【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展,显示装置逐渐向超窄边框化的方向发展,因此相对于传统的彩膜基板设置在外侧而阵列基板贴着背光设置的显示装置,现有的显示装置逐渐向阵列基板设置在外侧而彩膜基板贴着背光设置的方向发展。由于阵列基板设置在外侧,而且阵列基板的栅极金属线对外界光具有很强的发射作用,因此影响了显示效果。为了解决上述问题,现有技术完成对显示面板的制作之后,再对阵列基板的外表面进行防反射处理,例如,增加玻璃粗糙度或者贴附防反射膜,但是上述防反射处理的防反射效果不佳,而且提高了生产成本。另外,现有技术在阵列基板的制备过程之中,形成栅极之前增加一层防反射膜,所述防反射膜的厚度达到150nm以上,而且所述防反射膜的反射率只有20%左右。另外,所述防反射膜的厚度过大使得显示面板的显示区域的平坦度降低,导致cell工艺之中PI涂覆不良。
技术实现思路
>为解决上述问题,本本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板,所述衬底基板上设置有至少两层折射层,在所述折射层上设置有栅极;相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率,所述折射层的厚度为nλ+λ/4,λ为入射光的波长,n为非负整数。
【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板,所述衬底基板
上设置有至少两层折射层,在所述折射层上设置有栅极;
相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离
衬底基板的折射层的折射率,所述折射层的厚度为nλ+λ/4,λ为入射
光的波长,n为非负整数。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述折射层
的数量为两层,两层所述折射层分别为靠近衬底基板的第一折射层
以及远离衬底基板的第二折射层。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一折
射层的构成材料包括氮化硅材料,所述第二折射层的构成材料包括
非晶硅材料。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一折
射层的厚度范围包括50nm至60nm,所述第二折射层的厚度范围包
括25nm至35nm或者55nm至65nm。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第一折
射层的厚度为55nm,所述第二折射层的厚度为30nm或者60nm。
6.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一折
射层的折射率范围包括1.8至2.2,所述第二折射层的折射率范围包
括4.0至4.8。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述第一折
射层的折射率为2.0,所述第二折射层的折射率范...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁魁,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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