使用低阻抗偏置的记忆效应减小制造技术

一种电路包括用于被偏置的晶体管的偏置电路。偏置电路包括主从源极跟随器电路、基准晶体管和耦合到被偏置的晶体管并且被配置成提供偏置电压的偏置电路电压输出。基准晶体管具有与被偏置的晶体管的跨导基本相同的跨导。信号接地电路可以被耦合在被偏置的晶体管和偏置电路的不生成到电源接地的显著的返回电流的一个或多个部件之间。一种方法包括根据使用主源极跟随器电路生成的第一电压在基准晶体管中生成电流，使用从源极跟随器电路生成与第一电压基本相同的第二电压，以及向被偏置的晶体管提供第二电压。基准晶体管具有与被偏置的晶体管的跨导基本相同的跨导。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本公开要求2013年11月04日提交的美国临时申请No.61/899,460的权益，该申请整体内容通过引用并入本文。
技术介绍
在某一时间点处的理想放大器的输出的幅度仅仅取决于在那个时间到该放大器的输入的幅度。非线性是实际的放大器的行为与理想放大器的行为的偏离。记忆效应是非线性的一种形式，其中(非理想的)放大器的输出的幅度受多个之前的时间点处的输入的幅度的影响。由记忆效应导致的非线性向放大器的输出中引入失真。记忆效应可以由放大器内的具有显著时间常数的反馈环、诸如自动增益控制(AGC)电路和偏置电路导致。
技术实现思路
在实施例中，一种电路包括用于被偏置的晶体管的偏置电路。偏置电路包括主从源极跟随器电路、基准晶体管以及被耦合到被偏置的晶体管并且被配置成提供偏置电压的偏置电路电压输出。基准晶体管具有与被偏置的晶体管的第二跨导基本相同的第一跨导。在实施例中，主从源极跟随器电路包括被配置成作为第一源极跟随器操作并且向基准晶体管提供主基准电压的主晶体管和被配置成作为第二源极跟随器操作并且根据主基准电压提供偏置电压的从晶体管。在实施例中，偏置电路进一步包括在偏置电路电压输出和被偏置的晶体管之间耦合的滤波器电路。滤波器电路被配置成在第一频率呈现第一阻抗并且在第二频率呈现第二阻抗。第一频率基本上比第二频率更高，并且第一阻抗基本上比第二阻抗更高。在实施例中，电路进一步包括在被偏置的晶体管和偏置电路的一个或多个部件之间耦合的信号接地电路。直接连接到信号接地电路的偏置电路的部件不生成到电源接地的显著的返回电流。在实施例中，基准晶体管与被偏置的晶体管基本相同。在实施例中，电路进一步包括具有端部抽头和中心抽头的线圈。端部抽头被耦合到被偏置的晶体管的栅极，并且中心抽头被耦合到偏置电路电压输出。在实施例中，电路进一步包括被配置成生成第一电流的电流源。偏置电路被配置成生成基本上与第一电流相同的经过基准晶体管的第二电流。在实施例中，电路被设置在单个集成的电路芯片中。在实施例中，一种方法包括根据使用偏置电路的主源极跟随器电路生成的第一电压在基准晶体管中生成电流，使用偏置电路的从源极跟随器电路生成与第一电压基本相同的第二电压，以及向被偏置的晶体管提供第二电压。基准晶体管具有与被偏置的晶体管的第二跨导基本相同的第一跨导。在实施例中，基准晶体管与被偏置的晶体管基本相同。在实施例中，方法进一步包括使用偏置电路的滤波器电路对第二电压滤波。滤波器电路在第一频率呈现第一阻抗并且在第二频率呈现第二阻抗。第一频率基本上比第二频率更高，并且第一阻抗基本上比第二阻抗更高。在实施例中，方法进一步包括使用信号接地电路向偏置电路的一个或多个部件提供信号接地基准。接地电路在被偏置的晶体管附近的位置处被连接到电源接地网络。直接连接到信号接地电路的偏置电路的部件不生成到电源接地的显著的返回电流。在实施例中，向被偏置的晶体管提供第二电压包括向线圈的中心抽头提供第二电压。被偏置的晶体管被耦合到线圈的端部抽头。附图说明图1是根据实施例的集成电路的框图。图2是根据实施例的电路的图。图3A图示了根据实施例的集成电路的布局。图3B图示了根据另一实施例的集成电路的布局。图4图示了偏置晶体管的过程。具体实施方式图1是根据本公开的实施例的集成电路(IC)1-100的框图。IC1-100包括功率放大器(PA)1-104和偏置电路1-110。PA1-104的输出被连接到天线108。在实施例中，PA1-104是推挽式放大器。输入信号PA_IN被提供到PA1-104。偏置电路1-110向PA1-104提供偏置电压Vb。尽管图1示出了被连接到天线108的PA1-104的输出，然而实施例并不受限于此。在实施例中，PA1-104的输出可以被连接到声换能器、光换能器、机械换能器、另一放大器、传输线等等。图2是适于在图1的偏置电路1-110中使用的偏置电路2-110的图。还示出了适于在图1的PA-104中使用的PA2-104的子电路。偏置电路2-110向PA2-104提供偏置电压Vb。PA2-104包括变压器230，变压器230包括初级线圈234和次级线圈232。次级线圈232的第一端部抽头A和第二端部抽头B分别被连接到N沟道金属氧化物半导体(NMOS)第一晶体管240a和第二晶体管240b的栅极。第一晶体管240a的源极和第二晶体管240b的源极被电连接到彼此、到电源接地(在图2中通过倒三角常规地指示)以及到信号接地电路2-250。