一种与非型闪存中坏列的处理方法、装置及与非型闪存制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开一种与非型闪存中坏列的处理方法、装置及与非型闪存，该方法包括：扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出的所述存储区块中的坏列；通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。本发明专利技术实施例仅需要至少一个标记锁存器记录坏列信息，并且标记锁存器的位置可以自由设计，与现有技术相比，不再需要将标记锁存器设置成横跨整个存储阵列的形状，由此可大大减少标记锁存器占用的面积，也降低与非型闪存排版布局的难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路存储
，尤其涉及一种与非型闪存中坏列的处理方法、装置及与非型闪存。
技术介绍
NANDFLASH是一种与非型闪存，可以在给定的芯片尺寸内提供较高的容量。NANDFLASH以页为基本单元进行存储，以块为基本单元进行擦除，具有很快的写入和擦除速度，是一种比硬盘驱动器更好的存储设备。如图1所示，在NANDFLASH中，除了用来存储数据的存储器外，一般还包括灵敏放大器(SenseAmplifier，SA)、标记锁存器(Isolationlatch，ISOL)和控制电路(图中未给出)，一组灵敏放大器(SenseAmplifier，SA)对应一组标记锁存器(Isolationlatch，ISOL)。在NANDFLASH中，除了用户可访问到的存储资源外，还配备有冗余列(如图2所示)，若SA或是存储器中出现坏列，则动用冗余列资源将坏列替换掉，此时，将该坏列的地址、该坏列对应的替换冗余列的地址记录到该列所对应的标记锁存器中；若超出冗余列的替换范围，则将该坏列不可替换的信息记录到其对应的标记锁存器中；若某列不是坏列，则将其对应的标记锁存器标记为未使用。可见，存储器中某一列所对应的标记锁存器存储的信息包括：该标记锁存器本身是否可用，该标记锁存器是否已经使用，若已经使用，则记录其对应的坏列地址和替换冗余列地址；若未使用，则记录该信息。但是，现有的NANDFLASH中，即使某列不是坏列，其也有对应的标记锁存器，导致标记锁存器资源被浪费；每一列存储单元都对应一组标记锁存器，使得在NANDFLASH中，标记锁存器占据了很大的面积；标记锁存器横跨整个存储器，在排版布局时需使用较大的面积。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种与非型闪存中坏列的处理方法、装置及与非型闪存，以解决现有技术中标记锁存器数量多，所占面积大，需横跨整个存储器，给电路板的排版布局造成不便等问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种与非型闪存中坏列的处理方法，包括：扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出所述存储区块中的坏列；通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。进一步的，通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列，并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数，包括：调用一个冗余列并判断所述冗余列是否是正常列；若所述冗余列为坏列，则返回并调用下一个冗余列；若所述冗余列为正常列，则通过该冗余列替换所述坏列，并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中；当所述存储区块中的全部坏列替换完成后，统计所述坏列的个数。进一步的，扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数，包括：上电结束后，向所述存储区块中写入数据；对所述存储区块进行错误数据扫描，以得出所述存储区块中的错误信息个数；计算所述错误信息个数与所述坏列个数的差值，以得到所述错误数据个数。进一步的，在所述计算所述错误信息个数与所述坏列个数的差值以得到所述错误数据个数之后，还包括：判断所述错误数据个数是否超出预设个数阈值；若未超出，则写入数据操作完成；若超出，则返回重新将数据写入所述存储区块中。第二方面，本专利技术实施例提供了一种与非型闪存中坏列的处理装置，包括：坏列扫描模块，用于扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出所述存储区块中的坏列；坏列个数统计模块，用于通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；错误数据个数获取模块，用于扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。