振幅,检测所述被描绘面是否处于对焦范围。
【技术特征摘要】
2014.12.05 JP 2014-247283;2014.12.05 JP 2014-247301.一种曝光装置,其特征在于,具备:
光调制元件阵列,其由多个光调制元件呈矩阵状排列而成;
扫描部,其使由所述光调制元件阵列形成的曝光区相对于被描绘体沿着主扫描方
向相对移动;
曝光控制部,其根据与所述曝光区的相对位置对应的图案数据,对所述多个光调
制元件进行控制;
成像光学系统,其使来自所述光调制元件阵列的图案光在所述被描绘体的描绘面
上成像;
遮光部,其沿着所述描绘面形成了至少1个缝隙;
测光部,其接收透过所述缝隙的光;以及
对焦检测部,其根据所述测光部的输出,检测对焦状态,
在所述曝光区在所述遮光部上相对移动的期间,所述曝光控制部投影线与间隙图
案光,
所述对焦检测部根据通过线与间隙图案光的投影而检测到的波形光量的振幅和
处于对焦范围时的基准振幅,检测所述被描绘面是否处于对焦范围。
2.根据权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,
所述对焦检测部根据光量振幅与基准振幅之比即振幅比,判断是否处于对焦范
围。
3.根据权利要求2所述的曝光装置,其特征在于,
所述对焦检测部根据所述振幅比与所述成像光学系统的焦点位置之间的对应关
系,判断是否处于对焦范围。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述对焦检测部根据线与间隙图案光的平均光量以及未投影线与间隙图案光时
的基础光量,计算基准振幅。
5.根据权利要求4所述的曝光装置,其特征在于,
所述遮光部具有平均光量测量用开口部,
所述测光部具有接收穿过所述平均光量测量用开口部的线与间隙图案光的平均
\t光量用受光部。
6.一种曝光装置,其特征在于,具备:
光调制元件阵列,其由多个光调制元件呈矩阵状排列而成;
扫描部,其使由所述光调制元件阵列形成的曝光区相对于被描绘体沿着主扫描方
向相对移动;
曝光控制部,其根据与所述曝光区的相对位置对应的图案数据,对所述多个光调
制元件进行控制;
成像光学系统,其使来自所述光调制元件阵列的图案光在所述被描绘体的描绘面
上成像;
遮光部,其沿着...
【专利技术属性】
技术研发人员:奥山隆志,菊地信司,
申请(专利权)人:株式会社ORC制作所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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