使用电源接地网络(未示出)提供电源接地。信号接地电路2-250包括除电源接地网络的导电元件以外的导电元件。偏置电压Vb被提供到次级线圈232的中心抽头C并且操作来偏置第一晶体管240a和第二晶体管240b。输入信号PA_IN被提供到初级线圈234。次级线圈232在高频率呈现第一阻抗并且在低频率呈现比第一阻抗低的第二阻抗。在实施例中，高频率是射频载波信号的频率，并且低频率是用来调制载波信号的基带信号的频率。在实施例中，第一晶体管240a和第二晶体管240b具有基本相同的跨导。跨导被定义成在晶体管的输出处的电流变化与在晶体管的输入(例如，栅极)处的对应的电压变化的比。偏置电路2-110包括偏置电压生成器201。偏置电压生成器201包括NMOS第三晶体管202和第四晶体管204、可编程电流源208、运算放大器(opamp)210和NMOS基准晶体管216。第三晶体管202的漏极和第四晶体管204的漏极被连接到电源电压。第三晶体管202的栅极和第四晶体管204的栅极被连接到彼此并且被连接到电源电压。第三晶体管202的源极被连接到opamp210的负输入并且被连接到可编程电流源208的第一端子。可编程电流源208的第二端子被连接到电源接地。第三晶体管202和可编程电流源208形成电流镜电路的基准腿(leg)。可编程电流源208被控制以生成目标电流Itarg。在实施例中，可编程电流源208包括数模转换器(DAC)。第四晶体管204的源极被连接到opamp210的正输入并且被连接到基准晶体管216的漏极。基准晶体管216的源极被连接到电源接地。第四晶体管204和基准晶体管216形成电流镜电路的镜像腿。偏置电压生成器201进一步包括主源极跟随器，主源极跟随器包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路，包括：用于被偏置的晶体管的偏置电路，所述偏置电路包括主从源极跟随器电路、基准晶体管以及被耦合到所述被偏置的晶体管并且被配置成提供偏置电压的偏置电路电压输出，其中所述基准晶体管具有与所述被偏置的晶体管的第二跨导基本相同的第一跨导。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.04 US 61/899,4601.一种电路，包括：
用于被偏置的晶体管的偏置电路，所述偏置电路包括主从源极跟
随器电路、基准晶体管以及被耦合到所述被偏置的晶体管并且被配置
成提供偏置电压的偏置电路电压输出，
其中所述基准晶体管具有与所述被偏置的晶体管的第二跨导基
本相同的第一跨导。
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述主从源极跟随器电路
包括：
主晶体管，被配置成作为第一源极跟随器操作并且向所述基准晶
体管提供主基准电压；以及
从晶体管，被配置成作为第二源极跟随器操作并且根据所述主基
准电压提供所述偏置电压。
3.根据权利要求2所述的电路，其中所述主晶体管的栅极被耦
合到所述从晶体管的栅极。
4.根据权利要求2所述的电路，其中所述主晶体管包括NMOS
晶体管并且其中所述从晶体管包括NMOS晶体管。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述偏置电路进一步包括：
在所述偏置电路电压输出和所述被偏置的晶体管之间耦合的滤
波器电路，所述滤波器电路被配置成在第一频率呈现第一阻抗并且在
第二频率呈现第二阻抗，
其中所述第一频率基本上比所述第二频率更高，以及
其中所述第一阻抗基本上比所述第二阻抗更高。
6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一频率是载波信号
的频率，
其中所述第二频率是基带信号的频率，以及
其中所述被偏置的晶体管是被配置成放大输入信号的放大器的
部件，所述输入信号包括根据所述基带信号调制的所述载波信号。
7.根据权利要求5所述的电路，其中所述滤波器电路包括电容
器-电阻器-电容器滤波器电路。
8.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：
信号接地电路，在所述被偏置的晶体管和所述偏置电路的一个或
多个部件之间耦合，
其中所述偏置电路的直接连接到所述信号接地电路的部件不生
成到电源接地的显著的返回电流。
9.根据权利要求8所述的电路，其中所述偏置电路的直接连接
到所述信号接地电路的所有部件不生成到电源接地的显著的返回电
流。
10.根据权利要求8所述的电路，其中所述信号接地电路在所述
被偏置的晶体管附近的位置处被直接连接到电源接地网络。
11.根据权利要求10所述的电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·M·辛诺夫，何明，W·A·洛伊布，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：巴巴多斯;BB