进一步的，所述坏列个数统计模块包括：冗余列调用单元，用于调用一个冗余列并判断所述冗余列是否是正常列，若所述冗余列为坏列，则返回并调用下一个冗余列；若所述冗余列为正常列，则通过该冗余列替换所述坏列，并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中；坏列个数统计单元，用于当所述存储区块中的全部坏列替换完成后，统计所述坏列的个数。进一步的，所述错误数据个数获取模块包括：存储数据写入单元，用于上电结束后，向所述存储区块中写入数据；错误信息统计单元，用于对所述存储区块进行错误数据扫描，以得出所述存储区块中的错误信息个数；错误数据个数获取单元，用于计算所述错误信息个数与所述坏列个数的差值，以得到所述错误数据个数。进一步的，该装置还包括：错误数据判断模块，用于在所述计算所述错误信息个数与所述坏列个数的差值，以得到所述错误数据个数之后，判断所述错误数据个数是否超出预设个数阈值，若未超出，则写入数据操作完成；若超出，则返回重新将数据写入所述存储区块中。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种与非型闪存，包括：至少一个存储区块，与所述存储区块中的冗余列一一对应设置的标记锁存器，以及本专利技术实施例任一所述的与非型闪存中坏列的处理装置。本专利技术实施例提供的与非型闪存中坏列处理的技术方案，扫描与非型闪存中存储区块的坏列并记录坏列的个数，扫描写入数据后存储区块中的错误信息个数，根据错误信息个数和坏列个数得到该存储区块中的错误数据个数。本发明实施例通过采用上述技术方案，通过标记锁存器记录坏列信息，可以大大减少标记锁存器的个数，从而可以有效地减小标记锁存器所占的面积；与现有技术相比，不再需要将标记锁存器设置成横跨整个存储阵列的形状，标记锁存器的位置布局可以根据电路板的布局自由设置，能够降低与非型闪存电路板排版布局的难度，有利于电路板的合理设计。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为现有技术中NANDFLASH的标记锁存器示意图；图2为现有技术中NANDFLASH的冗余列示意图；图3为本专利技术实施例一提供的一种与非型闪存中坏列的处理方法的流程示意图；图4为本专利技术实施例二提供的一种与非型闪存中坏列的处理方法的流程示意图；图5为本专利技术实施例三提供的一种与非型闪存中坏列的处理装置的结构框图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种与非型闪存中坏列的处理方法，其特征在于，包括：扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出所述存储区块中的坏列；通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。

【技术特征摘要】
1.一种与非型闪存中坏列的处理方法，其特征在于，包括：
扫描所述与非型闪存的存储区块，并扫描出所述存储区块中的坏列；
通过所述存储区块中的冗余列替换所述坏列并将所述坏列的地址记录在与
该冗余列对应的标记锁存器中，记录所述坏列个数；
扫描写入数据后的所述存储区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根
据所述错误信息个数和所述坏列个数得出所述存储区块的错误数据个数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述存储区块中的冗余
列替换所述坏列，并将所述坏列的地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中，
记录所述坏列个数，包括：
调用一个冗余列并判断所述冗余列是否是正常列；
若所述冗余列为坏列，则返回并调用下一个冗余列；
若所述冗余列为正常列，则通过该冗余列替换所述坏列，并将所述坏列的
地址记录在与该冗余列对应的标记锁存器中；
当所述存储区块中的全部坏列替换完成后，统计所述坏列的个数。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，扫描写入数据后的所述存储
区块并得出所述存储区块的错误信息个数，根据所述错误信息个数和所述坏列
个数得出所述存储区块的错误数据个数，包括：
上电结束后，向所述存储区块中写入数据；
对所述存储区块进行错误数据扫描，以得出所述存储区块中的错误信息个
数；
计算所述错误信息个数与所述坏列个数的差值，以得到所述错误数据个数。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述计算所述错误信息个
数与所述坏列个数的差值以得到所述错误数据个数之后，还包括：
判断所述错误数据个数是否超出预设个数阈值；
若未超出，则写入数据操作完成；若超出，则返回重新将数据写入所述存
储区块中。
5.一种与非型闪存中坏列的处理装置，其特征在于，包括：
坏列扫描模块，用于扫描所述与非型闪...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘会娟，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11