【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半成品。此外,本专利技术涉及一种制造部件载体的方法。
技术介绍
随着电子工业的发展,电子产品趋向于小型化和高性能,并且因此,为了增大通过层间连接技术布局的布局面积,并且满足高密度集成电路同时降低封装衬底的厚度,开发了多层板。传统上,部件载体包括芯板和布置于该芯板的两侧上的堆积结构。然而,使用芯板增加了线的长度和整个结构的厚度。因此,为了克服这些缺陷,并且满足高频和小型化的发展趋势,开发了无芯部件载体。US8,227,711公开了一种无芯封装衬底,该无芯封装衬底包括:衬底主体,该衬底主体包括具有对置的第一面和第二面的辅助介质层;内布线,该内布线形成于第二面上;以及堆积结构,该堆积结构形成于辅助介质层和内布线上。设置多个导电凸块,该导电凸块包括:金属柱,该金属柱具有对置的第一端和第二端;以及焊接层,该焊接层形成于第一端上,其中金属柱的第二端布置于辅助介质层中,并且与内布线电连接,而具有焊接层的金属柱的第一端从辅助介质层的第一面凸出,从而实现超细间距和甚高导电凸块。US2007/0124924公开了一种制造布线衬底的方法,该方法包括步骤:由半固化材料获得临时衬底;以及通过以下层布置于半固化材料上的布线形成区中,并且使其尺寸大于下层尺寸的金属箔与布线形成区的外围部接触的方式将金属箔通过位于它们之间的下层布置于半固化材料上,并且然后通过利用加热和增压硬化半固化材料,在金属箔上形成堆积布线层,并且通过切割下层、金属箔和堆积布线层形成于临时衬底上的结构的一部分,获得堆积布线层形成于金属箔上的布线件,该部对应于下层的外围部,并且因此,通过使金属箔与临时 ...
【技术保护点】
一种半成品(100),包括:保护结构(102);两个部件载体(104),所述两个部件载体(104)可释放地形成于所述保护结构(102)的对置主面上;其中所述保护结构(102)包括中心结构(106),并且包括位于所述中心结构(106)的两个对置主面上面或者上方的释放层(108);其中所述中心结构(106)包括伪芯(200),不同材料的,特别是不同介质材料的两个空间分离片(220、222)中的相应分离片覆盖在,特别是完全覆盖在所述伪芯(200)的两个主面的上面或者上方。
【技术特征摘要】
1.一种半成品(100),包括:保护结构(102);两个部件载体(104),所述两个部件载体(104)可释放地形成于所述保护结构(102)的对置主面上;其中所述保护结构(102)包括中心结构(106),并且包括位于所述中心结构(106)的两个对置主面上面或者上方的释放层(108);其中所述中心结构(106)包括伪芯(200),不同材料的,特别是不同介质材料的两个空间分离片(220、222)中的相应分离片覆盖在,特别是完全覆盖在所述伪芯(200)的两个主面的上面或者上方。2.根据权利要求1所述的半成品(100),其中所述分离片(220、222)包括低流动性材料。3.根据权利要求2所述的半成品(100),其中所述低流动性材料包括低流动性半固化材料或者由低流动性半固化材料构成。4.根据权利要求2或者3所述的半成品(100),其中所述低流动性材料具有的流动性范围在30mil与140mil之间,特别是在60mil与120mil之间,更特别地是在60mil与90mil之间。5.根据权利要求2至4中的任何一项所述的半成品(100),其中在150℃,所述低流动性材料具有的粘度在5000泊与100000泊之间,特别是在5000泊与50000泊之间,更特别地是在5000泊与35000泊之间。6.根据权利要求2至5中的任何一项所述的半成品(100),其中在140℃与160℃之间的温度下,所述低流动性材料具有的最低粘度在5000泊与100000泊之间。7.根据权利要求2至6中的任何一项所述的半成品(100),其中所述低流动性材料包括树脂基体、所述基体中的纤维以及所述禁流基体中的添加剂,特别是高分子量添加剂,或者由树脂基体、所述基体中的纤维以及所述抑流基体中的添加剂,特别是高分子量添加剂构成。8.根据权利要求1至7中的任何一项所述的半成品(100),其中构造每个所述释放层(108),特别是剥离层,使得特别是通过从所述保护结构(102)剥离所述相应部件载体(104),能够从所述保护结构(102)释放所述相应部
\t件载体(104)。9.根据权利要求1至8中的任何一项所述的半成品(100),其中所述伪芯(200)包括:特别是半固化材料的中心层(202);以及两个位于所述中心层(204)上的特别是铜的导电层(204、206)。10.根据权利要求1至9中的任何一项所述的半成品(100),其中所述伪芯(200)是覆铜板(CCL)。11.根据权利要求1至10中的任何一项所述的半成品(100),其中所述保护结构(102)还包括特别是铜箔的加强层(110),每个所述加强层(110)都排列在所述中心结构(106)与所述释放层(108)中的相应释放层(108)之间。12.根据权利要求1至11中的任何一项所述的半成品(100),其中将所述两个部件载体(104)中的至少一个构造为无芯部件载体(104)。13.根据权利要求2至12中的任何一项所述的半成品(100),其中所述低流动性材料具有的厚度在40μm与260μm之间的范围内,特别是在40μm与60μm之间的范围内。14.根据权利要求1至13中的任何一项所述的半成品(100),其中所述两个部件载体(104),特别是与所述保护结构(102)组合的所述两个部件载体(104)形成有对称的,特别是镜像对称的构型。15.根据权利要求1至14中的任何一项所述的半成品(100),其中每个所述部件载体(104)都在与所述保护结构(102)的相应界面处包括超薄导电层(112),特别是厚度小于5μm,更特别是厚度小于3μm的的铜层。16.根据权利要求1至15中的任何一项所述的半成品(100),其中每个所述部件载体(104)都包括至少一个电绝缘层结构(114)和至少一个导电层结构(116)。17.根据权利要求16所述的半成品(100),其中最靠近所述保护结构(102)布置的、每个都与所述部件载体(104)中的相应部件载体(104)有关的所述两个电绝缘层结构(114)是纯的或者未处理过的电绝缘层,内部没有导电材料。18.根据权利要求17所述的半成品(100),其中所述纯电绝缘层是半固化层。19.根据权利要求16至18中的任何一项所述的半成品(100),其中最
\t靠近所述保护结构(102)布置的、每个都与所述部件载体(104)中的相应部件载体(104)有关的所述两个电绝缘层结构(114)和所述分离片...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·泰,N·鲍尔欧平阁,G·D·格雷戈里奥,P·戴,
申请(专利权)人:奥特斯中国有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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