【技术实现步骤摘要】
专利技术属于磁光晶体生长制备
,具体地,本专利技术涉及了一种高铽浓度硼酸盐及其制备方法和用途。
技术介绍
1845年,英国物理学家法拉第首次发现了磁致旋光效应。此后一百年人们又相继发现了新的磁光效应并建立了磁光理论。至上世纪五十年代磁光效应广泛用于磁性材料磁畴结构的观察和研究。近年来随着激光、计算机信息和光纤通信技术的发展,磁光材料显示了其独特的性能和广阔的应用前景。磁光材料因此成为世界各国科学家竞相研究的焦点和对象,被广泛用作磁光调制器、磁光传感器、磁光隔离器和磁光开关等,是一种极其重要并有着广泛用途的材料,在国民经济和社会生活中发挥着举足轻重的作用。目前使用最广泛的商用磁光晶体主要有两种:Y3Fe5O12(YIG)和Tb3Ga5O12(TGG)。YIG在1100nm波长以下透过率较低,因此主要用于红外和近红外领域。另一方面YIG为非同成分熔融化合物,转熔点为1555℃,不能使用传统的提拉法生长晶体,难以得到质量较高的晶体。而TGG虽然透过范围较宽(400-1100nm,不包括470-500nm),但是在TGG晶体生长过程中由于Ga2O3的挥发,导致TG ...
【技术保护点】
一种高铽浓度硼酸盐化合物,其特征在于,该化合物的化学式为LiMTb5(BO3)6,其中M为Ca或者Cd。
【技术特征摘要】
1.一种高铽浓度硼酸盐化合物,其特征在于,该化合物的化学式为LiMTb5(BO3)6,其中M为Ca或者Cd。2.一种如权利要求1所述的高铽浓度硼酸盐化合物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:混合并研磨含钙或镉化合物、含锂化合物、含铽化合物和含硼化合物,形成化合物原料;将化合物原料装入容器后置于加热炉里,升温至第一温度,并保温第一时间,第一时间期间多次研磨;再升温至第二温度,并保温第二时间,第二时间期间再次多次研磨,得到高铽浓度硼酸盐化合物;其中第一温度为450-550℃,第二温度为850-950℃。3.一种如权利要求1所述的高铽浓度硼酸盐晶体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:混合并研磨含锂化合物、含钙或者镉化合物、含铽化合物、含硼化合物和助熔剂,形成化合物原料,将化合物原料装入容器后置于加热炉里搅拌;采用助熔剂法或助熔剂提拉法生长晶体。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述助熔剂法的条件为:在熔体饱和点温度之上0.5~2℃放入籽晶;放入籽晶10-40分钟后将温度降至饱和点温度之下0~1℃,以10~20转/分的旋转速率旋转籽晶杆,同时以1~3℃/天的速率降温生长晶体,将晶体提离液面,以10~50℃/小时的降温速率降至室温,得到高铽浓度硼酸盐晶体;所述助熔剂提拉法的条件为:在熔体饱和点温度之上0.5~1℃放入籽晶;放入籽晶10-60分钟将温度降至饱和点温度之下0~1℃,以5~30转/分的旋转速率旋转籽晶杆,以0.1~2mm/小时的提拉速率提拉籽晶杆,同时以1~5℃/天的速率降温生长晶体;将晶体提离液面,以5~30℃/...
【专利技术属性】
技术研发人员:李如康,吴臣臣,夏明军,
申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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